カテゴリー: 受賞

IVESC2023にて岸本 透弥君(M2)が Outstanding student poster presentations award を受賞しました。  

山本　将也(M2)が電子情報通信学会 総合大会にて招待講演を行います。 Si基板上h-BN直接成膜技術とGraphene/h-BN構造を利用した平面型電子源の開発 ◎山本将也（静岡大/産総研）・村田博雅・長尾昌善（産総研続きを読む

山本将也(M2)が第53回（2022年秋季）応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。 21p-C306-3 Si基板上h-BN直接成膜技術とgraphene/h-BN/Si積層型平面電子源の開発 山本将也（静岡大/産総研）続きを読む

山本将也(M2)が令和四年度電子デバイス研究会論文発表奨励賞を受賞しました。 “h-BNのSi基板上低温成膜技術の開発とgraphene/h-BN/Si積層型平面電子放出デバイスへの応用” 山本将也（静岡大/産総研）・村続きを読む