- Our research focuses on the development of functionalities and applications for future electronics at molecular and atomic scale. For that, we study the properties of individual and coupled dopant atoms in Si nanostructures and nanodevices.
We are also interested in the effects of doping on the Si surface properties, for the development of nanoscale hybrid molecular devices.
The main topics of our research are:
- Single-electron tunneling via dopant-atoms in Si nano-transistors towards practical conditions.
- Atomistic effects in transport through low-dimensional pn diodes and pin diodes.
- Nanostructure/ Nanodevice fabrication and basic characterization.
- Observation of dopant potentials by Low-temperature Kelvin probe force microscopy (LT-KPFM).
- First-principles simulations of semiconductor (Si) nanostructures.
- 当研究室は原子・分子スケールにおいて、将来のエレクトロニクスのために、新機能や応用性の創生についてフォーカスしています。
そのために、シリコンナノ構造やナノデバイス中の、個々もしくは複数のドーパント原子の振る舞いについて研究を行っています。
また、ナノスケールのハイブリッド分子デバイスの開発のため、シリコン表面のドーピング効果についても関心を持っています。現在、研究のメイントピックは以下のとおりです。
- シリコンナノトランジスタ中の、ドーパント原子を介した単電子トンネリング(SET)の高温(室温)動作
- 低次元pn / pinダイオード中の電気伝導における原子的な効果
- ナノ構造 / ナノデバイス作製や特性評価
- 極低温ケルビンプローブフォース顕微鏡(LT-KPFM)を用いたドーパントポテンシャルの観察
- 第一原理計算を用いたシリコンナノ構造中のシミュレーション