研究目標 当研究室では、将来のエレクトロニクスに変革をもたらす革新型デバイスの創出を念頭に、 シリコン中の局在準位に付随する、単一電荷、単一スピン、単一フォノンの制御技術を研究しています。 現在は、以下の2項目にフォーカスしています。 1.電子正孔再結合過程の高感度検出技術の開発とこれを用いた単一電荷、単一スピン制御 2.高感度非弾性トンネル分光法の開発とこれを用いた単一フォノン制御