domestic 2000-2009

2009
宮崎康晶, 籔内真, 小野行徳, 影島博之, 永瀬雅夫, 藤原聡, 太田英二:
マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性
半導体スピン工学の基礎と応用(2009年12月21日、慶應大学)

川合雄也、M.アンワル、三木早樹人、小野行徳、D.モラル、水野武志、田部道晴:
低温Kelvin Probe Force 顕微鏡によるイオン注入効果の観察
日本表面科学会中部支部 学術講演会(2009年12月19日、名古屋工業大学)

宮本聡,西口克彦,小野行徳,伊藤公平, 藤原聡:
シリコン単電子ラチェット転送における振動ポテンシャル障壁を越える共鳴活性化現象
第70回応用物理学会学術講演会(2009年9月11日、富山大学),半導体A(シリコン);Siデバイス/集積化技術

宮本聡、西口克彦、小野行徳、伊藤公平、藤原聡:
シリコン単電子ラチェット転送における少数電子脱出ダイナミクス
ナノ量子情報エレクトロニクス公開シンポジウム(2009月4月22日、東京大学)

M. A. H. Khalafalla, Y. Ono, K. Nishiguchi, and A. Fujiwara:
SOIMOSFETにおける単一アクセプターの位置解析
第56回 応用物理学関係連合講演会(2009年3月30日、筑波大学),半導体A(シリコン);Siデバイス/集積化技術

宮崎康晶,小野行徳、影島博之、永瀬雅夫、藤原 聡、太田英二:
マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性
第56回 応用物理学関係連合講演会(2009年3月30日、筑波大学),スピントロニクス・マグネティクス;新物質創生・物性探索

宮崎康晶,小野行徳、影島博之、永瀬雅夫、藤原 聡、太田英二:
マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性
電子情報通信学会 シリコン材料デバイス研究会(2009年2月26日、北海道大学)

2008
河内麻美子、小野行徳、堀口誠二:
nチャネルSOI MOSFETの閾値電圧に対するδ関数型シート状分布リンの効果
応用物理学会 東北支部大会(2008月12月4日、東北大学)
新井田佳孝、高品圭、 西口克彦、小野行徳、藤原聡、村木康二、平山祥郎:
SiO2/(100)Si/SiO2量子井戸に形成される二次元正孔系の磁気抵抗の閉じ込めポテンシャル依存性
物理学会秋期年次大会(2008年9月20日、岩手大学)
藤原聡、宮本聡,西口克彦,小野行徳
シリコン細線MOSFETにおける単電子捕獲のダイナミクス
第69回応用物理学会学術講演会(2008年9月4日、中部大学),半導体A(シリコン);Siデバイス/集積化技術
西口克彦、Charlie Koechlin、小野行徳、藤原聡、猪川洋、山口浩司:
電界効果トランジスタを利用した単一電子エレクトロメータ
電子情報通信学会 シリコン材料デバイス研究会(2008年7月9日、東京)

宮本聡,西口克彦,小野行徳、藤原聡、伊藤公平:
シリコン細線MOSFETを用いた単電子ラチェットにおける電子ダイナミクス
第55回 応用物理学関係連合講演会(2008年3月28日、日本大学),半導体A(シリコン);Siデバイス/集積化技術

開澤拓弥、Minkyu Jo、有田正志、藤原聡、小野行徳、猪川洋:
2x2Siナノドットアレイを用いた3入力・2出力デバイスの全加算器動作
第55回 応用物理学関係連合講演会(2008年3月27日、日本大学),応用物性;ナノエレクトロニクス

開澤拓弥、Minkyu Jo、有田正志、山崎謙治、藤原聡、小野行徳、猪川洋、高橋庸夫:
Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作
電子情報通信学会 シリコン材料デバイス研究会(2008年1月30日、北海道大学)

2007
白澤尚武、西口克彦、小野行徳、藤原聡、堀口誠二:
nチャネルSOI MOSFETの閾値電圧に対するδ関数型シート状分布リンの効果
応用物理学会 東北支部大会(2007月12月6日、八戸工業大学)

M.カラファラ、小野行徳、西口克彦、藤原聡:
SOIナノトランジスタにおける個々のボロンドーパントの位置と相互作用
第68回応用物理学会学術講演会(2007年9月7日、北海道工業大学),半導体A(シリコン);Siデバイス/集積化技術

藤原聡、西口克彦,小野行徳
シリコン細線MOSFETを用いた単電子ラチェット
第68回応用物理学会学術講演会(2007年9月7日、北海道工業大学),応用物性;ナノエレクトロニクス

猪川洋、藤原聡、西口克彦,小野行徳、佐藤弘明:
転送電流評価によるナノメータMOSFETの容量パラメータ抽出
第68回応用物理学会学術講演会(2007年9月5日、北海道工業大学),半導体A(シリコン);Siデバイス/集積化技術

籔内真、影島博之、小野行徳、永瀬雅夫、藤原聡、太田英二:
第一原理計算によるシリコン結晶中マンガンナノシリサイドの磁性の研究
第68回応用物理学会学術講演会(2007年9月5日、北海道工業大学),合同セッションE「スピントロニクス・ナノマグネティクス

籔内真、小野行徳、永瀬雅夫、影島博之、藤原聡、太田英二:
シリコン結晶中マンガンナノシリサイドの強磁性
第68回応用物理学会学術講演会(2007年9月5日、北海道工業大学),合同セッションE「スピントロニクス・ナノマグネティクス」

猪川洋,中北要佑、西口克彦,小野行徳、藤原聡:
3ゲート細線MOSFETによるチャージポンプ動作の検討
第54回 応用物理学関係連合講演会(2007年3月29日、青山学院大学),半導体A(シリコン);Siデバイス/集積化技術

西口克彦、藤原聡、小野行徳、山口浩司、猪川洋、高橋庸夫:
シリコン・ナノトランジスタを用いた赤外線検出
第54回 応用物理学関係連合講演会(2007年3月29日、青山学院大学),半導体A(シリコン);Siデバイス /集積化技術

小野行徳、西口克彦,藤原聡、山口浩司、猪川洋、高橋庸夫:
SOIナノトランジスタにおける少数アクセプターによるコンダクタンス変調
第54回 応用物理学関係連合講演会(2007年3月27日、青山学院大学),半導体A(シリコン);Siデバイス /集積化技術

H.W. Liu、藤澤利正、猪川洋、小野行徳、藤原聡、平山祥郎:
シリコン二重量子ドットの単一電子輸送
物理学会春期年次大会(2007年3月18日、鹿児島大学

籔内真、影島博之、小野行徳、永瀬雅夫、藤原聡、太田英二:
第一原理計算によるSi結晶中MnSi1.7微粒子の強磁性の検討
半導体スピン工学の基礎と応用(2007年2月20日、大阪大学)

開澤拓弥、有田正志、藤原 聡、小野行徳、山崎謙治、猪川洋、高橋庸夫:
Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス
電子情報通信学会 電子デバイス研究会(2007年2月1日、北海道大学)

2006
平塚一磨、小野行徳、山口浩司、堀口誠二:
SOI MOSFETの閾値電圧に対するリンのイオン化の効果
電気関係学会東北支部連合大会(2006月8月31日、東北大学)

後藤東一郎、猪川洋、住友弘二、永瀬雅夫、小野行徳、鳥光慶一:
分子デバイス用ナノギャップ電極に対するUVオゾン処理の影響
第67回応用物理学会学術講演会(2006年8月30日、立命館大学),有機分子・バイオエレクトロニクス;評価・基礎物性

ダニエルモラル、小野行徳,猪川洋、横井清人、ラトノニュラディ、田部道晴:
PドープSiナノワイヤにおける単電子転送
第67回応用物理学会学術講演会(2006年8月29日、立命館大学),半導体A(シリコン);Siデバイス/集積化技術

小野行徳、J.-F. Morizur、西口克彦、高品圭、山口浩司、堀口誠二、高橋庸夫:
リンドープSOI MOSFETにおける不純物伝導
第67回応用物理学会学術講演会(2006年8月29日、立命館大学),半導体A(シリコン);Siデバイス/集積化技術

小野行徳、西口克彦,高品圭、堀口誠二、猪川洋、高橋庸夫:
リンドープNチャンネルSOIMOSFET伝導特性のドーパント濃度依存性(2)
第53回 応用物理学関係連合講演会(2006年3月26日、武蔵工業大学),半導体A(シリコン);Siデバイス/集積化技術

H.W. Liu、藤澤利正、小野行徳、藤原聡、猪川洋、平山祥郎:
MOSトランジスタで形成されたシリコン二重量子ドットにおけるエネルギー準位間の共鳴トンネル
第53回 応用物理学関係連合講演会(2006年3月24日、武蔵工業大学),半導体A(シリコン);Siデバイス/集積化技術

西口克彦、藤原聡、小野行徳、猪川洋、高橋庸夫:
MOSFET技術による単一電子伝送と検出を利用した情報処理回路の室温動作
第53回 応用物理学関係連合講演会(2006年3月24日、武蔵工業大学),半導体A(シリコン);Siデバイス/集積化技術

2005
平塚一磨、小野行徳、猪川洋、堀口誠二:
極薄SOI MOSFETの閾値電圧に対するリンのイオン化の効果
応用物理学会 東北支部大会(2005月12月8日、秋田大学)

高品圭、ブルンマークオレル、モードダンカン、太田剛、藤原聡、小野行徳、猪川洋、高橋庸夫、平山祥郎:
シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ
物理学会秋期年次大会(2005年9月19日、同志社大学)

西口克彦、Olivier Crauste、生津英夫、堀口誠二、小野行徳、藤原聡、高橋庸夫、猪川洋:
SOIトレンチ構造中のクーロンブロッケード現象に対する基板電圧効果
第66回応用物理学会学術講演会(2005年9月10日、徳島大学),半導体A(シリコン);Siデバイス/集積化技術

小野行徳、西口克彦、堀口誠二、高橋庸夫、猪川洋:
リンドープNチャネルSOI MOSFET伝導特性のドーパント濃度依存性
第66回応用物理学会学術講演会(2005年9月9日、徳島大学),半導体A(シリコン);Siデバイス/集積化 技術

高品圭、小野行徳、藤原聡、猪川洋、高橋庸夫、平山祥郎:
SIMOX MOSFETにおける谷分離の効果と制御
第66回応用物理学会学術講演会(2005年9月7日、徳島大学),半導体A(シリコン);基礎物性・評価

西口克彦、猪川洋、小野行徳、藤原聡、高橋庸夫:
シリコン・ナノデバイスによる室温での単電子転送と検出
第52回 応用物理学関係連合講演会(2005年4月1日、埼玉大学),半導体A(シリコン);Siデバイス/集積化技術

ザイナル・ブルハヌディン、ラトノ・ヌルヤディ、石川靖彦、小野行徳、田部道晴:
極薄SOI(111)層の熱凝集によるSi細線およびアイランド形成
第52回 応用物理学関係連合講演会(2005年3月31日、埼玉大学),半導体A(シリコン);Siプロセス技術

神崎賢一、Aravin Dvijayaraghavan、鈴木哲、小林慶裕、猪川洋、小野行徳
単層カーボンナノチューブデバイスの作製とその輸送特性における電子線照射効果
第52回 応用物理学関係連合講演会(2005年3月30日、埼玉大学),合同セッションF「カーボンナノチューブの基礎と応用」

2004
藤原聡、Neil Zimmerman、小野行徳、猪川洋、高橋庸夫:
シリコン細線MOS構造を用いた単一電子転送とその高周波動作
第65回応用物理学会学術講演会(2004年9月1日、東北学院大学),応用物性;ナノエレクトロニクス

石川靖彦、今井泰宏、池田浩也、小野行徳、田部道晴:
SOI 細線の熱凝集現象におけるパターン加工プロセスの影響
第65回応用物理学会学術講演会(2004年9月3日、東北学院大学),半導体A(シリコン);Siプロセス技術

西口克彦、猪川洋、小野行徳、藤原聡、高橋庸夫:
単一電子転送による多値メモリ
第65回応用物理学会学術講演会(2004年9月1日、東北学院大学),半導体A(シリコン);Siデバイス/集積化技術

小野行徳、西口克彦、猪川洋、堀口誠二、高橋庸夫:
SOI MOSFET中のリンドナーの荷電状態制御
第65回応用物理学会学術講演会(2004年9月3日、東北学院大学),半導体A(シリコン);Siデバイス/集積化技術

 山内一晃、山本智寛、石川靖彦、小野行徳、池田浩也、田部道晴:
欠陥アレイを有するSOI層の形成とAFM観察
第51回 応用物理学関係連合講演会(2004年3月30日、東京工科大学),半導体A(シリコン);Siプロセス技術

西口克彦、猪川洋、小野行徳、藤原聡、高橋庸夫:
電界閉じ込め単電子箱による多値メモリ
第51回 応用物理学関係連合講演会(2004年3月28日、東京工科大学),半導体A(シリコン);Siデバイス/集積化技術

Sang Jin Kim、小野行徳、藤原聡、Jung Bun Choi:
シリコン単電子トランジスタの単電子輸送の実時間観察
第51回 応用物理学関係連合講演会(2004年3月28日、東京工科大学),半導体A(シリコン);Siデバイス/集積化技術

2003
小野行徳、山崎謙治、林順三、高橋庸夫:
シリコン二重ゲート単電子トランジスタを用いたターンスタイル動作
第64回応用物理学会学術講演会(2003年9月1日、福岡大学),半導体A(シリコン);Siデバイス/集積化 技術

小野行徳、山崎謙治、林順三、高橋庸夫:
シリコン単電子ポンプ
第50回 応用物理学関係連合講演会(2003年3月27日、神奈川大学),半導体A(シリコン);Siデバイス/集積化技術

小野行徳、高橋庸夫:
シリコン単電子ポンプの転送精度
第50回 応用物理学関係連合講演会(2003年3月27日、神奈川大学),半導体A(シリコン);Siデバイス/集積化技術

2002
小野行徳、猪川洋、高橋庸夫:
単電子パストランジスタ論理加算器のキャリー伝搬
第63回応用物理学会学術講演会(2002年9月26日、新潟大学),応用物性;ナノエレクトロニクス

小野行徳、高橋庸夫:
多入力ゲート単電子トランジスタを用いた加算器の構成法
第49回 応用物理学関係連合講演会(2002年3月28日、東海大学),合同セッションC「Siナノ・デバイス」

2001
小野行徳、林順三、山崎謙治、高橋庸夫:
シリコン単電子トランジスタにおける負性微分コンダクタンスの観測とその回路応用
第62回応用物理学会学術講演会(2001年9月12日、愛知工業大学),合同セッションC「Siナノ・デバイス」

小野行徳、高橋庸夫:
単電子パストランジスタ論理を用いた半加算器動作の実証
第48回 応用物理学関係連合講演会(2001年3月28日、明治大学),合同セッションC「Siナノ・デバイス」

小野行徳、高橋庸夫:
単電子パストランジスタ論理を用いた半加算器動作の実証
電子情報通信学会 電子デバイス研究会(2001年3月1日、北海道大学)

2000
小野行徳、高橋庸夫、村瀬克実:
V-PADOX法を用いた高い電圧利得を有する単電子トランジスタの作製
第61回応用物理学会学術講演会(2000年9月4日、北海道工業大学),合同セッションC「Siナノ・デバイス」

小野行徳、高橋庸夫、山崎謙治、永瀬雅夫、生津英夫、栗原健二、村瀬克実:
シリコンCMOS型単電子インバーター
第47回 応用物理学関係連合講演会(2000年3月29日、青山学院大学),合同セッションC「Siナノ・デバイス」

小野行徳、高橋庸夫、山崎謙治、永瀬雅夫、生津英夫、栗原健二、村瀬克実:
シリコン相補型単電子インバーター
電子情報通信学会 電子デバイス研究会(2000年2月9日、北海道大学)