・PbTe/PbSnTe系超格子をホットウォールエピタキシー（HWE)法により作製し、波長7～30μmの長波長赤外領域においてタイプIIヘテロ構造に起因する強いバンド間赤外吸収が得られることを確認した。Appl. Phys.Lett. Vol. 113, 072103 (2018) に掲載された。（Editor’s pick）　→　長波長バンド間遷移カスケードレーザや長波長赤外線検出器への応用が期待される。

・Si基板上へのPbSrS/PbS光励起ショートキャビティレーザの作製に成功　Appl. Phys. Lett.  Vol. 111, 161104 (2017)に掲載された。 pn接合型レーザダイオードにより、高効率シングルモード動作が期待される。

・PbS/GeTe多層構造のPb-Ge相互拡散により、GeS（アモルファス）/PbTe（エピタキシャル

）超格子を作製。アモルファス層の導入による熱伝導率の低減を確認。

 Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 55, 081201 (2016).

・IV-VI族半導体の格子熱伝導率低減による究極的熱電変換効率を理論計算

AIP Advances Vol.　5, 107135 (2015).

・PbSrS/PbS 多重量子井戸外部共振器面発光レーザ（VECSEL)からの高効率・高出力レーザ動作に成功.  Appl. Phys. Lett. Vol. 99, 121109 (2011).