International
[1] Takayuki Nakano, Akira Aoyama, Yasuhiro Goto, Koichiro Okamoto, Shigeru Inoue, Hiroshi Fujioka, “Epitaxial Growth of High Quality AlN by Pulsed Sputtering Deposition”, 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7), Las Vegas, USA, September 17-22, 2007 [2] Shigeru Inoue, Koichiro Okamoto, Takayuki Nakano, Jitsuo Ohta, Hiroshi Fujioka, “Epitaxial Growth of Group III Nitrides on Rh(111) UV Mirrors”, 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7), Las Vegas, USA, September 17-22, 2007 [3] Akira Aoyama, Yasuhiro Goto, Shigeru Inoue, Takayuki Nakano, Hiroshi Fujioka, “Epitaxial Growth of GaN on Lattice-Matched ZrN Buffers Prepared by Pulsed Sputtering Deposition”, 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7), Las Vegas, USA, September 17-22, 2007 [4] Osamu Ichikawa, Noboru Fukuhara, Masahiko Hata, Takayuki Nakano, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano “Characterization of indium segregation in MOVPE-grown InGaP by Schottky barrier height measurement”, The 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG15), S03, Salt Lake City, Utah, USA, August 12 – 17, 2007 [5] S. Inoue, K. Okamoto, T. Nakano, T. W. Kim and H. Fujioka, “Characteristics of GaN Epitaxial Growth on Ag Mirrors”, International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 (IWN2006), TuP1-50, Kyoto, Japan, October 22-27, 2006 [6] K. Okamoto, S. Hirata, S. Inoue, T. Nakano, T. Kim, J. Ohta, H. Fujioka, and M. Oshima, “Epitaxial Growth of Group III nitrides on Bcc Metal Substrates”, International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 (IWN2006), TuP1-42, Kyoto, Japan, October 22-27, 2006 [7] O. Ichiukawa, N. Fukuhara, M. Hata, T. Nakano, M. Sugiyama, Y. Shimogaki, and Y. Nakano, “InGaP –on-GaAs heterointerface profile by FE-AES measurement and its relation to device property”, 13th International Conference on Metal-Organic Vaper Phase Epitaxy (IC-MOVPE13), We-P.99, Miyazaki, Japan, May 22-26,2006 [8] T. Nakano, E. Abe, M. Sugiyama, Y. Nakano, and Y. Shimogaki, “Precise control of GaAs/InGaP interface structure and its abruptness analyzed by S-TEM”, 13th International Conference on Metal-Organic Vaper Phase Epitaxy (IC-MOVPE13), We-B1.4, Miyazaki, Japan, May 22-26,2006 [9] M. Sugiyma, N. Waki, Y. Nobumori, H. Song, T. Nakano, T. Arakawa, Y. Nakano, and Y. Shimogaki, “Control of abnormal edge growth in selective area MOVPE of InP”, 16th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE16), Montana, USA, July 10-15, 2005 [10] Takayuki Nakano，Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano，and Yukihiro Shimogaki “Surface kinetics in MOVPE of InP and InGaP analyzed by flow modulation method”. 17th International Conference on Indium Phosphide and related materials (IPRM’05), WP-20, Glasgow, Scotland, UK, May 8-12,2005 [11] Noriaki Waki, Takayuki Nakano, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki “Role of surface diffusion during Selective Area MOVPE growth of compound semiconductor”. the 3rd Asian Conference on Chemical Vapor Deposition (ACVD3), Taipei, Oct. 12-14, 2004 [12] Takayuki Nakano，Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano，and Yukihiro Shimogaki “The role of the surface adsorption layer during MOVPE growth analyzed by the flow modulation method”. 12th International Conference on Metal-Organic Vaper Phase Epitaxy (IC-MOVPE12), Maui, Hawaii, USA, May 30-June 4, 2004 [13] Takayuki Nakano，Yoshiaki Nakano，and Yukihiro Shimogaki “Optimaization of InGaP/GaAs Interface Structure using Kinetic Ellipsometry in MOVPE”. 13th International Conference on Crystal Growth (ICCG-13), paper 03a-SB1-05, Kyoto, Japan, July 31-August 4, 2001 [14] Takayuki Nakano，Yoshiaki Nakano，and Yukihiro Shimogaki “Kinetic ellipsometry measurement of InGaP/GaAs hetero-interface formation in MOVPE”. 10th International Conference on Metal-Organic Vaper Phase Epitaxy (IC-MOVPE10),We-P16, pp. 228-229, Sapporo, Japan, June 28-30, 2000Domestic
[1] 岡本浩一郎, 井上茂, 中野貴之, 太田実雄, 藤岡洋,石井晃 “Fe(110)基板上AlN成長における面内配向関係決定のメカニズム”，第55回応用物理学関係連合講演会，29p-B-3，日本大学，2008年3月29日 [2] 井上茂, 中野貴之, 小林篤, 岡本浩一郎, 藤岡洋, 伊勢村雅士 “PSD法によるSi(110)基板上へのⅢ族窒化物エピタキシャル成長”，第55回応用物理学関係連合講演会，28a-B-8，日本大学，2008年3月28日 [3] 和田安正, 井上茂, 中野貴之, 岡本浩一郎, 藤岡洋, 尾嶋正治, 石井晃 “PSD法によるCu(111)基板上へのⅢ族窒化物エピタキシャル成長”，第55回応用物理学関係連合講演会，28a-B-7，日本大学，2008年3月28日 [4] 岡本浩一郎, 井上茂, 中野貴之, 藤岡洋 “HfNバッファー層を用いた単結晶Mo基板上へのGaNエピタキシャル成長”，第37回結晶成長国内会議，07aB05，北海道大学，2007年11月7日 [5] 後藤靖博, 青山彬, 岡本浩一郎, 井上茂, 中野貴之, 藤岡洋 “Fe基板上へのGaN結晶の成長と評価”，第37回結晶成長国内会議，07aB04，北海道大学，2007年11月7日 [6] 太田実雄, 小林篤, 上野耕平, 金明姫, 桜田賢人, 中野貴之, 尾嶋正治, 藤岡洋 “パルス励起堆積（PXD）法によるⅢ族窒化物の室温エピタキシャル成長”，第37回結晶成長国内会議，07aB03，北海道大学，2007年11月7日 [7] 井上茂，岡本浩一郎，中野貴之，太田実雄，藤岡洋，石井 晃, “Cu(111)基板上へエピタキシャル成長したAlNの面内配向関係の解析”，第37回結晶成長国内会議，06aB06，北海道大学，2007年11月6日 [8] 井上茂，岡本浩一郎，中野貴之，太田実雄，藤岡洋，石井 晃, “第一原理計算によるAlN/Cu(111)面内配向関係の解析”， 第68回応用物理学会学術講演会，8a-ZQ-2，北海道工業大学，2007年9月8日 [9] 大庭玲美，三田村和弥，太田実雄，青山彬，中野貴之，藤岡 洋，尾嶋正治, “PSD-HfN(001)バッファー層上への立方晶InN薄膜の成長”， 第68回応用物理学会学術講演会，6a-ZS-9，北海道工業大学，2007年9月6日 [10] 中野貴之，小林篤，青山彬，後藤靖博，岡本浩一郎，井上茂，藤岡洋, “PSD法を用いたZnO基板上へのIII族窒化物室温エピタキシャル成長”， 第68回応用物理学会学術講演会，4a-ZR-8，北海道工業大学，2007年9月4日 [11] 青山彬，後藤靖博，岡本浩一郎，井上茂，中野貴之，藤岡洋, “HfNバッファー層を用いたFe基板上へのGaN結晶成長”， 第68回応用物理学会学術講演会，4a-ZR-7，北海道工業大学，2007年9月4日 [12] 和田安正，中野貴之，井上茂，岡本浩一郎，藤岡 洋，尾嶋正治, “PSD-HfNバッファー層を用いたNi基板上へのGaNエピタキシャル成長”， 第68回応用物理学会学術講演会，4a-ZR-6，北海道工業大学，2007年9月4日 [13] Takayuki Nakano, Akira Aoyama, Yasuhiro Goto, Koichiro Okamoto, Shigeru Inoue, Hiroshi Fujioka, “Epitaxial Growth of High Quality AlN by Pulsed Sputtering Deposition”, 26th Electronic Materials Symposium (EMS26), D10, Laforret Biwako, Shiga, July 5-7, 2007 [14] Shigeru Inoue, Koichiro Okamoto, Takayuki Nakano, Jitsuo Ohta, Hiroshi Fujioka, “Epitaxial Growth of Group III Nitrides on Rh(111) UV Mirrors”, 26rd Electronic Materials Symposium (EMS26), G6, Laforret Biwako, Shiga, July 5-7, 2007 [15] 出浦桃子，杉山正和，中野貴之，霜垣幸浩，中野義昭，“In situ RASを用いたGaAs-MOVPEにおけるサブサーフェスの速度論的解析”，第54回応用物理学関係連合講演会，30a-Q-1，青山学院大学，2007年3月30日 [16] 中野貴之，青山彬，後藤靖博，岡本浩一郎，井上茂，太田実雄，藤岡洋，“PSD法を用いたAlN薄膜エピタキシャル成長”，第54回応用物理学関係連合講演会，28a-ZM-12，青山学院大学，2007年3月28日 [17] 井上茂，岡本浩一郎，中野貴之，太田実雄，藤岡洋，“鏡面Rh(111)基板上へのⅢ族窒化物エピタキシャル成長”，第54回応用物理学関係連合講演会，28a-ZC-3，青山学院大学，2007年3月28日 [18] 後藤靖博，青山彬，岡本浩一郎，井上茂，中野貴之，太田実雄，藤岡洋，“PSD法による4族窒化物をバッファー層に用いたGaN結晶成長(2)”，第54回応用物理学関係連合講演会，28a-ZC-2，青山学院大学，2007年3月28日 [19] 青山彬，後藤靖博，中野貴之，藤岡洋，“PSD法による4族窒化物をバッファー層に用いたGaN結晶成長(1)”，第54回応用物理学関係連合講演会，28a-ZC-1，青山学院大学，2007年3月28日 [20] 出浦桃子，杉山正和，中野貴之，霜垣幸浩，中野義昭，“GaAs-MOVPEにおける表面吸着層のin situ観察および解析”，化学工学会第72年会，R120，京都大学，2007年3月19日 [21] G. Li, J. Ohta, S. Inoue, K. Okamoto, T. Nakano, H. Fujioka, “Epitaxial growth of GaN films on Tungsten substrates”, 第36回結晶成長国内会議，01aB05，大阪大学，2006年11月1日 [22] 井上茂，岡本浩一郎，中野貴之，藤岡洋, “単結晶fcc金属基板上へのⅢ族窒化物エピタキシャル成長”，第36回結晶成長国内会議，01aB08，大阪大学，2006年11月1日 [23] 中野貴之，阿部英司，杉山正和，中野義昭，霜垣幸浩，“MOVPEによるGaAs/InGaPヘテロ界面の精緻化とZ-STEM法を用いた急峻性評価”，第67回応用物理学会学術講演会，31a-ZF-4，立命館大学，2006年8月31日 [24] 岡本浩一郎，井上茂，中野貴之，藤岡洋，“低温成長AlNバッファー層を用いたFeSi合金基板上へのGaNエピタキシャル成長”，第67回応用物理学会学術講演会，30a-E-9，立命館大学，2006年8月30日 [25] 井上茂，岡本浩一郎，中野貴之，藤岡洋，“Ru(0001)基板上へのAlN薄膜エピタキシャル成長”，第67回応用物理学会学術講演会，30a-E-8，立命館大学，2006年8月30日 [26] 李国強，井上茂，岡本浩一郎，中野貴之，藤岡洋，“単結晶W(110)基板上へのAlN薄膜エピタキシャル成長”，第67回応用物理学会学術講演会，30a-E-4，立命館大学，2006年8月30日 [27] 出浦桃子，杉山正和，中野貴之，霜垣幸浩，中野義昭，“In situ RASを用いたGaAs-MOVPEにおけるサブサーフェスの観察”，第67回応用物理学会学術講演会，29a-B-1，立命館大学，2006年8月29日 [28] Takayuki Nakano, Eiji Abe, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, and Yukihiro Shimogaki “Fabrication of abrupt GaAs/InGaP hetero-interface by MOVPE using novel gas-switching sequence” 25rdElectronic Materials Symposium (EMS25), F4, Hotel Sunvalley Fujimi, Izu-Nagaoka, July 5-7, 2006 [29] 中野貴之，杉山正和，中野義昭，霜垣幸浩，“化合物半導体MOVPE法の表面反応メカニズム解析”，化学工学会第37回秋季大会，J308，岡山大学，2005年9月17日 [30] 中野貴之，市川磨，杉山正和，秦雅彦，中野義昭，霜垣幸浩，“MOVPE-InGaP成長におけるIn表面偏析現象の解析とショットキー接合特性評価”，第66回応用物理学会学術講演会，10p-ZA-10，徳島大学，2005年9月10日 [31] Masakazu Sugiyama，Noriaki Waki, Yusuke Nobumori, Haizeng Song, Takayuki Nakano, Taro Arakawa, Yoshiaki Nakano，and Yukihiro Shimogaki “Evolution of Abnormal Edge Growth in Selective Area MOVPE of InP” 24rd Electronic Materials Symposium (EMS24), D5, メルパルク松山, July 4-6, 2005 [32] Takayuki Nakano，Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano，and Yukihiro Shimogaki “Surface kinetics of MOVPE for InGaP growth analyzed by flow modulation method” 24rd Electronic Materials
Symposium (EMS24), D3, メルパルク松山, July 4-6, 2005 [33] 中野貴之，杉山正和，中野義昭，霜垣幸浩，”MOVPE法による化合物半導体結晶成長における表面反応メカニズムの解明(4)”， 第52回応用物理学会学術講演会，1a-WM-1，埼玉大学，2005年4月1日 [34] 中野貴之，杉山正和，中野義昭，霜垣幸浩，”時間変調操作によるMOVPE表面反応メカニズムの解明”，化学工学会第70年会，M302，名古屋大学，2005年3月24日 [35] 和氣範明，中野貴之，呉豪振，杉山正和，中野義昭，霜垣幸浩，”化合物半導体のMOVPE選択成長における以上成長制御” 第65回応用物理学会学術講演会，1a-P1-29，東北大学，2004年9月1日 [36] 中野貴之，杉山正和，中野義昭，霜垣幸浩，”MOVPE法による化合物半導体結晶成長における表面反応メカニズムの解明(3)” 第65回応用物理学会学術講演会，1a-P1-19，東北大学，2004年9月1日 [37] Noriaki Waki，Takayuki Nakano, Hojh Oh, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano，and Yukihiro Shimogaki “Understanding the abnormal growth of InP-related materials in selective-area MOVPE”
23rd Electronic Materials Symposium (EMS23), D5, Hotel Sunvalley Fujimi, Izu-Nagaoka, July 7-9, 2004 [38] Takayuki Nakano，Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano，and Yukihiro Shimogaki “Examination of sub-surface in MOVPE by time modulation growth” 23rd Electronic Materials Symposium (EMS23),
D8, Hotel Sunvalley Fujimi, Izu-Nagaoka, July 7-9, 2004 [39] 和氣範明，中野貴之，呉豪振，杉山正和，中野義昭，霜垣幸浩，”化合物半導体のMOVPE選択成長における以上成長制御”，化学工学会第69年会，M307，大阪府立大学，2004年4月4日 [40] 中野貴之，杉山正和，中野義昭，霜垣幸浩，”時間変調操作によるMOVPE表面反応メカニズムの解明”，化学工学会第69年会，M306，大阪府立大学，2004年4月4日 [41] 中野貴之，杉山正和，中野義昭，霜垣幸浩，”MOVPE法による化合物半導体結晶成長における表面反応メカニズムの解明(2)”， 第51回応用物理学会学術講演会，28p-YG-1，東京工科大学，2004年3月28日 [42] 中野貴之，福島康之，杉山正和，中野義昭，霜垣幸浩，”MOVPE法による化合物半導体結晶成長における表面反応メカニズムの解明”， 第64回応用物理学会学術講演会，2a-K-8，九州大学，2003年9月2日 [43] 福島康之，中野貴之，中野義昭，霜垣幸浩，”MOVPEによるGaAs/InGaPヘテロ界面形成での分光エリプソメトリーのその場観察”，2001年化学工学会「神奈川大会」，B207-A3-9，横浜国立大学，2001年8月8-9 [44] 中野貴之，中野義昭，霜垣幸浩， “MOVPEにおけるGaAs/InGaPヘテロ界面形成の動的エリプソメトリ法によるその場観察(3)”，第48回春季応用物理学会学術講演会，30a-G-7，明治大学，2001年3月30日 [45] 中野貴之，中野義昭，霜垣幸浩．”分光エリプソメトリによるその場観察を活用したGaAs/InGaP界面の構造制御”， 化学工学会第33回秋季大会，研究発表講演要旨集D202，静岡大学，2000年9月13日 [46] 中野貴之，中野義昭，霜垣幸浩．”MOVPEにおけるGaAs/InGaPヘテロ界面形成の動的エリプソメトリ法によるその場観察(2) “， 第61回応用物理学会学術講演会，3p-ZA-4，北海道工業大学，2000年9月3日 [47] 中野貴之，中野義昭，霜垣幸浩 “MOVPEにおけるGaAs/InGaPヘテロ界面形成の動的エリプソメトリ法によるその場観察”，第47回応用物理学関係連合講演会，29a-P8-15，青山学院大学，2000年3月29日 [48] 和田裕文，中野貴之，A.Sokorofu，志賀正幸．”多重磁気転移を示すGd1-xRxMn2Ge2 (R=Y,La)の電気抵抗”，日本物理学会，26aR-1，1999年9月26日