Takayuki Maruyama (Master’s degree in 2018 graduation)

International conference presentation

[1] Takayuki Maruyama, Yuri Takahashi, Natsuki yamada, Kazushi Ebara, Hisaya Nakagawa, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano, “Fabrication and evaluation of thick BGaN neutron detection diodes”, The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), GR10-4, Ishikawa Ongakudo, ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa, Motenashi-Dome, Kanazawa, Japan, November 11–16, 2018

Domestic conference presentation

[1] 丸山 貴之、高橋 祐吏、山田 夏暉、江原 一司、望月 健、中川 央也、宇佐美 茂佳、本田 善央、天野 浩、小島 一信、秩父 重英、 井上 翼、青木 徹、中野 貴之、“MOVPE 法を用いた厚膜BGaN 結晶成長の検討および縦型中性子検出デバイスの作製”、第79回応用物理学会秋季学術講演会、20a-146-6、名古屋国際会議場、2018年9月18‐21日

[2] 丸山貴之、山田夏暉、江原一司、中川央也、井上翼、青木徹、中野貴之、“MOVPE法による中性子半導体検出器に向けたBGNA結晶成長技術の開発”、次世代放射シンポジウム(放射線夏の学校)2018、P-36、グランパスin白浜、2018年8月6-8日

[3] 丸山貴之、望月健、中川央也、宇佐美茂佳、本田善央、天野浩、小島一信、秩父重英、井上翼、青木徹、中野貴之、「厚膜BGaN中性子半導体検出器の作製と放射線検出特性評価」、第65回応用物理学会春季学術講演会、19p-P7-78、早稲田大学西早稲田キャンパス、2018年3月17-20日

[4] 丸山貴之、望月健、井上翼、中野貴之、“MOVPE法を用いたBGaN厚膜成長における結晶性の検討”、第46回結晶成長国内会議、28p-P30、コンコルド浜松、2017年11月27-29日

Other

[1] 丸山貴之、“厚膜BGaN中性子半導体検出器の作製と放射線検出特性評価”、第65回応用物理学会春季学術講演会、19p-P7-78、2018年春季学術講演会 学生ポスター賞