三次元 NAND フラッシュ
NANDフラッシュメモリは二次元のプレーナー型から三次元構造に移行している。三次元構造のデバイスとメモリ動作を可能にする回路の提案を行った。2017年5月現在、50件以上の米国特許が成立している（patents ）。これらは主に四つのカテゴリに分類できる。高信頼性、高密度化、低電力化を目指した、１）メモリアレイとデバイスの構造、２）アレイ制御方法、３）アレイ分割方法、４）制御回路にメモリ素子構造を用いる方法、である。＃４には、高い面積・電力効率を実現する、アレイ構造キャパシタを用いた昇圧回路(c16a)が含まれる。
