International
[1] Takayuki Nakano, Toru Aoki, Masatomo Sumiya, and Shunro Fuke; “Development of GaN polarity inversion epitaxial growth by using Mg doping GaN MOVPE”, 12th International Young Scientists Conference “Optics & High Technology Material Science –SPO 2011”, I-1, Kyiv, Ukraine, 27-30 October, 2011, (Invited talk)
[2] Toru Aoki, Akifumi Koike, Hisashi Morii, Takaharu Okunoyama, Takahiro Nishioka, Toshitaka Yamakawa, Takayuki Nakano, Yoichiro Neo, Hidenori Mimura; “Nanovision science detection of X-ray photons and neutrons”, 12th International Young Scientists Conference “Optics & High Technology Material Science –SPO 2011”, I-1, Kyiv, Ukraine, 27-30 October, 2011, (Invited talk)
[3] Takayuki Nakano, Tsuyoshi Tachi, Katsutoshi Iwase, Tsutomu Nogi, Toru Aoki, Masatomo Sumiya, and Shunro Fuke; “Development of GaN inversion epitaxial growth by using Mg doping GaN MOVPE”, 10th International Conference on Global Research and ducation (inter-academia2011, iA2011), O5.1, Sucevita, Romania, 26-29 September, 2011
[4] Hisashi Kaneko, Takahiro Nishioka, Aki Miyake, Toru Aoki, Takayuki Nakano; “Growth of GaGdN by MOVPE for semiconductor neutron detector”, 2011 SPIE Optics + Photonics, San Diego Convention Center, San Diego, California, USA, 21–25 August, 2011, 8412-50
[5] Takayuki Nakano, Toshikatu Iwase,Tsuyoshi Tachi, Toru Aoki, Masatomo Sumiya, and Shunro Fuke; “Development and analysis of polarity inversion GaN MOVPE by using Mg-doping”, 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9), SECC, Glasgow, Scotland, 10 – 15 July, 2011, PB2.40
Domestic
[1] 金子寿，西岡孝浩，渥美勝浩，三宅亜紀，青木徹，中野貴之、“BGaNを用いた中性子半導体検出器の開発”、第59回応用物理学関係連合講演会、17p-C3-5、早稲田大学、2012年3月17日
[2] 舘毅、岩瀬賢俊、野木努、青木徹、中野貴之、角谷正友、福家俊郎、” GaN極性反転結晶成長におけるMg表面偏析効果の解明”、 第72回応用物理学会学術講演会、31p-ZE-8、山形大学、2011年8月29-9月1日
[3] 西岡孝浩，金子寿，三宅亜紀，シン シャイレンドラ，森井久志，中野貴之，根尾陽一郎，三村秀典，青木徹，“GdGaN半導体を用いた中性子検出Ⅱ”，第72回応用物理学会学術講演会、31p-T-6、山形大学、2011年8月29-9月1日
[4] 舘毅、岩瀬賢俊、野木努、青木徹、中野貴之、角谷正友、福家俊郎、”MgドープGaN極性反転結晶における極性成長メカニズムの解明”、第3回窒化物半導体結晶成長講演会、P2-3、九州大学筑紫キャンパス、2011年6月18日