International
[1] Takahiro Kikuchi, Hidenori Mimura, Yoku Inoue, Kentaro Ishikawa, Tauto Nakanishi, Takeshi Shimogushi, Takayuki Nakano, “The suggestion of Hydride Vapor Phase Nucleation as novel CNT growth method”, 4th international Symposium for Promotion of Interdisciplinary Domain Research, Po-24, 1-2 December 2014, GRANSHIP, Shizuoka, Japan
[2] Kohei Hayashi, Tauto Nakanishi, Kentarao Ishikawa, Takeshi Shimoguchi, Yoshinobu Shimamura, Hidenori Mimura, Takayuki Nakano, Yoku Inoue “Control of electrical and Mechanical property of MWCNT yarn”, 4th international Symposium for Promotion of Interdisciplinary Domain Research, P-23, 1-2 December 2014, GRANSHIP, Shizuoka, Japan
[3] M. Sugiura, K. Atsumi, Y. Inoue, H. Mimura, T. Aoki, T. Nakano, “Evaluation of Radiation Detection Characteristic for GaN Semiconductor Material”, IEEE Nuclear Science symposium &Medical Imaging Conference; 21st Symposium on Room-Temperature Semiconductor X-ray and Gamma-ray Detectors, R05-3, 8-15 November 2014, Washington State Convention Center, Seattle, WA USA
[4] Takayuki Nakano, Yoku Inoue, Hidenori Mimura, Toru Aoki, “Fabrication and Development of BGaN Device for the Novel Neutron Semiconductor Detector”, IEEE Nuclear Science symposium &Medical Imaging Conference; 21st Symposium on Room-Temperature Semiconductor X-ray and Gamma-ray Detectors, J01-5, 8-15 November 2014, Washington State Convention Center, Seattle, WA USA, (Invited talk)
[5] Takayuki Nakano, Yoku Inoue, Hidenori Mimura, Toru Aoki, “Fabrication of BGaN semiconductor device for neutron detection”, The 21st International of The Society of Pure and Applied Coordination Chemistry (SPACC) Symposium, October 31 – November 3, 2014, Shinjuku, Tokyo, Japan, (Invited talk)
[6] K. Kuze, Y. Fujita, H. Mimura, Y. Inoue and T. Nakano; “The investigation of optical characteristic of GaN double polarity selective area growth by using MOVPE”, The 8th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014), TuGP25, August 24-29, 2014, Wroclaw, Poland
[7] K. Ueyama, K. Atsumi, H. Mimura, Y. Inoue, T. Aoki and T. Nakano, “Improved BGaN epitaxial growth for the neutron detection device”, The 8th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014), WeGP11, August 24-29, 2014, Wroclaw, Poland
[8] Hiroki Nagai, Takayuki Nakano, Shohei Mita, Tomohiro Yamaguchi, Ichiro Takano, Tohru Honda, Mitsunobu Sato; “Fabrication of copper thin films using the solution based method”, The Third International Conference on Materials, Science and Environments (ICMEE’14), OR-87 (invited), July 01-03, 2014, Honolulu, Hawaii, USA, (Invited talk)
[9] Takayuki Nakano, Hidenori Mimura, Yoku Inoue, Toru Aoki; “Investigation of novel neutron detector by using BGaN semiconductor material”, The Third International Conference on Materials, Science and Environments (ICMEE’14), IN-4 (invited), July 01-03, 2014, Honolulu, Hawaii, USA, (Invited talk)
[10] K. Kuze, Y. Fujita, H. Mimura, Y. Inoue, and T. Nakano; “The Evaluation of Optical Characteristic of GaN Double Polarity Selective Area Growth by Using MOVPE”, the Second Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA ’14), LEDp6-11, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan, April 22 – 24, 2014
[11] K.Ueyama, K. Atsumi, H. Mimura, Y. Inoue, T. Aoki, and T. Nakano; “Examination of on the Influence of Boron Flow Rate and Substrate in BGaN Epitaxial Growth”, the Second Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA ’14), LEDp6-1, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan, April 22 – 24, 2014
Domestic
[1] 杉浦睦仁、久志本真希、光成 正、山下康平、本田善央、天野浩、三村秀典、井上翼、青木徹、中野貴之、” GaNダイオードの放射線検出特性評価“、第62回応用物理学会春季学術講演会、12a-B1-3、東海大学湘南キャンパス、2015年3月11-14日
[2] 久瀬健太、井上翼、中野貴之、“GaN両極性同時成長におけるV/III比依存性の検討”、第62回応用物理学会春季学術講演会、12p-P16-3、東海大学湘南キャンパス、2015年3月11-14日
[3] 佐孝佳祐、三村秀典、中野貴之、井上翼、“一方向配向CNTによる導電性CNT/樹脂複合材料”、第41回炭素材料学会年会、1C04、大野城まどかぴあ、2014年12月8-10日
[4] 柴田欣樹，中野貴之，三村秀典，島村佳伸，後藤健，小笠原俊夫，井上翼、“一方向配向CNT/エポキシ複合材料の電気特性”、第41回炭素材料学会年会、1C05、大野城まどかぴあ、2014年12月8-10日
[5] 村上慶太，中野貴之，井上翼，三村秀典，石川健太郎，中西太宇人，下口賦，知久典和、“カーボンナノチューブ紡績糸を用いたX線源応用”、第41回炭素材料学会年会、1C08、大野城まどかぴあ、2014年12月8-10日
[6] 菊地貴裕，三村秀典，井上翼，石川健太郎，中西太宇人，下口賦，中野貴之、“HVPN法を用いた紡績性CNTアレイ合成技術の開発”、第41回炭素材料学会年会、1C09、大野城まどかぴあ、2014年12月8-10日
[7] 林航平，中西太宇人，石川健太郎，下口賦，三村秀典，中野貴之，井上翼、“多層カーボンナノチューブ紡績糸の機械特性及び電気特性に関する研究”、第41回炭素材料学会年会、1C12、大野城まどかぴあ、2014年12月8-10日
[8] 林航平，島村佳伸，中西太宇人，石川健太郎，下口賦，三村秀典，中野貴之，井上翼、“多層カーボンナノチューブ紡績糸の電気特性及び機械特性の制御”、第30回宇宙構造材料シンポジウム、B04、宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所相模原キャンパス、2014年12月1日
[9] 上山浩平，渥美勝浩，三村秀典，井上翼，青木徹，中野貴之,” BGaN成長における基板off角度依存性”、 、第3回結晶工学未来塾、No.07、学習院創立百周年記念会館、2014年11月13日
[10] 上山浩平，渥美勝浩，三村秀典，井上翼，青木徹，中野貴之,” BGaN成長における基板依存性の検討”、第75回応用物理学会秋季学術講演会、17a-C5-2、北海道大学、2014年9月17-20日
[11] 杉浦睦仁，久志本真希，光成正，山下康平，本田善央，天野浩，三村秀典，井上翼，青木徹，中野貴之、“GaNにおける放射線検出特性の実験的評価”、第75回応用物理学会秋季学術講演会、17p-B2-13、北海道大学、2014年9月17-20日
[12] 久瀬健太，藤田陽平，井上翼，中野貴之、” MOVPE法を用いたGaN両極性同時成長における極性界面形成メカニズムの検討“、第75回応用物理学会秋季学術講演会、18a-C5-5、北海道大学、2014年9月17-20日
[13] 柴田欣樹，中野貴之，三村秀典，島村佳伸，後藤健，小笠原俊夫，井上翼，” 高配向長尺CNT/樹脂複合材料の電気伝導特性”， 第75回応用物理学会秋季学術講演会、19p-B1-12、北海道大学、2014年9月17-20日
[14] 林航平、中西太宇人、石川健太郎、下口賦、島村佳伸、三村秀典、中野貴之、井上翼、” 多層カーボンナノチューブ紡績糸の電気特性及び機械特性の制御”、 第39回複合材料シンポジウム、C2-05、秋田大学理工学部、2014年9月18-19日
[15] 佐孝佳祐、矢代茂樹、島村佳伸、三村秀典、中野貴之、井上翼、” 高度配向CNTシートを用いたCNT複合材料歪センサの開発”、 第39回複合材料シンポジウム、C2-06、秋田大学理工学部、2014年9月18-19日
[16] 久瀬健太, 藤田陽平, 井上翼, 中野貴之, ” MOVPE 法を用いた両極性同時成長GaN の極性界面近傍における光学特性評価”, 第6 回窒化物半導体結晶成長講演会, Fr-11, 名城大学天白キャンパス, 2014年7月25-26日
[17] 上山浩平, 渥美勝浩, 三村秀典, 井上翼, 青木徹, 中野貴之, “BGaN 成長における基板および原料供給量の依存性評価”, 第6 回窒化物半導体結晶成長講演会, St-7, 名城大学天白キャンパス, 2014年7月25-26日
[18] K. Kuze, Y. Fujita, H. Mimura, Y. Inoue and T. Nakano; “The optical characteristic evaluation of the Ga and N polarity interface at double polarity selective area growth GaN by MOVPE”, 33th Electronic Materials Symposium (EMS33), Th3-8, Laforret Suzenji, Izu, July 9-11, 2014
[19] K. Ueyama , K. Atsumi , H. Mimura , Y. Inoue , T. Aoki and T. Nakano, “Improvement of BGaN epitaxial growth with controlled GaN substrate orientation”, 33th Electronic Materials Symposium (EMS33), Th3-9, Laforret Suzenji, Izu, July 9-11, 2014
[20] 中野貴之、“Ⅲ族窒化物半導体を用いた中性子半導体検出器の作製と結晶成長技術の開発”、第7回超領域研究会、静岡大学浜松キャンパス、2014年6月20日