domestic 1989-1999

1999
小野行徳、高橋庸夫、山崎謙治、永瀬雅夫、生津英夫、栗原健二、村瀬克実:
V-PADOX法によるシリコン相補型単電子インバーターの作製とその特性評価電気学会
極微構造集積デバイス調査専門委員会(1999年12月21日)

小野行徳、高橋庸夫、山崎謙治、永瀬雅夫、生津英夫、栗原健二、村瀬克実:
単電子論理回路作製に向けたV-PADOX法の機能性向上
第60回応用物理学会学術講演会(1999年9月2日、甲南大学),合同セッションC「Siナノ・デバイス」

小野行徳、高橋庸夫、山崎謙治、永瀬雅夫、生津英夫、栗原健二、村瀬克実:
集積回路に適したシリコン単電子トランジスタの新作製手法
応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会、第9回ミニ学術講演会(1999年5月26日)

劉冠廷、藤原聡、小野行徳、高橋庸夫、村瀬克実:
シリコン単電子トランジスタの電圧利得
第46回 応用物理学関係連合講演会(1999年3月29日、東京理科大学),合同セッションC「Siナノ・デバイ ス」

小野行徳、高橋庸夫、山崎謙治、永瀬雅夫、生津英夫、栗原健二、村瀬克実:
集積化に適したシリコン単電子トランジスタの新作製手法-Vertical Pattern Dependent Oxidation (V-PADOX)法
第46回 応用物理学関係連合講演会(1999年3月29日、東京理科大学),合同セッションC「Siナノ・デバイス」

小野行徳、高橋庸夫、山崎謙治、永瀬雅夫、生津英夫、栗原健二、村瀬克実:
集積回路に適した、シリコン単電子トランジスタの作製方法
電気学会 極微構造集積デバイス調査専門委員会(1999年2月23日)

1996
小野行徳
、高橋庸夫、堀口誠二、村瀬克実、田部道晴:
極薄SIMOX-Si層エッジからのSiO2障壁を介した電子トンネル
電子情報通信学会 技術研究報告会(1996年4月25日)

1995
小野行徳
、高橋庸夫、村瀬克実、田部道晴:
極薄SIMOX-Si層エッジに形成された量子化準位のトンネル分光による検出
第56回応用物理学会学術講演会(1995年8月27日、金沢工業大学),半導体A(シリコン);電子デバイス

1994
小野行徳
、永瀬雅夫、田部道晴、高橋庸夫:
SiO2上、極薄単結晶Siの熱凝集過程
第55回応用物理学会学術講演会(1994年9月22日、名城大学),半導体A(シリコン); 半導体表面

高橋庸夫、小野行徳、古田知史、石山俊彦、田部道晴:
SIMOX基板上に形成した2次元Si層からのフォトルミネッセンス
第55回応用物理学会学術講演会(1994年9月20日、名城大学),半導体A(シリコン);基礎物性・評価

1993
小野行徳
、永瀬雅夫、田部道晴、高橋庸夫:
SIMOX極薄Si層の熱的挙動
第54回応用物理学会学術講演会(1993年9月30日、北海道大学),半導体A(シリコン); 半導体表面

小野行徳、田部道晴、影島博之:
Si(111)7×7表面の熱酸化初期過程
電子情報通信学会 シリコン材料デバイス研究会(1993年4月22日、北海道大学)1

1992
小野行徳、
田部道晴:
Si(111)7×7表面の熱酸化初期過程のSTM観察
電子情報通信学会 シリコン材料デバイス研究会(1992年5月28日)

小野行徳、田部道晴:
Si(111)7×7表面の熱酸化過程のSTM観察
第39回 応用物理学関係連合講演会(1992年3月28日、日本大学),半導体A(シリコン);半導体表面

1991
小野行徳、田部道晴、榊原裕:
SiO2/Si界面ふっ素偏析の基板面方位依存性
第52回応用物理学会学術講演会(1991年10月11日、岡山大学・岡山理科大学),半導体A(シリコン);プ ロセス技術A

小野行徳、田部道晴:
Si/SiO2界面近傍におけるふっ素の深さ方向分布
第38回 応用物理学関係連合講演会(1991年3月28日、東海大学),半導体A(シリコン);プロセス技術A

1989
小野行徳、牧野孝裕:
極薄酸化膜における電流ストレス後の低電界リーク
第50回応用物理学会学術講演会(1989年9月28日、福岡工業大学),半導体A(シリコン);プロセス技術

小野行徳、、牧野孝裕:
極薄ゲート酸化膜のFN電流にみられるうねりの考察
電子情報通信学会 全国大会(1989年9月27日)