representative
[1] 2023-2026年度 基盤研究(A) 「BGaN検出器を用いた疑似直接検出法による超高解像中性子イメージング技術開発」 [2] 2019-2021年度 基盤研究(B) 「BGaN半導体検出器を用いた熱中性子イメージングセンサーの開発」 [3] 2016-2018年度 基盤研究(B) 「中性子半導体検出器に向けたBGaN半導体デバイスの開発」 [4] 2012-2015年度 若手研究(A) 「Ⅲ族窒化物半導体を用いた中性子検出半導体の開発」 [5] 2010-11年度 若手研究(B) 「III族窒化物両極性同時成長プロセスの開発とナノ構造デバイス作製」