山本将也(M2)が令和四年度電子デバイス研究会論文発表奨励賞を受賞しました。 "h-BNのSi基板上低温成膜技術の開発とgraphene/h-BN/Si積層型平面電子放出デバイスへの応用" 山本将也(静岡大/産総研)・村田博雅・長尾昌善(産総研)・三村秀典・根尾陽一郎(静岡大)・村上勝久(産総研)山本 ED2022-61 信技報
Vacuum nano-electronics & Plasmonics
山本将也(M2)が令和四年度電子デバイス研究会論文発表奨励賞を受賞しました。 "h-BNのSi基板上低温成膜技術の開発とgraphene/h-BN/Si積層型平面電子放出デバイスへの応用" 山本将也(静岡大/産総研)・村田博雅・長尾昌善(産総研)・三村秀典・根尾陽一郎(静岡大)・村上勝久(産総研)山本 ED2022-61 信技報