International conference announcement
[1]A.Hayashi, S. Nishikawa, E. Kokubo, G. Wakabayashi, Y. Honda, H. Amano, K. Matsumoto, N. Ito, T. Tanaka, K. Nakahara, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano, “Evaluation of growth temperature dependency in BGaN growth using AlGaN template on QST substrate”, the 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15) 2025, Malmo, Sweden, July 6-11, 2025 (Poster)
[2] Atsuhiro Hayashi, Shun Nishikawa, Kota Matsumoto, Norikazu Ito, Taketoshi Tanaka, Ken Nakahara, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano, “Impact of Buffer Layer in BGaN Growth on QST Substrates”, The 31st International Display Workshops (IDW’24), DXRp1-13, Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan, December 4-6, 2024 (Poster)
Domestic conference announcement
[1] 林敦景、西川瞬、小久保瑛斗、若林源一郎、本田善央、天野浩、松本倖汰、伊藤範和、田中岳利、中原健、 井上翼、青木徹、中野貴之、“AlGaN バッファー層を用いた QST 基板上の BGaN 成長における成長温度依存性評価”、第72回応用物理学会春季学術講演会、16a-K401-9、東京理科大学 野田キャンパス&オンライン、2025年3月14-17日（口頭）
[2] 林敦景、西川瞬、松本倖汰、伊藤範和、田中岳利、中原健、井上翼、青木徹、中野貴之、“QST 基板上への BGaN 成長におけるバッファ層の影響評価”、第85回応用物理学会秋季学術講演会、20a-A24-4、朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンターほか２会場&オンライン、2024年9月16-20日（口頭）