江原 一司 2018年度修士卒業

発表論文

[1] Kazushi Ebara, Ken Mochizuki, Yoku Inoue, Toru Aoki, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, and Takayuki Nakano, “Impact of growth temperature on the structural properties of BGaN films grown by metal-organic vapor phase epitaxy using trimethylboron”, Japanese Journal of Applied Physics 58 (2019) SC1042 (5 pages)

国際学会発表

[1] Kazushi Ebara, Ken Mochizuki, Yoku Inoue, Toru Aoki, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, and Takayuki Nakano, ”Kinetics analysis of desorption process in BGaN MOVPE”, The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), GR10-5, Ishikawa Ongakudo, ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa,& Motenashi-Dome, Kanazawa, Japan, November 11–16, 2018

[2] Kazushi Ebara, Ken Mochizuki, Yoku Inoue, Toru Aoki, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu and Takayuki Nakano, “Evaluation of cubic phase formation in wurtzite type BGaN by MOVPE”, 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX), Nara Kasugano International Forum, Nara, Japan, June 3-8, 2018, P2-8

国内学会発表

[1] 江原 一司、望月 健、井上 翼、青木 徹、小島 一信、秩父 重英、中野 貴之、“BGaN-MOVPE法における脱離過程の解析”、第79回応用物理学会秋季学術講演会、20a-146-5、名古屋国際会議場、2018年9月18-21日

[2] 江原一司、望月健、井上翼、青木徹、小島一信、秩父重英、中野貴之、「MOVPE法を用いて作製したBGaN結晶相の評価」、第65回応用物理学会春季学術講演会、20p-P6-9、早稲田大学西早稲田キャンパス、2018年3月17-20日

[3] 江原一司、望月健、井上翼、中野貴之、“MOVPE法を用いたBGaN結晶成長の基板依存性の評価” 、第46回結晶成長国内会議、28p-P31、コンコルド浜松、2017年11月27-29日