1999
小野行徳, 高橋庸夫, 山崎謙治, 永瀬雅夫, 生津英夫, 栗原健二, 村瀬克実：
V-PADOX法によるシリコン相補型単電子インバーターの作製とその特性評価電気学会
極微構造集積デバイス調査専門委員会（1999年12月21日）
小野行徳, 高橋庸夫, 山崎謙治, 永瀬雅夫, 生津英夫, 栗原健二, 村瀬克実：
単電子論理回路作製に向けたV-PADOX法の機能性向上
第60回応用物理学会学術講演会（1999年9月2日、甲南大学），合同セッションC「Siナノ・デバイス」
小野行徳, 高橋庸夫, 山崎謙治, 永瀬雅夫, 生津英夫, 栗原健二, 村瀬克実：
集積回路に適したシリコン単電子トランジスタの新作製手法
応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会、第9回ミニ学術講演会（1999年5月26日）
劉冠廷, 藤原聡, 小野行徳, 高橋庸夫, 村瀬克実：
シリコン単電子トランジスタの電圧利得
第46回 応用物理学関係連合講演会（1999年3月29日、東京理科大学），合同セッションC「Siナノ・デバイ ス」
小野行徳, 高橋庸夫, 山崎謙治, 永瀬雅夫, 生津英夫, 栗原健二, 村瀬克実:
集積化に適したシリコン単電子トランジスタの新作製手法－Vertical Pattern Dependent Oxidation (V-PADOX)法
第46回 応用物理学関係連合講演会（1999年3月29日、東京理科大学），合同セッションC「Siナノ・デバイス」
小野行徳, 高橋庸夫, 山崎謙治, 永瀬雅夫, 生津英夫, 栗原健二, 村瀬克実：
集積回路に適した、シリコン単電子トランジスタの作製方法
電気学会 極微構造集積デバイス調査専門委員会（1999年2月23日）
1996
小野行徳, 高橋庸夫, 堀口誠二, 村瀬克実, 田部道晴：
極薄SIMOX-Si層エッジからのSiO2障壁を介した電子トンネル
電子情報通信学会 技術研究報告会（1996年4月25日）
1995
小野行徳, 高橋庸夫, 村瀬克実, 田部道晴：
極薄SIMOX-Si層エッジに形成された量子化準位のトンネル分光による検出
第56回応用物理学会学術講演会（1995年8月27日、金沢工業大学），半導体A（シリコン）；電子デバイス
1994
小野行徳, 永瀬雅夫, 田部道晴, 高橋庸夫：
SiO2上、極薄単結晶Siの熱凝集過程
第55回応用物理学会学術講演会（1994年9月22日、名城大学），半導体A（シリコン）； 半導体表面
高橋庸夫, 小野行徳, 古田知史, 石山俊彦, 田部道晴：
SIMOX基板上に形成した2次元Si層からのフォトルミネッセンス
第55回応用物理学会学術講演会（1994年9月20日、名城大学），半導体A（シリコン）；基礎物性・評価
1993
小野行徳, 永瀬雅夫, 田部道晴, 高橋庸夫：
SIMOX極薄Si層の熱的挙動
第54回応用物理学会学術講演会（1993年9月30日、北海道大学），半導体A（シリコン）； 半導体表面
小野行徳, 田部道晴, 影島博之：
Si(111)7×7表面の熱酸化初期過程
電子情報通信学会 シリコン材料デバイス研究会（1993年4月22日、北海道大学）1
1992
小野行徳, 田部道晴：
Si(111)7×7表面の熱酸化初期過程のSTM観察
電子情報通信学会 シリコン材料デバイス研究会（1992年5月28日）
小野行徳, 田部道晴：
Si(111)7×7表面の熱酸化過程のSTM観察
第39回 応用物理学関係連合講演会（1992年3月28日、日本大学），半導体A（シリコン）；半導体表面
1991
小野行徳, 田部道晴, 榊原裕：
SiO2/Si界面ふっ素偏析の基板面方位依存性
第52回応用物理学会学術講演会（1991年10月11日、岡山大学・岡山理科大学），半導体A（シリコン）；プ ロセス技術A
小野行徳, 田部道晴：
Si/SiO2界面近傍におけるふっ素の深さ方向分布
第38回 応用物理学関係連合講演会（1991年3月28日、東海大学），半導体A（シリコン）；プロセス技術A
1989
小野行徳, 牧野孝裕：
極薄酸化膜における電流ストレス後の低電界リーク
第50回応用物理学会学術講演会（1989年9月28日、福岡工業大学），半導体A（シリコン）；プロセス技術
小野行徳, 牧野孝裕：
極薄ゲート酸化膜のFN電流にみられるうねりの考察
電子情報通信学会 全国大会（1989年9月27日）