2019
招待講演
小野行徳：
シリコンにおける電子̶電子散乱を用いたエレクトロン・ナノ・アスピレーター
2019年電子情報通信学会ED・CPM・SDM共催 平成31年度5月研究会
『機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術』
（2019年5月16日、静岡大学創造科学技術大学院）
2018
招待講演
堀匡寛, 小野行徳：
チャージポンピングEDMR 法を用いたSiO2/Si 界面の欠陥検出
2018 年日本表面真空学会中部支部研究会『Si 表面・界面・ナノ構造の研究最前線』
（2018年11月30日、静岡大学創造科学技術大学院）
土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳：
チャージポンピング法によるSi/SiO2界面近傍酸化膜トラップの評価
第65回応用物理学会春季学術講演会
（2018年3月17日-20日、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京都）
堀匡寛, 土屋敏章, 小野行徳：
チャージポンピングEDMR法によるシリコンMOS界面の欠陥検出
第65回応用物理学会春季学術講演会
（2018年3月17日-20日、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京都）
安藤克哉, 堀匡寛, 土屋敏章, 小野行徳：
チャージポンピングEDMR法における信号強度の温度依存性評価
第65回応用物理学会春季学術講演会
（2018年3月17日-20日、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京都）
渡邉時暢, 多胡友, 杉浦史悦, 堀匡寛, 小野行徳, 塚本裕也, 大見俊一郎：
PtHfSi/p-Si(100)ショットキー接合の低温特性
平成29年度生体医歯工学共同研究拠点成果報告会
（2018年3月9日、東京工業大学すずかけ台キャンパス、横浜市）
渡邉時暢, 堀匡寛, 小野行徳：
Silicon-on-insulatorデバイスにおける低温チャージポンピング
シリコン材料・デバイス研究会（ＳＤＭ）
（2018年2月28日、北海道大学百年記念館、札幌市）
2017
第10回（2017秋季応物学会）Poster Award受賞
M. Hori, T. Tsuchiya, Y. Ono：
Charge-pumping electrically-detected magnetic resonance for detection of silicon dangling bonds
(2017年9月7日、福岡国際センター、福岡市）
依頼公演
小徳野行, 堀匡寛, 土屋敏章：
シリコンにおけるチャージポンプー電荷とスピンの室温極限操作に向けてー
第29回シリサイド系半導体研究会（2017年3月17日、八洲学園大学、横浜市）
渡邉時暢, 堀匡寛, 土屋敏章, 藤原聡, 小野行徳:
Silicon-on-insulator MOS デバイスにおける実時間チャージポンピングの応用
第64回応用物理学会春季学術講演会（2017年3月15日、パシフィコ横浜、横浜市）16a-412-10
T. Hasan, A. Samanta, A. Afiff, L. T. Anh, M. Manoharan, M. Hori, Y. Ono, H. Mizuta, M. Tabe, D. Moraru:
Study of Stability of A-few-donor Quantum Dots with Different Configurations for Room-Temperature Single-Electron Tunneling Operation
第64回応用物理学会春季学術講演会（2017年3月15日、パシフィコ横浜、横浜市）15p-P15-3
G. Prabhudesai, L. T. Anh, M. Shibuya, M. Manoharan, M. Hori, Y. Ono, H. Mizuta, M. Tabe, D. Moraru:
Study of Electron Localization Effects in Donnor-Acceptor Pairs in Low-Dimensional Si Tunnel Diodes
第64回応用物理学会春季学術講演会（2017年3月15日、パシフィコ横浜、横浜市）15ｐ-P15-4
渡邉時暢, 堀匡寛, 小野行徳:
SOI MOS p-i-nダイオードの低温チャージポンピング
電子情報通信学会研究会（2017年2月24日、北海道大学百年記念会館、札幌市）
2016
依頼公演
小野行徳:
Single-dopant transistor and pump-Interplay with single phonon–
電気学会「ナノエレクトロニクス新機能創出・集積化技術」調査専門委員会
フォノンエンジニアリング講演会（2016年11月11日、早稲田大学喜久井町キャンパス、新宿区）
優秀論文賞受賞記念講演
土屋敏章, 小野行徳：
Charge pumping current from single Si/SiO2 interface traps: Direct observation of Pb centers and fundamental trap-counting by the charge pumping method.
第77回応用物理学会秋季学術講演会（2016年９月13日-16日、朱鷺メッセ、新潟市）
堀匡寛, 成松諒一, 土屋敏章, 小野行徳:
高感度チャージポンピングＥＤＭＲ法の開発
第77回応用物理学会秋季学術講演会（2016年９月13日-16日、朱鷺メッセ、新潟市）,半導体, デバイス/集積化技術 14a-B13-5
Daniel loan Moraru, Mitsuki Shibuya, Ratno Nuryadi, Masahiro Hori, Yukinori Ono, MIchiharu Tabe:
Analysis of phonon assistance as a function of temperature in inter-band tunneling in 2D Si lateral Esaki diodes
第77回応用物理学会秋季学術講演会（2016年９月13日-16日、朱鷺メッセ、新潟市）,半導体,ナノ構造・量子現象 16a-A26-1-7
2013
渡辺時暢，堀匡寛，土屋敏章，小野行徳：
実時間チャージポンピング法の開発
第61回 応用物理学会春季学術講演会（2013年3月20日、青山学院大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集 積化技術 20p-F12-3
福本展大, 小野行徳, 堀匡寛, 森脇成典, 三尾典克：
電子スピン共鳴を用いたKAGRAサファイアミラーの吸収測定
第60回 応用物理学関係連合講演会（2013年3月28日、神奈川工科大学），結晶評価、ナノ不純物、結晶欠陥 28p-PA3-5
2011
後藤東一郎，猪川洋，小野行徳，藤原聡，鳥光慶一：
フェニル系分子素子の温度特性
第72回応用物理学会学術講演会（2011年9月1日、山形大学），有機分子・バイオエレクトロニクス；評価･基礎物性
小松原彰，堀匡寛，熊谷国憲，小野行徳，谷井孝至，遠藤哲郎，大泊巌，品田賢宏：
砒素イオン注入によるドーパント位置制御効果
第72回応用物理学会学術講演会（2011年9月1日、山形大学），半導体A（シリコン）；プロセス技術
堀匡寛，E. Prati，F. Guagliardo，小野行徳，小松原彰，熊谷国憲，谷井孝至，遠藤哲郎，大泊巌，品田賢宏：
単一イオン注入法による位置と個数を制御したデバイスの低温伝導特性評価
第72回応用物理学会学術講演会（2011年9月1日、山形大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術
アンワル ミフタフル，R. Nowak，小野行徳，D. Moraru，水野武志，リシャルド ヤブロンスキ，田部道晴：
H2 annealing effects on surface potential of As-implanted Si measured by KFM
第72回応用物理学会学術講演会（2011年9月1日、山形大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術
小野行徳, 藤原聡：
低ドースイオン注入領域におけるシリコン中砒素のESR 観察
第58回 応用物理学関係連合講演会（2011年3月25日、神奈川工科大学），半導体A（シリコン）；Siプロセ ス技術
堀匡寛, 品田賢宏, 平圭吾, 小松原 彰, 小野行徳, 谷井孝至, 遠藤哲郎, 大泊巌：
ドーパント位置制御による電界効果トランジスタの相互コンダクタンス評価
第58回 応用物理学関係連合講演会（2011年3月25日、神奈川工科大学），半導体A（シリコン）；Siプロセス技術
2010
新井田佳孝, 高品圭, 小野行徳, 藤原聡, 平山祥郎：
シリコン二次元電子系における谷偏極状態での金属絶縁体相転移
物理学会秋期年次大会（2010年9月24日、大阪府立大学）
堀匡寛, 小松原彰, 品田賢宏, 小野行徳, 平 圭吾, 谷井孝至, 遠藤哲郎, 大泊巌：
基板バイアス印加による単一イオン個数制御性の検証
第71回応用物理学会学術講演会（2010年9月16日、長崎大学），半導体A（シリコン）；Siプロセス技術
登坂仁一郎，西口克彦，小野行徳，影島博之, 藤原聡：
薄層SOI-MOSFET の電流注入発光における巨大Stark 効果
第71回応用物理学会学術講演会（2010年9月17日、長崎大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術
M. Anwar, D. Moraru, M. Ligowski, Y. Kawai, T. Mizuno, R. Jablonski, Y. Ono, M. Tabe：
KFM Observation of Single-Electron Filling in Individual Dopants
第71回応用物理学会学術講演会（2010年9月17日、長崎大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術
新井田佳孝, 高品圭, 小野行徳, 藤原聡, 村木康二, 平山祥郎：
ダブルゲートSiMOSFET中の電子・正孔移動度とSi/SiO2界面状態
物理学会春期年次大会（2010年3月27日、立教大学）
登坂仁一郎，西口克彦，小野行徳，影島博之, 藤原聡：
ゲートトンネル分光による薄膜SOI-MOSFET内サブバンド観測
第57回 応用物理学関係連合講演会（2010年3月17日、東海大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術
小野行徳，モハメド カラファラ, 藤原 聡：
インジウムをドープしたSOI pMOSFET の低温特性
第57回 応用物理学関係連合講演会（2010年3月17日、東海大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術
川合雄也, M. アンワル, 三木早樹人, 小野 行徳, D. モラル, 水野 武志, 田部 道晴：
Si中に低加速イオン注入したAsの低温KFM観察
第57回 応用物理学関係連合講演会（2010年3月20日、東海大学），半導体A（シリコン）；半導体表面
後藤東一郎, 猪川洋, 小野行徳, 藤原聡, 鳥光慶一：
フェニル系共役分子を用いた単一分子素子の伝導特性
第57回 応用物理学関係連合講演会（2010年3月19日、東海大学），有機分子・バイオエレクトロニクス；評 価・基礎物性
西口克彦，小野行徳, 藤原 聡：
ナノMOSFETショットノイズの単一電子計数統計
第57回 応用物理学関係連合講演会（2010年3月17日、東海大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術