We participated in the “11th Nanostructure and Epitaxial Growth Lecture” held at the Hiroshima University Higashihiroshima Campus on June 13-15, 2019.
There were three presentations from our laboratory as follows.

[1] 中野貴之、青木徹、“BGaNを用いた中性子半導体検出器の開発”、日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」、Fr-I2、広島大学 東広島キャンパス 学士会館レセプションホール、2019年6月13-15日　(招待講演)

[2] 清水勇希、江原一司、新宅秀矢、井上翼、青木徹、嶋紘平、小島一信、秩父重英、中野貴之、‟BGaN-MOVPE法におけるキャリアガスとホウ素原料の影響”、日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」、Th-P19 、広島大学 東広島キャンパス 学士会館レセプションホール、2019年6月13-15日

[3] 太田悠斗、高橋祐吏、丸山貴之、山田夏暉、中川央也、川崎晟也、宇佐美茂佳、本田善央、天野浩、嶋紘平、小島一信、秩父重英、井上翼、青木徹、中野貴之、‟BGaN結晶成長におけるTMB流量依存性の検討および中性子検出器の開発”、日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」、Fr-P23 、広島大学 東広島キャンパス 学士会館レセプションホール、2019年6月13-15日