Yuri Takahashi announced “BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価”At the 79th Annual Meeting of the Japan Society for Applied Physics held at the Nagoya International Conference Hall on 18th to 21st September 2018 and was awarded.

高橋 祐吏、丸山 貴之、山田 夏暉、江原 一司、望月 健、中川 央也、宇佐美 茂佳、本田 善央、天野 浩、小島 一信、秩父 重英、井上 翼、青木 徹、中野 貴之、“BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価”、第79回応用物理学会秋季学術講演会、20p-PB5-64、名古屋国際会議場、2018年9月18‐21日