カテゴリー: What’s New

We participated in the 33th JSAP summer school 2021 held online meeting on August 18-19, 2021.
There were two presentations from our laboratory as follows.

[1] 松川真也、宮澤篤也、林幸佑、川崎晟也、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之、“厚膜BGaNデバイスに向けた結晶成長技術の開発およびデバイス特性評価”2021年次世代放射線シンポジウム、No. 26、オンライン、2021年8月19-20日

[2] 宮澤篤也、松川真也、林幸佑、中川央也、川崎晟也、若林源一郎、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之、“BGaN中性子検出器における結晶成長圧力が及ぼす影響の評価”2021年次世代放射線シンポジウム、No. 23、オンライン、2021年8月19-20日

We participated in the 68th JSAP spring meeting 2021 held online meeting on March 16-19, 2021.
There were three presentations from our laboratory as follows.

[1] 松川 真也、太田 悠斗、宮澤 篤也、中川 央也、川崎 晟也、安藤 悠人、本田 善央、天野 浩、井上 翼、青木 徹、中野 貴之、“厚膜BGaN結晶成長におけるGaN中間層の影響およびデバイス特性評価”、 第68回応用物理学会春季学術講演会、18a-Z11-10、オンライン開催、2021年3月16-19日

[2] 宮澤 篤也、太田 悠斗、松川 真也、林 幸佑、中川 央也、川崎 晟也、安藤 悠人、本田 善央、天野 浩、嶋 紘平、小島 一信、秩父 重英、井上 翼、青木 徹、中野 貴之、“BGaN 中性子検出器における結晶品質およびデバイス構造が検出特性に与える影響(2)”、 第68回応用物理学会春季学術講演会、18a-Z11-11、オンライン開催、2021年3月16-19日

[3] 石原 弘基、黒瀬 和大、川田 善正、杉田 篤史、井上 翼、中野 貴之、“スラブ導波路型波長変換デバイスに向けたGaN-QPM結晶の作製”、 第68回応用物理学会春季学術講演会、19p-Z27-1、オンライン開催、2021年3月16-19日

We participated in the “The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors” held at the Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University on November 10-15, 2019.
There were two presentations from our laboratory as follows.

[1] Kai Matsuhisa, Yuto Kobayashi, Hiroki Ishihara, Mako Sugiura, Atsushi Sugita, Yoku Inoue, and Takayuki Nakano, “Optical characterization of GaN-QPM crystal fabricated by DP-SAG in
MOVPE”, The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), ThP-GR-11, Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University, Okinawa, Japan, November 10-15 , 2019

[2] Yuri Takahashi, Takayuki Maruyama, Natsuki Yamada, Kazushi Ebara, Yuto Ohta, Hisaya Nakagawa, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Kazunobu Kojima, Shigehusa Chichibu, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano, “Evaluation of BGaN growth temperature dependence and fabrication of neutron semiconductor detectors”, The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), MoP-GR-12, Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University, Okinawa, Japan, November 10-15 , 2019

We participated in the “the 80th JSAP autumn meeting 2019” held at the Hokkaido University Sapporo Campus on September 18-21, 2019.
There were three presentations from our laboratory as follows.

[1] 山田 夏暉、太田 悠斗、高橋 祐吏、丸山 貴之、中川 央也、川崎 晟也、宇佐美 茂佳、本田 善央、天野 浩、井上 翼、青木 徹、中野 貴之、“BGaN半導体中性⼦検出器のチップサイズ⼩型化”、第80回応用物理学会秋季学術講演会、19a-C213-6、北海道大学 札幌キャンパス、2019年9月18‐21日

[2] 清水 勇希、江原 一司、新宅 秀矢、井上 翼、青木 徹、嶋 紘平、小島 一信、秩父 重英、中野 貴之、“H2キャリアガスを⽤いたBGaN結晶成⻑メカニズムの解析”、第80回応用物理学会秋季学術講演会、18a-PB3-40、北海道大学 札幌キャンパス、2019年9月18‐21日

[3] 太田 悠斗、高橋 祐吏、丸山 貴之、山田 夏暉、中川 央也、川崎 晟也、宇佐美 茂佳、本田 善央、天野 浩、嶋 紘平、小島 一信、秩父 重英、井上 翼、青木 徹、中野 貴之、“BGaN結晶成⻑におけるTMB流量依存性の検討および中性⼦検出デバイ スの作製”、第80回応用物理学会秋季学術講演会、20p-PB4-79、北海道大学 札幌キャンパス、2019年9月18‐21日

We participated in the “11th Nanostructure and Epitaxial Growth Lecture” held at the Hiroshima University Higashihiroshima Campus on June 13-15, 2019.
There were three presentations from our laboratory as follows.

[1] 中野貴之、青木徹、“BGaNを用いた中性子半導体検出器の開発”、日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」、Fr-I2、広島大学 東広島キャンパス 学士会館レセプションホール、2019年6月13-15日　(招待講演)

[2] 清水勇希、江原一司、新宅秀矢、井上翼、青木徹、嶋紘平、小島一信、秩父重英、中野貴之、‟BGaN-MOVPE法におけるキャリアガスとホウ素原料の影響”、日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」、Th-P19 、広島大学 東広島キャンパス 学士会館レセプションホール、2019年6月13-15日

[3] 太田悠斗、高橋祐吏、丸山貴之、山田夏暉、中川央也、川崎晟也、宇佐美茂佳、本田善央、天野浩、嶋紘平、小島一信、秩父重英、井上翼、青木徹、中野貴之、‟BGaN結晶成長におけるTMB流量依存性の検討および中性子検出器の開発”、日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」、Fr-P23 、広島大学 東広島キャンパス 学士会館レセプションホール、2019年6月13-15日

We participated in “the 66th JSAP spring meeting 2019” held at Tokyo Institute of Technology Ookayama Campas on March 9 to 12, 2019.
There were two presentations from our laboratory as follows.

[1] 松久 快生、小林 佑斗、杉田 篤、井上 翼、中野 貴之、“両極性同時成長法を用いたGaN-QPM結晶の作製および光学特性評価”第66回応用物理学会春季学術講演会、10p-W541-7、東京工業大学大岡山キャンパス、2019年3月9‐12日

[2] 高橋 祐吏、丸山 貴之、山田 夏暉、江原 一司、太田 悠人、中川 央也、 宇佐美 茂佳、本田 善央、天野浩、小島 一信、 秩父 重英、井上 翼、青木 徹、中野 貴之、“中性子イメージングセンサーに向けたBGaN半導体検出器の開発”第66回応用物理学会春季学術講演会、11p-S622-8、東京工業大学大岡山キャンパス、2019年3月9‐12日

I participated in “IWN 2018” held at Ishikawa prefectural music festival · ANA Crown Plaza Hotel Kaza Kanazawa on November 11 to 16, 2018.
There were three presentations from our laboratory as follows.

[1] Kazushi Ebara, Ken Mochizuki, Yoku Inoue, Toru Aoki, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, and Takayuki Nakano, ”Kinetics analysis of desorption process in BGaN MOVPE”, The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), GR10-5, Ishikawa Ongakudo, ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa, &Motenashi-Dome, Kanazawa, Japan, November 11–16, 2018

[2] Takayuki Maruyama, Yuri Takahashi, Natsuki yamada, Kazushi Ebara, Hisaya Nakagawa, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano, “Fabrication and evaluation of thick BGaN neutron detection diodes”, The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), GR10-4, Ishikawa Ongakudo, ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa, & Motenashi-Dome, Kanazawa, Japan, November 11–16, 2018

[3] Kai Matsuhisa, Hirotaka Yagi, Yoku Inoue, and Takayuki N, “Study of double polarity GaN MOVPE with narrow pitch pattern by V/III ratio contro” The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), GR8-5, Ishikawa Ongakudo, ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa, & Motenashi-Dome, Kanazawa, Japan, November 11–16, 2018