静岡大学小野・堀研究室

Conferences

  • 2023

    Masahiro Hori, Jinya Kume, Yukinori Ono:
    Electrical formation of electron-hole bilayer system in Si MOS transistors
    2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023), September 5-8, Nagoya Congress Center, Aichi, JAPAN

    Ahmed Nabil, Manjakavahoaka Razanoelina, Masahiro Hori, Akira Fujiwara, Yukinori Ono :
    Drag of Electron-Hole Bilayer in Silicon-on-Insulator at Low Temperature
    Silicon Nanoelectronics Workshop 2023 (SNW 2023),
    June 11-12 2023, Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto, JAPAN

    2022

    Plenary talk
    Y. Ono:
    Control of Electronic Charges and Currents in Nano-scaled Silicon
    2022 IEEE International Conference on Integrated Technologies and Applications（ICTA2022）
    October 28-30, 2022 , Shaanxi, China (Online)

    2021

    Invited talk
    M. Hori, Y. Ono:
    Charge pumping under electron spin resonance in Si MOSFETs -Identification of interface defects and detection of donor electrons-
    International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices
    – Science and Technology – (2021 IWDTF )
    November 14-16, 2021 (Virtual Conference)

    Invited talk
    Y. Ono:
    Electron-electron scattering in silicon and its impact on future emerging devices
    6th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (ICONN2021)
    February 1-3, 2021, SRM Institute of Science and Technology, Chennai, India (Virtual Conference)

    Invited talk
    M. Hori:
    Charge pumping under electron spin resonance
    6th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (ICONN2021)
    February 1-3, 2021, SRM Institute of Science and Technology, Chennai, India (Virtual Conference)

    2019

    Invited talk
    M. Hori, T. Tsuchiya, Y. Ono:
    Charge pumping in silicon MOSFETs – towards ultimate control of charges and spins –
    8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
    (ISCSI-VIII, November 27-30, Tohoku University, Sendai)
    Abstract pp.81-82.

    Invited talk
    H. Firdaus, T. Watanabe, M. Hori, D. Moraru, Y. Takahashi, A. Fujiwara, Y. Ono:
    Electron aspirator using electron-electron scattering in nanoscale silicon
    The 21st Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium (November 12, Shizuoka University, Hamamatsu)
    Abstract pp.1-2.

    H. Firdaus, M. Razanoelina, Y. Ono:
    Performance Limitations of Nanoscale Si Electron-Aspirator
    Inter-Academia2019 (September 4-7, Danubius Hotel Gellért, Budapest, Hungary).

    K. Zelenska, T. Watanabe, Y. Ono:
    Low-Temperature Transport Properties of SOI MOS Transistors
    Inter-Academia2019 (September4-7,  Danubius Hotel Gellért, Budapest, Hungary).

    M. Razanoelina, H. Firdaus, Y. Takahashi, A. Fujiwara, Y. Ono
    Si Electron Nano-Aspirator towards Emerging Hydro-Electronics
    Silicon Nanoelectronics Workshop 2019 (June 9-10, Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto)
    Abstract pp. 117-118.

    Invited talk
    Y. Ono:
    Electron-electron scattering in nano-scaled silicon
    5th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology(ICONN2019, January 28-30, SRM Institute of Science and Technology, Chennai, India)
    Abstract pp.20.

    Invited talk
    M. Hori, Y. Ono:
    Charge pumping EDMR on silicon MOSFETs
    5th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology(ICONN2019, January 28-30, SRM Institute of Science and Technology, Chennai, India)
    Abstract pp.20.

    2018
    H. Firdaus, M. Hori, Y. Ono:
    Remote Detection of Holes Generated by Impact Ionization
    The 17th International Conference on Global Research and Education (Inter-Academia 2018, September 24-27, Kaunas University of Technology, Kaunas, Lithuania)
    Abstract pp.22.

    T. Tsuchiya, M. Hori, Y. Ono:
    Detection and Characterization of Single Near-Interface Oxide Traps with the Charge Pumping Method
    2018 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
    (IPFA, July 16-19, Marina Bay Sands, Singapore).

    2017
    Invited talk
    Y. Ono:
    Charge pump in silicon-Physics and application of charge transfer-
    The16th International conference on Global Research and Education (Inter-Academia2017, September 25-28,Alexandru Ioan Cuza University, Iasi, Romania)
    Abstract pp.5.

    M. Hori, T. Watanabe, Y. Ono:
    Real-rime Monitoring of Charge-pumping Process for SiO2/Si Interface Analysis
    The 15th  International Conference on QiR (QiR2017, July 24-27, The Westin Resort Nusa Dua, Bali, Indonesia)
    Abstract No.E3A-1.

    H. Firdaus, M. Hori, Y. Takahashi, A. Fujiwara, Y. Ono:
    Sensitive Detection of Holes Generated by Impact Ionization in Silicon
    2017 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2017, June 4-5, Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto)
    Abstract pp.29-30.

    Invited talk
    T. Tsuchiya:
    Single Defect Characterization at Si/SiO2 Interface
    The 6th International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors
    (May 21-25,2017,Seminarhotel Schloss Hernstein, Hernstein, Austria)
    Abstract ECS Trans. vol. 79, no. 1, pp. 79-89, 2017.

    Invited talk
    Y. Ono, H. Firdaus, M. Hori:
    Observation of Impact Ionization in Silicon at Low Temperature
    Innovative Solutions For Single Atom Applications In Photonics And Nanoelectronics
    (Ⅳ Bilateral Italy-Japan Seminar, May 2-4, Lecco, Italy) Abstract pp.7.

    Invited talk
    M. Hori and Y. Ono:
    Charge pumping EDMR towards ultimate charge/spin control at room temperature in silicon
    Innovative Solutions For Single Atom Applications In Photonics And Nanoelectronics
    (Ⅳ Bilateral Italy-Japan Seminar, May 2-4, Lecco, Italy) Abstract pp.11.

    2016
    Invited talk
    M. Hori and Y. Ono:
    Charge pumping EDMR for MOS interface analysis
    (The 18th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium, November 15-16, Shizuoka University, Hamamatsu)
    Proceedings pp.15-17.

    Y. Ono, M. Hori,  A. Fujiwara:
    Silicon Single Boron Transistor
    The 3rd International Conference on Nano Electronics Research and Education
    The 8th International Conference on Electrical, Electronics, Communications, Controls and Informatics System
    (ICNERE /EECCIS- 2016), October 31-November 2, Malang, Indonesia) Abstract pp.64.

    Y. Ono, M. Hori, G. P. Lansbergen , A. Fujiwara:
    Manipulation of Single Charges Using Dopant Atoms in Silicon-Interplay with Intervalley Phonon Emission
    15th International Conference on Global Research and Education
    (Inter-Academia 2016, September 26-28, Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland)
    Proceedings pp.137-141.

    M. Hori and Y. Ono:
    EDMR on Recombination Process in Silicon MOSFETs at Room Temperature
    15th International Conference on Global Research and Education
    (Inter-Academia 2016, September 26-28, Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland)
    Proceedings pp.89-93.

    T. Watanabe, M. Hori, Y. Ono:
    Time domain charge pumping on silicon-on-insulator MOS transistors
    2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
    (AWAD-2016, July 4-6, Hakodate Kokusai Hotel, Hakodate) Workshop Digest pp.377-379.

    M. Hori, R. Narimatsu, Y. Ono:
    Charge pumping EDMR towards charge/spin manipulation in silicon at room temperature
    2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    (SNW-2016, June12-13, Hilton Hawaiian Village, Honolulu, USA), Abstract pp.142-143.

    Invited talk
    M. Hori and Y. Ono:
    Novel application of the charge pumping process for charge and spin control
    EMN Meeting on Quantum
    (EMN-2016, April8-11, Phuket,Thailand), Abstract pp31-32.

    2015
    M. Jo, T. Uchida, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa,
    Y. Takahashi:
    Fabrication of triple-dot single-electron transistor and its turnstile operation
    28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
    (MNC-2015, November 10-13, Toyama, Japan), Abstract 12P-7-31.

    T. Watanabe, M. Hori, T. Saruwatari, A. Fujiwara, and Y. Ono:
    Cryogenic Charge Pumping using Silicon on Insulators
    28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
    (MNC-2015, November 10-13, Toyama, Japan), Abstract 13B-10-4.

    Y. Nishiuchi, K. Furuta, T. Mitani, M. Hori, Y. Ono:
    Electrically detected magnetic resonance study on silicon PN junction
    2015 Asdia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
    (AWAD-2015, July 1-3, Jeju, Korea), Workshop Digest, pp.352 – 353.

    Invited talk
    Y. Ono and M. Hori:
    Charge pumping by point defects – Towards ultimate control of recombination in silicon –
    Silicon nanoelectronics for advanced applications (June. 16, 2015, Kyoto, Japan), Abstract pp.117-118.

    M. Hori, M. Uematsu, A. Fujiwara, Y. Ono:
    ESR measurements of As donor electrons in silicon
    The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
    (EM-NANO 2015, 16-19, June, 2015, Niigata, Japan), Abstract P2-75.

    T. Watanabe, M. Hori, T. Saruwatari, A. Fujiwara, Y. Ono:
    Low Temperature Charge Pumping in SOI Gated PIN Diode
    2015 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2015, June 14-15, Kyoto, Japan).
    Workshop Abstract, pp. 29-30.

    2014
    K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara:
    Counting statistics of single-electron thermal noise
    2014 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS November 30-December 5, 2014
    Hapuna Beach Prince Hotel, Kohala Coast, Hawaii, USA), Book of abstract, p.13.

    T. Tsuchiya, Y. Ono:
    Charge Pumping Current from Single Si/SiO2 Interface Traps: Direct Observation of Pb Centers
    and Fundamental Trap-Counting by the Charge Pumping Method by the charge pumping method
    2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2014, September 9-11, 2014, Tsukuba),
    Extended Abstracts, pp. 842-843 (J-2-5L).

    M. Hori, T. Watanabe, T. Tsuchiya, Y. Ono:
    Time-domain measurements of charge pimping current
    2014 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2014, June 8-9, Honolulu, Hawaii, USA).Workshop Abstract, pp. 31- 32.

    T. Watanabe, M. Hori, T. Tsuchiya, Y. Ono:
    Evaluation of accuracy of time-domain charge pumping
    2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD-2014, July 1-3, Kanazawa, Japan),
    Workshop Digest, pp. 96-99.

    Invited talk
    Y. Ono, G. P. Lansbergen, M. Hori, A. Fujiwara:
    Electron pump by a single atom-Towards ultimate control of electronic charges-
    2014 International Workshop on Advanced Nanovision Science (Jan. 21-22, 2014,Hamamatsu, Japan)

    2013
    Invited talk
    Y. Ono:
    Single dopant physics and electronics
    Silicon nanoelectronics for advanced applications (April 29-30, 2013, Verona, Italy).

    M. Hori, N. Fukumoto, Y. Ono, R. Chikaoka, Y. Hayakawa, S. Moriwaki, N. Mio:
    ESR study on pure single crystalline sapphire
    Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-Silicide July 27 – 29, 2013, Tsukuba), Abstract 28P-24.

    M. Hori, H. Tanaka, A. Fujiwara, Y. Ono:
    ESR study of arsenic in silicon in low ion-implantation-dose regime
    The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2013, 17-20, June, 2013,
    Kanazawa, Japan), Abstract P1-47.

    N. Fukumoto, Y. Ono, M. Hori, R. Chikaoka, Y. Hayakawa, S. Moriwaki, and N. Mio:
    Electron spin resonance measurement of sapphire for KAGRA mirrors”,
    12th Asia Pacific Physics Conference (APPC12), Chiba, Japan, July 2013.

    2011
    T. Shinada, M. Hori, F. Guagliardo, G. Ferrari, A. Komatubara, K. Kumagai, T. Tanii, T. Endo, Y. Ono, E. Prati:
    Quantum transport in deterministically implanted single-donors in Si FETs
    2011 International Electron Devices Meeting (IEDM-2011, December 6-8, San Fransisco, USA), Technical Digest, pp. 698-700.

    G. P. Lansbergen, Y. Ono, A. Fujiwara:
    Charge transfer by multiple donors in a Si nanowire
    2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2011, September 28-30, 2011, Nagoya), Extended Abstracts, pp. 1276-1277.

    Y. Niida, K. Takashina, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Hirayama:
    Subband energy manipulation by gate voltage in Si (100) hole system
    The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-19) and the15th International Conference on Modulated Semiconductor structures (MSS-15) (EP2DS-19/MSS-15, July 25-29, 2011, Tallahassee, Florida).

    Invited talk
    T. Shinada, M. Hori, Y. Ono, A. Komatsubara, K. Taira, K. Kumagai, T. Tanii, T. Endoh, I. Ohdomari:
    Control of Dopant Distribution by Single-Ion Implantation and its Impact on Transconductance of FETs
    2011 Asdia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices  (AWAD-2011, June 29-July 1, Daejeon, Korea), Workshop abstract, pp.71-74.

    Invited talk
    Y. Ono, M. A. H. Khalafalla, J. Noborisaka, G. P. Lansbergen, A. Fujiwara: Keynote Lecture
    Dopants in silicon transistors; Transport and Photoemission
    CMOS Emerging Technologies Workshop (June 15 – 17, 2011, Whistler, BC, Canada).

    M. Hori, Y. Ono, K. Taira, A. Komatsubara, K. Kumagai, T. Tanii, T. Endoh, I. Ohdomari, T. Shinada:
    Impact of a few dopant positions controlled by single-ion implantation on transconductance of FETs
    11th International Workshop on Junction Technology (IWJT2011, June 9-10, Kyoto).

    M. Sinohara, Y. Kato, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi:
    Observation of new current peaks of Si single-electron transistor with a single-hole trap
    2011 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2011, June 12-13, Kyoto). Workshop Abstract, pp. 59 – 60.

    G. P. Lansbergen, Y. Ono, A. Fujiwara:
    Capture and emission kinetics of traps in MOSFETs,
    2011 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2011, June 12-13, Kyoto).Workshop Abstract, pp. 17 – 18.

    J. Noborisaka, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Kageshima, and A. Fujiwara:
    Electroluminescence study of phosphorus ionization in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor  field-effect transistors
    International Symposium on Nanoscale Transport and Technology, (ISNTT-2011, Jan. 11-14, Atsugi), Program and Abstract, p. 134.

    G. P. Lansbergen, Y. Ono, A. Fujiwara:
    Charge switching in wire MOSFETs studied by separation of capture and emission
    International Symposium on Nanoscale Transport and Technology, (ISNTT-2011, Jan. 11-14, Atsugi), Program and Abstract, p. 135.

    2010
    T. Shinada, M. Hori, Y. Ono, K. Taira, A. Komatsubara, T. Tanii, T. Endoh, I. Ohdomari:
    Reliable Single Atom Doping and Discrete Dopant Effects on Transistor Performance
    2010 International Electron Devices Meeting (IEDM-2010, December 6-8, San Fransisco, USA). Technical Digest, pp. 297-300.

    M. Anwar, D. Moraru, M. Ligowski, T. Mizuno, R. Jablonski, Y. Ono, M. Tabe:
    KFM Observation of Single-Electron Filling in Dopant Arrays
    2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2010, September 22-24, 2010, Tokyo), Extended Abstracts, pp. 97-98.

    J. Noborisaka, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Kageshima, Fujiwara:
    Strong Stark effect of electroluminescence in thin SOI MOSFETs
    2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2010, September 22-24, 2010, Tokyo), Extended Abstracts, pp. 796-797.

    T. Goto, H. Inokawa, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Torimitsu:
    Effect of Device Structure on Electrical Conduction of Terphenyl-based Molecule
    2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2010, September 22-24, 2010, Tokyo), Extended Abstracts, pp. 507-508.

    Invited talk
    T. Shinada , M. Hori, K. Taira, T. Tanii, Y. Ono, T. Endoh, I. Ohdomari:
    Performance evaluation of transistors with discrete dopants by single-ion doping method
    21th International conference on the application of accelerators in research and industry (CAARI2010, August 8-13, 2010, Fort Worth, TX, USA).

    Y. Niida, K. Takashina, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Hirayama:
    Electron-mobility suppression under valley-polarized region in Si quantum well
    30th International Conference on the Pysics of Semiconductors (ICPS 2010, July 25 – 30, 2010, Seoul, Korea), Program P1-097.

    Y. Ono, Y. Miyazaki, S. Yabuuchi, H. Kageshima, M. Nagase, A. Fujiwara, E. Ota:
    Significance of the interface regarding magnetic properties of Mn-nanosilicide in silicon
    Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related materials Science and Technology Towards    Sustainable Optoelectronics (APAC-Silicide July 24 – 26, 2010, Tsukuba).

    M. Hori, T. Shinada, K. Taira, T. Tanii, Y. Ono, T. Endoh, I. Ohdomari:
    Enhancement of electron transport property in FET with asymmetric ordered dopant distribution
    18th International Conference on Ion Implantation Technology (June 6 – 11, 2010, Kyoto).

    Invited talk
    A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Ono:
    Single electron transfer technology using Si nanowire MOSFETs
    2010 International Symposium on Atom-scale Silicon Hybrid Nanotechnologies for ‘More-than-Moore’ & ‘Beyond CMOS’ Era (March 1 – 2, 2010, Southampton, UK), Program and Abstracts, pp. 19 – 20.

    T. Shinada, M. Hori, Y. Ono, K. Taira, A. Komatsubara, T. Tanii, T. Endoh, I. Ohdomari:
    Performance evaluation of MOSFETs with discrete dopant distribution by one-by-one doping method
    SPIE Advanced Lithography – Alternative Lithographic Technologies II (February 21 – 25, 2010, San Jose, USA), Proc. SPIE Vol. 7637, 763711 (Apr. 2, 2010).

    Invited talk
    Y. Ono, M. Khalafalla, K. Nishiguchi, A. Fujiwara: Keynote Lecture
    Single dopant effects in silicon nano transistors
    Single Dopant Control (March 29 – April 1, 2010, Leiden, Netherlands).

    Invited talk
    Y. Ono, M. Khalafalla, K. Nishiguchi, A. Fujiwara:
    Single dopant effects in silicon nano transistors
    2010 International Symposium on Atom-scale Silicon Hybrid Nanotechnologies for ‘More-than-Moore’ & ‘Beyond CMOS’ Era (March 1 – 2, 2010, Southampton, UK), Program and Abstracts, pp. 25 – 26.

    K. Takashina, M. Nagase, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, T. Fujisarwa, K. Muraki:
    In plane transport in a double layer crystalline silicon stracture with an SiO2 barrier
    2010 International Symposium on Atom-scale Silicon Hybrid Nanotechnologies for ‘More-than-Moore’ & Beyond CMOS’ Era (March 1 – 2, 2010, Southampton, UK), Program and Abstracts, p. 4.

    Invited talk
    M. Tabe, D. Moraru, M. Anwar, Y. Kawai, S. Miki, Y. Ono:
    Si single-dopant FETs and observation of single-dopant potential by LT-KFM
    5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (January 29 – 30, 2010, Sendai, Japan), Program & Abstracts, pp. 17 – 18.

    Invited talk
    Y. Takahashi, M. Jo, Y. Kato, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, and J.-B. Choi:
    Fabrication method for triple-coupled dots based on pattern-dependent oxidation
    5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (January 29 – 30, 2010, Sendai, Japan), Abstract pp. 75-76, I-16.

    2009
    M. Jo, Y. Kato, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, and J.-B. Choi:
    Fabrication of triple-dot single-electron transistor and its single-electron-transfer operation
    International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN-2009, November 29-December 4, 2009, Kaanapali, Maui, Hawaii, USA), P1-13, pp. 60-61.K.

    invited_talk
    Y. Ono, M. Khalafalla, S. Horiguchi, K. Nishiguchi, and A. Fujiwara:
    Identification of single dopants in nanowire MOSFETs
    2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2009, October 7-9, 2009, Sendai),
    Extended Abstracts, pp. 1134-1135.

    K. Nishiguchi, Y. Ono, and A. Fujiwara:
    Single-electron counting statistics of shot noise in nanowire Si MOSFETs
    2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2009, October 7-9, 2009, Sendai),
    Extended Abstracts, pp. 1140-1141.

    J. Noborisaka, K. Nishiguchi, H. Kageshima, Y. Ono, and A. Fujiwara:
    Tunnel spectroscopy of electron subbands in thin SOI MOSFET
    2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2009, October 7-9, 2009, Sendai), Extended Abstracts, pp. 262-263.

    invited_talk
    A. Fujiwara, K. Nishiguchi, and Y. Ono:
    Silicon Nanowire MOSFETs and Their Application to Single-Electron Devices
    International Conference on Nanoscience & Technology, China 2009 (ChinaNANO-2009, September  1-3, 2009, Beijing, China). Abstract book pp. 50 – 51.

    K. Takashina, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, T. Fujisawa, Y. Hirayama, and K. Muraki:
    Electron-hole transport in a 40 nm thick silicon slab
    The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-18) and the 14th International Conference on Modulated Semiconductor structures (MSS-14) (EP2DS-18/MSS-14, July 19-24, Kobe, Japan), Program E4e.

    S. Miyamoto, K. Nishiguchi, Y. Ono, K. M. Ito, and A. Fujiwara:
    Single-electron activation over an oscillating barrier in silicon nanowire MOSFETs
    The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-18) and the 14th International Conference on Modulated Semiconductor structures (MSS-14) (EP2DS-18/MSS-14, July 19-24, Kobe, Japan), Program Tu-eP91.

    A. Fujiwara, K. Nishiguchi, and Y. Ono:
    Single-electron devices based on silicon nanowire MOSFETs
    “Trends in NanoTechnology” International Conference (TNT-2009, September 7-11, 2009, Barcelona, Spain) Workshop Abstract p. 39.

    M. Jo, Y. Kato, M. Arita, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, Y. Takahashi, and J.-B. Choi:
    Logic switching characteristics of multiple-gate nanodot array device,
    2008 1st International Workshop on Si based nano-electronics and -photonics (SiNEP-09, September 20-23, 2009,Vigo, Spain)

    M. Jo, T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi, and J.-B. Choi:
    Double-dot single-electron transistor fabricated in silicon nanowire on SOI substrate,
    International Workshop on Photons and Spins in Nanostructures (IWPSN, July 27-28, 2009, Hokkaido Univ., Sapporo)

    invited_talk
    Y. Takahashi, T. Kaizawa, M. Jo, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, H. Inokawa, and J.-B. Choi:
    Novel-functional single-electron devices using silicon nanodot array
    2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices  (AWAD-2009, June 24-26, Pusan, Korea), IEICE Technical report, pp. 145-148.

    M. Jo, T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, and J.-B. Choi:
    Fabrication of coupled-dot single-electron transistor in silicon nanowire
    2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD-2009, June 24-26, Pusan, Korea), IEICE Technical report, pp. 189-192.

    M. Jo, T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, and J.-B. Choi:
    Fabrication of Coupled-dot single-electron transistor in silicon nanowire
    2009 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2009, June 13-14, Kyoto). Workshop Abstract, pp. 155- 156.

    M. A. H. Khalafalla, Y. Ono, K. Nishiguchi, and A. Fujiwara:
    Detection and position analysis of single and coupled acceptors in silicon nano field-effect transistors
    2009 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2009, June 13-14, Kyoto). Workshop Abstract, pp. 137- 138.

    M. Kawachi, Y. Ono, A. Fujiwara, and S. Horiguchi:
    Effect of δ-function-like boron charge sheet on p-channel ultra-thin SOI MOSFETs
    2009 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2009, June 13-14, Kyoto). Workshop Abstract, pp. 89- 90.

    M. Jo, T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, and J.-B. Choi:
    Double-dot single-electron transistor fabricated in silicon nanowire
    6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, (ICSI-6, May 18-22, 2009, Los Angels, USA), Workshop Abstract, p54-55.

    2008
    invited_talk
    Y. Takahashi, T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, and H. Inokawa:
    New functional single-electron devices using nanodot array and multiple input gates
    The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008, December 9– 13, Nagoya).

    Y. Niida, K. Takashina, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Hirayama, and K. Muraki:
    Asymmetric mobility of electrons and holes with respect to quantum-well potential in a double gate SIMOX MOSFET, International Symposium on Nanoscale Transport and Technology, (ISNTT-2008, Jan. 20-23, Atsugi), Program and Abstract, p. 127.

    K. Takashina, M. Nagase, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, T. Fujisawa, and K. Muraki:
    In-plane transport in a double layer crystalline silicon structure with an SiO2 barrier
    International Symposium on Nanoscale Transport and Technology, (ISNTT-2008, Jan. 20-23, Atsugi), Program and Abstract, p. 128.

    M. A. H. Khalafalla, Y. Ono, K. Nishiguchi, and A. Fujiwara:
    Detection and position analysis of single and coupled acceptors in silicon nano field-effect transistors
    International Symposium on Nanoscale Transport and Technology, (ISNTT-2008, Jan. 20-23, Atsugi), Program and Abstract, pp. 51 – 52.

    invited_talk
    A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Inokawa, and Y. Takahashi:
    Single-electron devices and their circuit applications,
    Tera-level nanodevices (TND) Technical Forum (TND 2008, October 6– 7, Korea).

    invited_talk
    Y. Ono, M. Khalafalla, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, K. Takashina, S. Horiguchi, Y. Takahashi, and H. Inokawa:
    Single-dopant effect in Si MOSFETs
    IEEE Nanotechonology Materials and Devices Conference 2008 (NMDC-2008, Oct. 20-22, Kyoto, Japan), Final program and Abstract, p. 247.

    S. Miyamoto, K. Nishiguchi, Y. Ono, K. M. Ito, and A. Fujiwara:
    Escape dynamics of electron in a single-electron ratchet using silicon nanowire MOSFETs
    IEEE Nanotechonology Materials and Devices Conference 2008 (NMDC-2008, Oct. 20-22, Kyoto),  Final program and Abstract, p. 98.

    K. Takashina, M. Nagase, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, and T. Fujisawa:
    In-plane transport in a double layer crystalline silicon structure with an SiO2 barrier
    IEEE Nanotechonology Materials and Devices Conference 2008 (NMDC-2008, Oct. 20-22, Kyoto), Final program and Abstract, p. 16.

    invited_talk
    Y. Ono:
    Single boron detection in nano-scale SOI MOSFETs
    The 2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IEEE IMFEDK-2008, May. 22-23, Osaka, Japan), Abstract pp. 35-36.

    2007
    invited_talk
    Y. Ono, M. Khalafalla, K. Nishiguchi, K. Takashina, and A. Fujiwara:
    Charge transport in boron-doped nano MOSFETs: Towards single-dopant electronics
    Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V, 2007, Nov. 12-14, Tokyo, Japan), Extended abstracts & program, pp. 9 – 10.

    invited_talk
    Y. Takahashi, T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, and H. Inokawa:
    New functional single-electron devices using nanodot array and multiple input gates
    3rd International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (November 8 – 9, 2007, Sendai, Japan)

    H. Inokawa, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Ono, and H. Satoh:
    A simple test structure for extracting capacitances in nanometer-scale MOSFETs
    The 6-th annual International Conference on Global Research and Education (Inter-Academia-2007, September 25 – 28, 2007, Hamamatsu).

    A. Fujiwara, K. Nishiguchi, and Y. Ono:
    Nanoampere charge pumping by single-electron ratchet using Si nanowire MOSFETs
    2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2007, September 18-21, Tsukuba), Extended Abstracts, pp. 1144 – 1145.

    M. Khalafalla, Y. Ono, K. Nishiguchi, and A. Fujiwara:
    Identification of single and coupled acceptors in silicon nano field-effect transistors
    2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2007, September 18-21, Tsukuba), Extended Abstracts, pp. 210 – 211.

    H. Inokawa, A. Fujiwara, K. Nishiguchi and Y. Ono:
    Capacitive parameter extraction for nanometer-size field-effect transistors
    2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2007, September 18-21, Tsukuba), Extended Abstracts, pp. 874 – 875.

    A. Fujiwara, K. Nishiguchi, and Y. Ono:
    Single-electron ratchet using silicon nanowie MOSFET
    International Conference on Electronic Properties of Two-dimensional Systems and Modulated  Semiconductor Structures (EP2DS 17 + 13 MSS, 5-20 July, 2007, Genova Magazzini del Cotone, Italy), MSS13 Abstract Book, pp. 215 – 217

    S. Yabuuchi, H. Kageshima, Y. Ono, M. Nagase, A. Fujiwara, E. Ohta:
    Theoretical study on magnetic properties of manganese nanosilicide in silicon
    17th International Vacuum Congress (IVC-17, joint with ICSS-13 and ICN+T2007, July 2 – 6, 2007, Stockholm, Sweden)

    D. Moraru, Y. Ono, H. Inokawa, K. Yokoi, H. Ikeda, and M. Tabe:
    Effects of parameter randomness on quantized-electron transfer in 1D multiple-tunnel-junction arrays
    2007 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2007, June 10-11, Kyoto) Workshop Abstract, pp. 161- 162.

    Y. Ono, M. Khalafalla, K. Nishiguchi, K. Takashina, H. Yamaguchi, A. Fujiwara, S. Horiguchi, H. Inokawa, and Y. Takahashi:
    Dopant-mediated charge transport in boron-doped nano MOSFETs
    2007 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2007, June 10-11, Kyoto) Workshop Abstract, pp. 159- 160.

    S. Yabuuchi, Y. Ono, M. Nagase, H. Kageshima, A. Fujiwara, E. Ohta:
    Magnetic properties of manganese nanosilicide in silicon
    2007 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2007, June 10-11, Kyoto) Workshop Abstract, pp. 177- 178.

    T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara1, K. Yamazaki1, Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi, and J.-B. Choi:
    Single-electron device using Si nanodot array and multi-input gates
    2007 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2007, June 10-11, Kyoto) Workshop Abstract, pp. 171- 172.

    H. W. Liu, T. Fujisawa, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, K. Takashina, and Y. Hirayama:
    Electron transport through single and double quantum dots in silicon MOS structures
    2007 Frontiers in Nanoscale Science and Technology Workshop (FNST2007, March 29 – 31, 2007, University of Tokyo, Tokyo)

    invited_talk
    H. Inokawa , K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, and Y. Takahashi:
    Recent progress in integration of silicon single-electron devices.
    The 4th International Workshop on Ubiquitous Knowledge Network Environment (March 5 – 7, 2007, Sapporo, Japan) Abstract, p. 15.

    Y. Ono, J.-F. Morizur, K. Nishiguchi, K. Takashina, H. Yamaguchi, A. Fujiwara, K. Hiratsuka, S. Horiguchi, H. Inokawa, and Y. Takahashi:
    Hopping conduction in buried-channel SOI MOSFETs with shallow impurities
    International Conference on Nanoelectronics, Nanostructures, and Carrier Interaction (NNCI2007, February 20 – 23, 2007, Atsugi, Kanagawa). Program & Abstract p. 161.

    2006
    T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, K. Yamazaki1, Y. Ono, H. Inokawa, and Y. Takahashi:
    Single-electron device using Si nanodot array and multi-input gates
    8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT2006, Oct. 23-26,    2006, Shanghai, China), Technical program, D3-7.

    H. Inokawa, K. Nishiguchi, A. Fujiwara, Y. Ono,Y. Takahashi, and H. Yamaguchi:
    Metal-Oxide-Semiconductor-Based Single-Electronics
    The 5-th annual International Conference on Global Research and Education (inter-Academia2006, September   25 – 28, 2006, Iasi, Romania), Abstract pp. 175 – 184.

    D. Moraru, Y. Ono, H. Inokawa, K. Yokoi, R. Nuryadi, H. Ikeda, and M. Tabe:
    Towards single-electron pump operation using one ac gate bias in doped Si nanowires
    The 5-th annual International Conference on Global Research and Education (inter-Academia2006, September    5 – 28, 2006, Iasi, Romania), Abstract pp. 373 – 380

    D. Moraru, Y. Ono, H. Inokawa, K. Yokoi, R. Nuryadi, H. Ikeda and M. Tabe:
    Observation of single-electron pump operation with one ac gate bias in phosphorous-doped Si wires 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2006, September 13-15, Yokohama) Extended Abstracts, pp. 820-821.

    K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, and Y. Takahashi:
    Infrared detection with silicon nano transistors.
    2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2006, September 13-15, Yokohama), Extended Abstracts, pp. 10-11.

    T. Goto, H. Inokawa, K. Sumitmo, M. Nagase, Y. Ono, and K. Torimitsu:
    Effect of UV/ozone treatment on nanogap electrodes for molecular devices
    2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2006, September 13-15, Yokohama), Extended Abstracts, pp. 912-913.

    K. Takashina, B. Gaillard, Y. Ono, and Y. Hirayama:
    Low temperature characteristics of ambipolar SiO2/Si/SiO2 Hall-bar Devices
    2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2006, September 13-15, Yokohama), Extended Abstracts, pp. 830-831.

    S. Suzuki, K. Kanzaki, Y. Ono, H. Inokawa, A. Vijayaraghavan, and Y. Kobayashi:
    Mechanism of metal-semiconductor transition in the electric properties of single-walled carbon nanotubes   induced by low-energy electron irradiation
    2006 nanotube (Nanotube06, Nagano, July 24 -28 2006). Workshop abstract, G.007, p.405.

    K. Takashina, Marc-Aur` ele Brun, T. Ota, D. Maude, A. Fujiwara, Y. Ono, H. Inokawa, and Y. Hirayama:
    Resistance Ridges Along Filling Factor = 4i in SiO2/Si/SiO2 Quantum Wells.
    2006 International Conference on Physics of Semiconductors (ICPS-2006. Vienna, Austria, July 24 -28 2006). TuA1c.7, Workshop abstract, pp. 50-51.

    W. C .Zhang, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, and N. J. Wu:
    Transfer and detection of single electrons using metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors
    Asia-Pacific 2006 Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices  (AWAD-2006, July 3-5, Sendai). Workshop abstract, pp. 249-253.

    invited_talk
    Y. Ono, K. Nishiguchi, K. Takashina, H. Inokawa, S. Horiguchi, and Y. Takahashi:
    Impurity conduction and its control in phosphorus-doped SOI MOSFET.
    2006 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2006, June 11-12, Hawaii, USA).Workshop abstract, pp. 111-112.

    K. Nishiguchi, A. Fujiwara, Y. Ono, H. Inokawa, and Y. Takahashi:
    Long-retention gain-cell DRAM using undoped SOI MOSFET.
    2006 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2006, June 11-12, Hawaii, USA). Workshop abstract, pp. 101-102.

    K. Nishiguchi, A. Fujiwara, Y. Ono, H. Inokawa, and Y. Takahashi:
    Room-temperature operation of data processing circuit based on single-electron transfer and detection with  metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor technology.
    2006 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2006, June 11-12, Hawaii, USA). Workshop abstract, pp. 23-24.

    H.W. Liu, T. Fujisawa, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, and Y. Hirayama:
    Resonant tunneling transport through silicon double quantum dot
    International Conference Nanoscience and Technology (ICNT 2006, July 30-August 4, Basel, Switzerland),   Abstract pp.5

    invited_talk
    Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi, and H. Inokawa:
    Single-electron transfer in silicon; Towards single-dopant electronics.
    The 3rd International Workshop on Ubiquitous Knowledge Network Environment (February 27 – March 1, 2006, Sapporo, Japan) Abstract, p. 15

    K.Takashina, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, Y. Takahashi and Y. Hirayama:
    Control of valley-splitting in silicon-on-insulator MOSFET’s.
    2006 Frontiers in Nanoscale Science and Technology (FNST, January 26-28, San Francisco, USA)

    2005
    invited_talk
    Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi, and H. Inokawa:
    Single-electron transfer in silicon.
    2005 International Workshop on the Physics semiconductor devices (IWPSD, December 13-17, 2005, New  Delhi, India)

    invited_talk
    H. Inokawa, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, and Y. Takahashi:
    Single-Electron Devices and Circuits fabricated by MOS Processes,
    2005 Tera-level nanodevices (TND) Technical Forum (TND 2005 October 6– 7, Korea).

    invited_talk
    Y. Ono:
    Single-electron manipulation in silicon; Towards single-dopant electronics.
    7th International Conference on New Phenomena in Mesoscopic Structures and 5th International Conference on Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices (NPMS-7/SIMD-5, November 27 – December 2, 2005, Maui, USA) Abstract, p. 29.

    invited_talk
    Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi, and H. Inokawa:
    Single-electron manipulation; Interplay with crystalline imperfection.
    2nd International Symposium on Point Defect and Nonstoichiometry (ISPN-2, October 4-6, 2005, Kaoshiung, Taiwan) Session Th-A2-1
    Final program and Abstract book, p. 20.

    N. Clement, H. Inokawa, and Y. Ono:
    Studies on MOSFET low-frequency noise for electrometer applications,
    2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2005, September 12-15, Kobe),  Extended abstract, pp. 176-177.

    K. Kanzaki, S. Suzuki, Y. Kobayashi, Y. Ono, and H.Inokawa:
    Control of electrical properties of single-walled carbon nanotubes by low-energy electron irradiation
    2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2005, September 12-15, Kobe), Extended abstract, pp. 772-773.

    invited_talk
    K.Takashina, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi, and Y. Hirayama:
    Control of valley and spatial subbands in double-gate MOSFETs –Electronic states in a silicon quantum well–
    2005 Asdia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices  (AWAD-2005, June 28-30, Seoul, Korea), Workshop abstract, pp. 39-42.

    K. Kanzaki, A. Vijayaraghavan, S. Suzuki, Y. Kobayashi, H. Inokawa, and Y. Ono:
    Conductivity control of single-walled carbon nanotubes by electron beam exposure,
    Sixth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT05, June 26 – July 1, 2005, Gothenburg, Sweden) Session, Poster XIX.6, abstract p. 389.

    K. Takashina, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi, and Y. Hirayama:
    Intersubband scattering in double-gate SOI MOSFETs
    2005 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2005, June 12-13, Kyoto). Workshop abstract, pp. 4-5.

    K. Nishiguchi, O. Clauste, H. Namatsu, S. Horiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, and Y. Takahashi:
    Back-gate effect on Coulomb blockade in SOI trench wires,
    2005 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2005, June 12-13, Kyoto). Workshop abstract, pp. 84-85.

    M. Nagase, Y. Ishikawa, Y. Ono, and M. Tabe:
    Imaging of nano-scale embedded dislocation network in Si bicrystal,
    2005 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2005, June 12-13, Kyoto). Workshop abstract, pp. 108-109.

    invited_talk
    Y. Takahashi, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, and H. Inokawa:
    Silicon-based single-electron devices
    Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4, May 23-26, 2005, Awaji Island, Hyogo)

    invited_talk
    Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi, and H. Inokawa:
    Silicon single-electron pump and turnstile; Interplay with crystalline imperfection.
    2005 Material Research Society Spring Meeting (2005 MRS Spring meeting, March 28 – April 1, 2005, San Francisco, CA, USA) Session E6.7.

    Y. Ishikawa, K. Yamauchi, R. Nuryadi, H. Ikeda, M. Tabe, Y. Ono and M. Nagase:
    Conductivity enhancement in thin silicon-on-insulator layer embedding artificial dislocation network.
    2005 Material Research Society Spring Meeting (2005 MRS Spring meeting, March 28 – April 1, 2005, San Francisco, CA, USA) Session E6.5.

    invited_talk
    N. M. Zimmerman, A. Fujiwara, Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi, and E. Hourdakis:
    The physics of Coulomb blockade in tunable barrier Si wires.
    International Conference on Nanoelectronics, Nanostructures, and Carrier Interaction (NNCI2005, January 30 – February 2, 2005, Atsugi, Kanagawa). Program&Abstract p. 21.

    Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, S. Horiguchi, and Y. Takahashi:
    Room- and low-temperature characteristics of phosphorus-doped SOI MOSFET
    International Conference on Nanoelectronics, Nanostructures, and Carrier Interaction (NNCI2005, January 30 – February 2, 2005, Atsugi, Kanagawa). Program&Abstract p. 19.Session MO-10, Program & Abstract p. 19.

    2004
    K. Nishiguchi, A. Fujiwara, Y. Ono, H. Inokawa, and Y. Takahashi:
    Room- temperature single-electron transfer and detection with silicon nanodevices.
    IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM-04, December 13 – 15, 2004, San Francisco, USA). Technical digest, pp. 199 – 202.

    invited_talk
    Y. Takahashi, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, and H. Inokawa:
    Single-electron device applications using their special functionarity
    The sixth international conference on nano-molecular electronics (ICMNE-2004, December 15-17, 2004, Kobe, Japan).

    invited_talk
    Y. Takahashi, Y. Ono, A. Fujiwara, and H. Inokawa:
    Silicon single-electron devices and their applications,
    2004 The 7th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT2004, October 18-21, 2004, Beijing, China).

    invited_talk
    Y. Takahashi, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, and H. Inokawa:
    Application of silicon single-electron devices,
    First annual meeting on the fusion of biotechnology, nanotechnology, and semiconductor technology (FBNS2004, October 7-8, 2004, Kyoto, Japan)

    invited_talk
    Y. Ono: Keynote Lecture
    Single-electron transistor and its logic applications,
    ITRS Emerging research logic devices workshop (ERD2004, September 24, 2004, Leuven, Belgium).

    Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, S. Horiguchi, and Y. Takahashi:
    Charge-state control of phosphorus donors in SOI MOSFET,
    2004 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2004, September 15-17, Tokyo). Extended abstract, pp. 132-133.

    Y. Ishikawa, K. Yamauchi, H. Ikeda, Y. Ono, M. Nagase, M. Tabe:
    Formation of nanometer-scale dislocation network sandwiched by silicon-on-insulator layers
    2004 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2004, September 15-17, Tokyo) Extended Abstracts, pp. 336-337.

    N .M. Zimmerman, A. Fujiwara, S. Martin, Y. Ono, and Y. Takahashi:
    Silicon-based tunable-barrier single-charge sources,
    Conference on Precision Electromagnetic Measurements (CPEM 2004, June 27- July 2, London, UK). Proceedings pp. 448-449 (IEEE Catalog Number: 03EX741).

    2003
    A. Fujiwara, N. M. Zimmerman, Y. Ono, and Y. Takahashi:
    Single-electron turnstile using Si-wire charge-coupled devices,
    2003 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS 2003, December 10-12,    Washington, USA) Symposium Proceedings pp. 485-486 (IEEE Catalog Number: 03EX741).

    S-J. Kim, Y. Ono, Y. Takahashi and J.-B. Choi:
    Fabrication of combined structure of silicon single-electron pump with an extra island and MOSFET charge detector,
    2003 International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2003, October 29-31, Tokyo). Abstract, pp. 26-27.

    K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Ono, A. Fujiwara, and Y. Takahashi:
    Automatic control of the oscillation phase of a single-electron transistor by a memory node with a small MOSFET, 61th Annual Device Research Conference (DRC 2003, June 23-25, Salt-lake City, USA). Abstract, pp. 135-136.

    Y. Ono, K. Yamazaki, and Y. Takahashi:
    Silicon single-electron turnstile,
    61th Annual Device Research Conference (DRC 2003, June 23-25, Salt-lake City, USA).Abstract, pp. 137-138.

    Y. Ono, N. M. Zimmermann, and Y. Takahashi:
    Single-electron pump using Si dual-gate single-electron transistor,
    2003 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2003, June 8-9, Kyoto). Workshop abstract, pp. 78-79.

    H. Namatsu, Y. Watanabe, K. Yamazaki, T. Yamaguchi, M. Nagase, Y. Ono, A. Fujiwara, and S. Horiguchi:
    Influence of oxidation temperature on Si single-electron transistor characteristics
    47-th International Conference on Electron, Ion, and Photon Beam Technology and Noanofabrication (EIPBN-2003, June).

    2002
    H. Namatsu, Y. Watanabe, K. Yamazaki, T. Yamaguchi, M. Nagase, Y. Ono, A. Fujiwara, and S. Horiguchi:
    Fabrication of size-controlled Si single-electron transistors by E-beam nanolithography,
    46-th International Conference on Electron, Ion, and Photon Beam Technology and Noanofabrication  (EIPBN-2002, June).

    2001
    Y. Ono and Y. Takahashi:
    Observation of negative differential conductance and its impact on single-electron-transistor characteristics,
    2001 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2001, September 26-28, Tokyo).Extended abstract, pp. 550-551.

    invited_talk
    Y. Ono, K. Yamazaki, M. Nagase, S. Horiguchi, K. Shiraishi, and Y. Takahashi:
    Single-electron and quantum SOI devices,
    12th biannual Conference on Insulating Films on Semiconductors Conference　(INFOS-2001, June 20-23, Udine, Italy).
    Abstract, pp. 149-150.

    Y. Ono and Y. Takahashi:
    Single-electron pass-transistor logic and its application to a binary adder,
    2001 Symposium on VLSI Circuits (VLSI-2001, June 14-16, Kyoto). Digest of Technical Papers, pp. 63-66.

    Y. Ono, K. Yamazaki, and Y. Takahashi:
    Arithmetic operations by single-electron transistors,
    2001 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2001, June 10-11, Kyoto).Workshop Abstracts, pp. 34-35.

    2000
    Y. Ono, and Y. Takahashi:
    Single-electron pass-transistor logic: Operation of its elemental circuit,
    2000 International Electron Devices Meeting (IEDM-00, December 10-13, San Fransisco, USA). Technical Digest, pp. 297-300.

    Y. Ono, Y. Takahashi, K. Yamazaki, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, and K. Murase:
    Fabrication method for IC-oriented Si single-electron transistors,
    2000 International Seminar on Physics and Technology of Compound Semiconductor Advanced Devices  (RCIQE –2000, February 7-8, Sapporo).Collected abstract pp. 51-56.

    1999
    Y. Ono, Y. Takahashi, K. Yamazaki, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, and K. Murase:
    Si complementary single-electron inverter,
    1999 International Electron Devices Meeting (IEDM-1999, December 5-8, Washington, USA). Technical Digest, pp. 367-370.

    T. Ernst, D. Munteanu, S. Christoloveanu, T. Ouisse, N. Hefyene, S. Horiguchi, Y. Ono, Y. Takahashi, and K. Murase:
    Ultimately thin SOI MOSFETs: Special characteristics and mechanisms,
    1999 IEEE International SOI Conference (1999, October 4-7, Rohnert Park, CA, USA). Abstract, pp. 92-93.

    Y. Ono, Y. Takahashi, K. Yamazaki, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, and K. Murase:
    Single-electron transistor and current-switching device fabricated by vertical pattern-dependent oxidation (VPADOX).
    1999 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-1999, September 21-24, Tokyo). Extended abstract, pp. 230-231.

    1998
    Y. Ono, Y. Takahashi, K. Yamazaki, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, and K. Murase:
    Fabrication method for IC-oriented Si twin-island single-electron transistors,
    1998 International Electron Devices Meeting (IEDM-1998, December 6-9, San Fransisco, USA).Technical Digest, pp. 123-126 (1998).

    1996
    Y. Ono, Y. Takahashi, S. Horiguchi, K. Murase, and M. Tabe:
    Electron tunneling from a quantum wire formed at the edge of a SIMOX-Si layer,
    1996 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-1996, August 26-29, Yokohama) Extended abstract, pp. 178-180.

    1992
    Y. Ono and M. Tabe:
    STM study of thermal oxidation process on Si(111)7×7 surfaces
    1992 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-1992, August 26-28, Tsukuba) Extended abstract, pp. 196-198.

    1991
    Y. Ono, M. Tabe, and Y. Sakakibara:
    Fluorine segregation at SiO2/Si interface
    1991 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-1991, August 27-29, Yokohama) Extended abstract, pp. 490-492.

  • 2024
    堀匡寛, 小野行徳：
    シリコンMOS界面における電子正孔共存系の形成
    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
    （2024年3月22日-25日、東京都市大学　世田谷キャンパス）

    土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳：
    MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（10）- 捕獲電子の再結合課程(Ⅳ)-
    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
    （2024年3月22日-25日、東京都市大学　世田谷キャンパス）

    土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳：
    MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（10）- 捕獲電子の再結合課程(Ⅲ)-
    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
    （2024年3月22日-25日、東京都市大学　世田谷キャンパス）

    2023
    土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳：
    MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（9）- 捕獲電子の再結合課程(Ⅱ)-
    2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
    （2023年9月19日-23日、熊本城ホール）

    土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳：
    MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（8）- 捕獲電子の再結合課程(Ⅰ)-
    2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
    （2023年9月19日-23日、熊本城ホール）

    樋田啓, 酒井洸児, 手島哲彦, 堀匡寛, 角柳孝輔, Imran Mahboob, 小野行徳, 齊藤志郎：
    超伝導磁束量子ビットによる神経細胞の磁化測定
    2023年 日本物理学会 春季大会
    （2023年3月22日-25日、オンライン開催）

    土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳：
    MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（7）- τDに関する考察 –
    2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
    （2023年3月15日-18日、上智大学四谷キャンパス）

    土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳：
    MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（6）- 欠陥構造緩和(Ⅱ) –
    2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
    （2023年3月15日-18日、上智大学四谷キャンパス）

    招待講演
    小野行徳：
    シリコンMOS構造における電子流体の観測と低消費電力デバイス応用
    電子情報通信学会　システムナノ技術に関する特別研究専門委員会第1回研究会
    （2023年1月31日、産総研臨海副都心センター）

    2022
    土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳：
    MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（5）-タイプ4と5の識別 –
    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
    （2022年9月20日-23日、東北大学川内北キャンパス）

    土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳：
    MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（4）-欠陥構造緩和 –
    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
    （2022年9月20日-23日、東北大学川内北キャンパス）

    土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳：
    MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（3）-ドナー型準位 –
    2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
    （2022年3月22日-26日、青山学院大学相模原キャンパス）

    土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳：
    MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（2）-アクセプタ型準位 –
    2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
    （2022年3月22日-26日、青山学院大学相模原キャンパス）

    土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳：
    MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（1）-両性準位のDOS-
    2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
    （2022年3月22日-26日、青山学院大学相模原キャンパス）

    堀匡寛, 小野行徳：
    Si MOSFETにおける電子スピン共鳴チャージポンピング
    東北大学-静岡大学合同冬季研究会 共同プロジェクト研究（R02/S01）先端的コヒーレント波技術の基盤構築とその応用
    （2022年1月7日、東北大学電気通信研究所）

    2021
    Y.Ono：
    Electron aspirator using electron-electron scattering in nanoscale silicon
    東北大学電気通信研究所 令和2年度共同研究プロジェクト研究発表会
    （2021年2月18日、オンライン開催）

    2020
    第11回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演
    小野行徳, フィルダス ヒンマ, 渡邉時暢, 堀匡寛, モラル ダニエル, 高橋庸夫, 藤原聡：
    ナノスケール・シリコンにおける電子・電子散乱を利用したエレクトロン・アスピレーター
    第81回応用物理学会秋季学術講演会
    （2020年9月8日-11日、オンライン開催）

    第11回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演
    堀匡寛：
    シリコンMOSトランジスタにおける電子スピン共鳴下のチャージポンピング
    第81回応用物理学会秋季学術講演会
    （2020年9月8日-11日、オンライン開催）

    2019
    招待講演
    小野行徳：
    シリコンにおける電子̶電子散乱を用いたエレクトロン・ナノ・アスピレーター
    2019年電子情報通信学会ED・CPM・SDM共催 平成31年度5月研究会
    『機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術』
    （2019年5月16日、静岡大学創造科学技術大学院）

    2018
    招待講演
    堀匡寛,  小野行徳：
    チャージポンピングEDMR 法を用いたSiO2/Si 界面の欠陥検出
    2018 年日本表面真空学会中部支部研究会『Si 表面・界面・ナノ構造の研究最前線』
    （2018年11月30日、静岡大学創造科学技術大学院）

    土屋敏章,  堀匡寛,  小野行徳：
     チャージポンピング法によるSi/SiO2界面近傍酸化膜トラップの評価
    第65回応用物理学会春季学術講演会
    （2018年3月17日-20日、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京都）

    堀匡寛,  土屋敏章, 小野行徳：
    チャージポンピングEDMR法によるシリコンMOS界面の欠陥検出
    第65回応用物理学会春季学術講演会
    （2018年3月17日-20日、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京都）

    安藤克哉,  堀匡寛,  土屋敏章,  小野行徳：
    チャージポンピングEDMR法における信号強度の温度依存性評価
    第65回応用物理学会春季学術講演会
    （2018年3月17日-20日、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京都）

    渡邉時暢,  多胡友,  杉浦史悦,  堀匡寛,  小野行徳,  塚本裕也,  大見俊一郎：
    PtHfSi/p-Si(100)ショットキー接合の低温特性
    平成29年度生体医歯工学共同研究拠点成果報告会
    （2018年3月9日、東京工業大学すずかけ台キャンパス、横浜市）

    渡邉時暢,  堀匡寛,  小野行徳：
    Silicon-on-insulatorデバイスにおける低温チャージポンピング
    シリコン材料・デバイス研究会（ＳＤＭ）
    （2018年2月28日、北海道大学百年記念館、札幌市）

    2017
    第10回（2017秋季応物学会）Poster Award受賞
    M. Hori, T. Tsuchiya, Y. Ono：
    Charge-pumping electrically-detected magnetic resonance for detection of silicon dangling bonds
    (2017年9月7日、福岡国際センター、福岡市）

    依頼公演
    小徳野行,  堀匡寛,  土屋敏章：
    シリコンにおけるチャージポンプー電荷とスピンの室温極限操作に向けてー
    第29回シリサイド系半導体研究会（2017年3月17日、八洲学園大学、横浜市）

    渡邉時暢,  堀匡寛,  土屋敏章,  藤原聡,  小野行徳:
    Silicon-on-insulator MOS デバイスにおける実時間チャージポンピングの応用
    第64回応用物理学会春季学術講演会（2017年3月15日、パシフィコ横浜、横浜市）16a-412-10

    T. Hasan,  A. Samanta, A. Afiff, L. T. Anh, M. Manoharan, M. Hori, Y. Ono, H. Mizuta, M. Tabe, D. Moraru:
    Study of Stability of A-few-donor Quantum Dots with Different Configurations for Room-Temperature Single-Electron Tunneling Operation
    第64回応用物理学会春季学術講演会（2017年3月15日、パシフィコ横浜、横浜市）15p-P15-3

    G. Prabhudesai, L. T. Anh, M. Shibuya, M. Manoharan, M. Hori, Y. Ono, H. Mizuta, M. Tabe, D. Moraru:
    Study of Electron Localization Effects in Donnor-Acceptor Pairs in Low-Dimensional Si Tunnel Diodes
    第64回応用物理学会春季学術講演会（2017年3月15日、パシフィコ横浜、横浜市）15ｐ-P15-4

    渡邉時暢,  堀匡寛,  小野行徳:
    SOI MOS p-i-nダイオードの低温チャージポンピング
    電子情報通信学会研究会（2017年2月24日、北海道大学百年記念会館、札幌市）

    2016
    依頼公演
    小野行徳:
    Single-dopant transistor and pump-Interplay with single     phonon–
    電気学会「ナノエレクトロニクス新機能創出・集積化技術」調査専門委員会
    フォノンエンジニアリング講演会（2016年11月11日、早稲田大学喜久井町キャンパス、新宿区）

    優秀論文賞受賞記念講演
    土屋敏章,  小野行徳：
    Charge pumping current from single Si/SiO2     interface traps: Direct observation of Pb centers and fundamental trap-counting by the charge pumping method.
    第77回応用物理学会秋季学術講演会（2016年９月13日-16日、朱鷺メッセ、新潟市）

    堀匡寛,  成松諒一,  土屋敏章,  小野行徳:
    高感度チャージポンピングＥＤＭＲ法の開発
    第77回応用物理学会秋季学術講演会（2016年９月13日-16日、朱鷺メッセ、新潟市）,半導体, デバイス/集積化技術 14a-B13-5

    Daniel loan Moraru, Mitsuki Shibuya, Ratno Nuryadi, Masahiro Hori, Yukinori Ono, MIchiharu Tabe:
    Analysis of phonon assistance as a function of temperature in inter-band tunneling in 2D Si lateral Esaki diodes
    第77回応用物理学会秋季学術講演会（2016年９月13日-16日、朱鷺メッセ、新潟市）,半導体,ナノ構造・量子現象　16a-A26-1-7

    2013
    渡辺時暢，堀匡寛，土屋敏章，小野行徳：
    実時間チャージポンピング法の開発
    第61回 応用物理学会春季学術講演会（2013年3月20日、青山学院大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集 積化技術 20p-F12-3

    福本展大,  小野行徳,  堀匡寛,  森脇成典,  三尾典克：
    電子スピン共鳴を用いたKAGRAサファイアミラーの吸収測定
    第60回 応用物理学関係連合講演会（2013年3月28日、神奈川工科大学），結晶評価、ナノ不純物、結晶欠陥 28p-PA3-5

    2011
    後藤東一郎，猪川洋，小野行徳，藤原聡，鳥光慶一：
    フェニル系分子素子の温度特性
    第72回応用物理学会学術講演会（2011年9月1日、山形大学），有機分子・バイオエレクトロニクス；評価･基礎物性

    小松原彰，堀匡寛，熊谷国憲，小野行徳，谷井孝至，遠藤哲郎，大泊巌，品田賢宏：
    砒素イオン注入によるドーパント位置制御効果
    第72回応用物理学会学術講演会（2011年9月1日、山形大学），半導体A（シリコン）；プロセス技術

    堀匡寛，E.  Prati，F.  Guagliardo，小野行徳，小松原彰，熊谷国憲，谷井孝至，遠藤哲郎，大泊巌，品田賢宏：
    単一イオン注入法による位置と個数を制御したデバイスの低温伝導特性評価
    第72回応用物理学会学術講演会（2011年9月1日、山形大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    アンワル ミフタフル，R. Nowak，小野行徳，D. Moraru，水野武志，リシャルド ヤブロンスキ，田部道晴：
    H2 annealing effects on surface potential of As-implanted Si measured by KFM
    第72回応用物理学会学術講演会（2011年9月1日、山形大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    小野行徳,  藤原聡：
    低ドースイオン注入領域におけるシリコン中砒素のESR 観察
    第58回 応用物理学関係連合講演会（2011年3月25日、神奈川工科大学），半導体A（シリコン）；Siプロセ ス技術

    堀匡寛,  品田賢宏,  平圭吾,  小松原 彰,  小野行徳,  谷井孝至,  遠藤哲郎,  大泊巌：
    ドーパント位置制御による電界効果トランジスタの相互コンダクタンス評価
    第58回 応用物理学関係連合講演会（2011年3月25日、神奈川工科大学），半導体A（シリコン）；Siプロセス技術

    2010
    新井田佳孝,  高品圭,  小野行徳,  藤原聡,  平山祥郎：
    シリコン二次元電子系における谷偏極状態での金属絶縁体相転移
    物理学会秋期年次大会（2010年9月24日、大阪府立大学）

    堀匡寛,  小松原彰,  品田賢宏,  小野行徳, 平 圭吾,  谷井孝至,  遠藤哲郎,  大泊巌：
    基板バイアス印加による単一イオン個数制御性の検証
    第71回応用物理学会学術講演会（2010年9月16日、長崎大学），半導体A（シリコン）；Siプロセス技術

    登坂仁一郎，西口克彦，小野行徳，影島博之, 藤原聡：
    薄層SOI-MOSFET の電流注入発光における巨大Stark 効果
    第71回応用物理学会学術講演会（2010年9月17日、長崎大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    M. Anwar, D. Moraru, M. Ligowski, Y. Kawai, T. Mizuno, R. Jablonski, Y. Ono, M. Tabe：
    KFM Observation of Single-Electron Filling in Individual Dopants
    第71回応用物理学会学術講演会（2010年9月17日、長崎大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    新井田佳孝,  高品圭,  小野行徳,  藤原聡,  村木康二,  平山祥郎：
    ダブルゲートSiMOSFET中の電子・正孔移動度とSi/SiO2界面状態
    物理学会春期年次大会（2010年3月27日、立教大学）

    登坂仁一郎，西口克彦，小野行徳，影島博之, 藤原聡：
    ゲートトンネル分光による薄膜SOI-MOSFET内サブバンド観測
    第57回 応用物理学関係連合講演会（2010年3月17日、東海大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    小野行徳，モハメド カラファラ,  藤原 聡：
    インジウムをドープしたSOI pMOSFET の低温特性
    第57回 応用物理学関係連合講演会（2010年3月17日、東海大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    川合雄也,  M. アンワル,  三木早樹人,  小野 行徳,  D. モラル,  水野 武志,  田部 道晴：
    Si中に低加速イオン注入したAsの低温KFM観察
    第57回 応用物理学関係連合講演会（2010年3月20日、東海大学），半導体A（シリコン）；半導体表面

    後藤東一郎,  猪川洋,  小野行徳,  藤原聡,  鳥光慶一：
    フェニル系共役分子を用いた単一分子素子の伝導特性
    第57回 応用物理学関係連合講演会（2010年3月19日、東海大学），有機分子・バイオエレクトロニクス；評   価・基礎物性

    西口克彦，小野行徳,  藤原 聡：
    ナノMOSFETショットノイズの単一電子計数統計
    第57回 応用物理学関係連合講演会（2010年3月17日、東海大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    2009
    宮崎康晶,  籔内真,  小野行徳,  影島博之,  永瀬雅夫,  藤原聡,  太田英二：
    マンガンをイオン注入したＳＯＩ層の磁気特性
    半導体スピン工学の基礎と応用（2009年12月21日、慶應大学）

    川合雄也,  M.アンワル,  三木早樹人,  小野行徳, D.モラル,  水野武志,  田部道晴：
    低温Kelvin Probe Force 顕微鏡によるイオン注入効果の観察
    日本表面科学会中部支部 学術講演会（2009年12月19日、名古屋工業大学）

    宮本聡，西口克彦，小野行徳，伊藤公平,  藤原聡：
    シリコン単電子ラチェット転送における振動ポテンシャル障壁を越える共鳴活性化現象
    第70回応用物理学会学術講演会（2009年9月11日、富山大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    宮本聡,  西口克彦,  小野行徳,  伊藤公平,  藤原聡：
    シリコン単電子ラチェット転送における少数電子脱出ダイナミクス
    ナノ量子情報エレクトロニクス公開シンポジウム（2009月4月22日、東京大学）

    M. A. H. Khalafalla, Y. Ono, K. Nishiguchi, and A. Fujiwara：
    SOIMOSFETにおける単一アクセプターの位置解析
    第56回 応用物理学関係連合講演会（2009年3月30日、筑波大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    宮崎康晶，小野行徳,  影島博之,  永瀬雅夫,  藤原 聡,  太田英二：
    マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性
    第56回 応用物理学関係連合講演会（2009年3月30日、筑波大学），スピントロニクス・マグネティクス；新物質創生・物性探索

    宮崎康晶，小野行徳,  影島博之,  永瀬雅夫,  藤原 聡,  太田英二：
    マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性
    電子情報通信学会 シリコン材料デバイス研究会（2009年2月26日、北海道大学）

    2008
    河内麻美子,  小野行徳,  堀口誠二：
    nチャネルSOI MOSFETの閾値電圧に対するδ関数型シート状分布リンの効果
    応用物理学会 東北支部大会（2008月12月4日、東北大学)

    新井田佳孝,  高品圭,  西口克彦,  小野行徳,  藤原聡,  村木康二,  平山祥郎：
    量子井戸に形成される二次元正孔系の磁気抵抗の閉じ込めポテンシャル依存性
    物理学会秋期年次大会（2008年9月20日、岩手大学)

    藤原聡,  宮本聡，西口克彦，小野行徳：
    シリコン細線MOSFETにおける単電子捕獲のダイナミクス
    第69回応用物理学会学術講演会（2008年9月4日、中部大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    西口克彦,  Charlie Koechlin,  小野行徳,  藤原聡,  猪川洋,  山口浩司：
    電界効果トランジスタを利用した単一電子エレクトロメータ
    電子情報通信学会 シリコン材料デバイス研究会（2008年7月9日、東京）

    宮本聡，西口克彦，小野行徳,  藤原聡,  伊藤公平：
    シリコン細線MOSFETを用いた単電子ラチェットにおける電子ダイナミクス
    第55回 応用物理学関係連合講演会（2008年3月28日、日本大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    開澤拓弥,  Minkyu Jo,  有田正志,  藤原聡,  小野行徳,  猪川洋：
    ２ｘ２Siナノドットアレイを用いた３入力・２出力デバイスの全加算器動作
    第55回 応用物理学関係連合講演会（2008年3月27日、日本大学），応用物性；ナノエレクトロニクス

    開澤拓弥,  Minkyu Jo,  有田正志,  山崎謙治,  藤原聡,  小野行徳,  猪川洋,  高橋庸夫：
    Siナノドットアレイを用いた２出力単電子デバイスの半加算器動作
    電子情報通信学会 シリコン材料デバイス研究会（2008年1月30日、北海道大学)


    2007
    白澤尚武,  西口克彦,  小野行徳,  藤原聡,  堀口誠二：
    nチャネルSOI MOSFETの閾値電圧に対するδ関数型シート状分布リンの効果
    応用物理学会 東北支部大会（2007月12月6日、八戸工業大学）

    M.カラファラ,  小野行徳, 西口克彦,  藤原聡：
    SOIナノトランジスタにおける個々のボロンドーパントの位置と相互作用
    第68回応用物理学会学術講演会（2007年9月7日、北海道工業大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    藤原聡,  西口克彦，小野行徳：
    シリコン細線MOSFETを用いた単電子ラチェット
    第68回応用物理学会学術講演会（2007年9月7日、北海道工業大学），応用物性；ナノエレクトロニクス

    猪川洋,  藤原聡,  西口克彦，小野行徳,  佐藤弘明：
    転送電流評価によるナノメータＭＯＳＦＥＴの容量パラメータ抽出
    第68回応用物理学会学術講演会（2007年9月5日、北海道工業大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    籔内真,  影島博之,  小野行徳,  永瀬雅夫,  藤原聡,  太田英二：
    第一原理計算によるシリコン結晶中マンガンナノシリサイドの磁性の研究
    第68回応用物理学会学術講演会（2007年9月5日、北海道工業大学），合同セッションE「スピントロニクス・ナノマグネティクス

    籔内真,  小野行徳,  永瀬雅夫,  影島博之,  藤原聡,  太田英二：
    シリコン結晶中マンガンナノシリサイドの強磁性
    第68回応用物理学会学術講演会（2007年9月5日、北海道工業大学），合同セッションE「スピントロニクス・ナノマグネティクス」

    猪川洋，中北要佑,  西口克彦，小野行徳, 藤原聡：
    ３ゲート細線MOSFETによるチャージポンプ動作の検討
    第54回 応用物理学関係連合講演会（2007年3月29日、青山学院大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    西口克彦,  藤原聡,  小野行徳,  山口浩司,  猪川洋,  高橋庸夫：
    シリコン・ナノトランジスタを用いた赤外線検出
    第54回 応用物理学関係連合講演会（2007年3月29日、青山学院大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス ／集積化技術

    小野行徳,  西口克彦，藤原聡,  山口浩司,  猪川洋,  高橋庸夫：
    SOIナノトランジスタにおける少数アクセプターによるコンダクタンス変調
    第54回 応用物理学関係連合講演会（2007年3月27日、青山学院大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス ／集積化技術

    H.W. Liu,  藤澤利正,  猪川洋,  小野行徳,  藤原聡,  平山祥郎：
    シリコン二重量子ドットの単一電子輸送
    物理学会春期年次大会（2007年3月18日、鹿児島大学

    籔内真,  影島博之,  小野行徳,  永瀬雅夫,  藤原聡,  太田英二：
    第一原理計算によるＳｉ結晶中ＭｎＳｉ１．７微粒子の強磁性の検討
    半導体スピン工学の基礎と応用（2007年2月20日、大阪大学）

    開澤拓弥,  有田正志,  藤原 聡,  小野行徳,  山崎謙治,  猪川洋,  高橋庸夫：
    Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス
    電子情報通信学会　電子デバイス研究会（2007年2月1日、北海道大学）

    2006
    平塚一磨,  小野行徳,  山口浩司,  堀口誠二：
    ＳＯＩ　ＭＯＳＦＥＴの閾値電圧に対するリンのイオン化の効果
    電気関係学会東北支部連合大会（2006月8月31日、東北大学）

    後藤東一郎,  猪川洋,  住友弘二,  永瀬雅夫,  小野行徳,  鳥光慶一：
    分子デバイス用ナノギャップ電極に対するUVオゾン処理の影響
    第67回応用物理学会学術講演会（2006年8月30日、立命館大学），有機分子・バイオエレクトロニクス；評価・基礎物性

    ダニエルモラル,  小野行徳，猪川洋,  横井清人,  ラトノニュラディ,  田部道晴：
    PドープSiナノワイヤにおける単電子転送
    第67回応用物理学会学術講演会（2006年8月29日、立命館大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    小野行徳,  J.-F. Morizur,  西口克彦,  高品圭,  山口浩司,  堀口誠二,  高橋庸夫：
    リンドープSOI MOSFETにおける不純物伝導
    第67回応用物理学会学術講演会（2006年8月29日、立命館大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    小野行徳,  西口克彦，高品圭,  堀口誠二,  猪川洋,  高橋庸夫：
    リンドープNチャンネルSOIMOSFET伝導特性のドーパント濃度依存性(2)
    第53回 応用物理学関係連合講演会（2006年3月26日、武蔵工業大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    H.W. Liu,  藤澤利正,  小野行徳,  藤原聡,  猪川洋,  平山祥郎：
    MOSトランジスタで形成されたシリコン二重量子ドットにおけるエネルギー準位間の共鳴トンネル
    第53回 応用物理学関係連合講演会（2006年3月24日、武蔵工業大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    西口克彦,  藤原聡,  小野行徳,  猪川洋,  高橋庸夫：
    MOSFET技術による単一電子伝送と検出を利用した情報処理回路の室温動作
    第53回 応用物理学関係連合講演会（2006年3月24日、武蔵工業大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    2005
    平塚一磨,  小野行徳,  猪川洋,  堀口誠二：
    極薄ＳＯＩ　ＭＯＳＦＥＴの閾値電圧に対するリンのイオン化の効果
    応用物理学会 東北支部大会（2005月12月8日、秋田大学）

    高品圭,  ブルンマークオレル,  モードダンカン,  太田剛,  藤原聡,  小野行徳,  猪川洋,  高橋庸夫,  平山祥郎：
    シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ
    物理学会秋期年次大会（2005年9月19日、同志社大学）

    西口克彦,  Olivier Crauste,  生津英夫,  堀口誠二,  小野行徳,  藤原聡,  高橋庸夫,  猪川洋：
    SOIトレンチ構造中のクーロンブロッケード現象に対する基板電圧効果
    第66回応用物理学会学術講演会（2005年9月10日、徳島大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    小野行徳,  西口克彦,  堀口誠二,  高橋庸夫,  猪川洋：
    リンドープNチャネルSOI MOSFET伝導特性のドーパント濃度依存性
    第66回応用物理学会学術講演会（2005年9月9日、徳島大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化 技術

    高品圭,  小野行徳, 藤原聡,  猪川洋,  高橋庸夫,  平山祥郎：
    SIMOX MOSFETにおける谷分離の効果と制御
    第66回応用物理学会学術講演会（2005年9月7日、徳島大学），半導体A（シリコン）；基礎物性・評価

    西口克彦,  猪川洋,  小野行徳,  藤原聡,  高橋庸夫：
    シリコン・ナノデバイスによる室温での単電子転送と検出
    第52回 応用物理学関係連合講演会（2005年4月1日、埼玉大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    ザイナル・ブルハヌディン,  ラトノ・ヌルヤディ,  石川靖彦,  小野行徳,  田部道晴：
    極薄SOI(111)層の熱凝集によるSi細線およびアイランド形成
    第52回 応用物理学関係連合講演会（2005年3月31日、埼玉大学），半導体A（シリコン）；Siプロセス技術

    神崎賢一,  Aravin Dvijayaraghavan,  鈴木哲,  小林慶裕,  猪川洋,  小野行徳：
    単層カーボンナノチューブデバイスの作製とその輸送特性における電子線照射効果
    第52回 応用物理学関係連合講演会（2005年3月30日、埼玉大学），合同セッションF「カーボンナノチューブの基礎と応用」

    2004
    藤原聡,  Neil Zimmerman,  小野行徳,  猪川洋,  高橋庸夫：
    シリコン細線MOS構造を用いた単一電子転送とその高周波動作
    第65回応用物理学会学術講演会（2004年9月1日、東北学院大学），応用物性；ナノエレクトロニクス

    石川靖彦,  今井泰宏,  池田浩也,  小野行徳,  田部道晴：
    SOI 細線の熱凝集現象におけるパターン加工プロセスの影響
    第65回応用物理学会学術講演会（2004年9月3日、東北学院大学），半導体A（シリコン）；Siプロセス技術

    西口克彦,  猪川洋,  小野行徳,  藤原聡,  高橋庸夫：
    単一電子転送による多値メモリ
    第65回応用物理学会学術講演会（2004年9月1日、東北学院大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    小野行徳,  西口克彦,  猪川洋,  堀口誠二,  高橋庸夫：
    SOI MOSFET中のリンドナーの荷電状態制御
    第65回応用物理学会学術講演会（2004年9月3日、東北学院大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    山内一晃,  山本智寛,  石川靖彦,  小野行徳,  池田浩也,  田部道晴：
    欠陥アレイを有するＳＯＩ層の形成とＡＦＭ観察
    第51回 応用物理学関係連合講演会（2004年3月30日、東京工科大学），半導体A（シリコン）；Siプロセス技術

    西口克彦,  猪川洋,  小野行徳,  藤原聡,  高橋庸夫：
    電界閉じ込め単電子箱による多値メモリ
    第51回 応用物理学関係連合講演会（2004年3月28日、東京工科大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    Sang Jin Kim,  小野行徳,  藤原聡,  Jung Bun Choi：
    シリコン単電子トランジスタの単電子輸送の実時間観察
    第51回 応用物理学関係連合講演会（2004年3月28日、東京工科大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    2003
    小野行徳,  山崎謙治,  林順三,  高橋庸夫：
    シリコン二重ゲート単電子トランジスタを用いたターンスタイル動作
    第64回応用物理学会学術講演会（2003年9月1日、福岡大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化 技術

    小野行徳,  山崎謙治,  林順三,  高橋庸夫：
    シリコン単電子ポンプ
    第50回 応用物理学関係連合講演会（2003年3月27日、神奈川大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    小野行徳,  高橋庸夫：
    シリコン単電子ポンプの転送精度
    第50回 応用物理学関係連合講演会（2003年3月27日、神奈川大学），半導体A（シリコン）；Siデバイス／集積化技術

    2002
    小野行徳,  猪川洋,  高橋庸夫：
    単電子パストランジスタ論理加算器のキャリー伝搬
    第63回応用物理学会学術講演会（2002年9月26日、新潟大学），応用物性；ナノエレクトロニクス

    小野行徳,  高橋庸夫：
    多入力ゲート単電子トランジスタを用いた加算器の構成法
    第49回 応用物理学関係連合講演会（2002年3月28日、東海大学），合同セッションC「Siナノ・デバイス」

    2001
    小野行徳,  林順三,  山崎謙治,  高橋庸夫：
    シリコン単電子トランジスタにおける負性微分コンダクタンスの観測とその回路応用
    第62回応用物理学会学術講演会（2001年9月12日、愛知工業大学），合同セッションC「Siナノ・デバイス」

    小野行徳,  高橋庸夫：
    単電子パストランジスタ論理を用いた半加算器動作の実証
    第48回 応用物理学関係連合講演会（2001年3月28日、明治大学），合同セッションC「Siナノ・デバイス」

    小野行徳,  高橋庸夫：
    単電子パストランジスタ論理を用いた半加算器動作の実証
    電子情報通信学会　電子デバイス研究会（2001年3月1日、北海道大学）

    2000
    小野行徳,  高橋庸夫,  村瀬克実：
    V-PADOX法を用いた高い電圧利得を有する単電子トランジスタの作製
    第61回応用物理学会学術講演会（2000年9月4日、北海道工業大学），合同セッションC「Siナノ・デバイス」

    小野行徳,  高橋庸夫,  山崎謙治,  永瀬雅夫,  生津英夫,  栗原健二,  村瀬克実：
    シリコンＣＭＯＳ型単電子インバーター
    第47回 応用物理学関係連合講演会（2000年3月29日、青山学院大学），合同セッションC「Siナノ・デバイス」

    小野行徳,  高橋庸夫,  山崎謙治,  永瀬雅夫,  生津英夫,  栗原健二,  村瀬克実：
    シリコン相補型単電子インバーター
    電子情報通信学会　電子デバイス研究会（2000年2月9日、北海道大学）

    1999
    Y. Ono, Y. Takahashi, K. Yamazaki, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, and K. Murase:
    Si complementary single-electron inverter,
    1999 International Electron Devices Meeting (IEDM-1999, December 5-8, Washington, USA). Technical Digest, pp. 367-370.

    T. Ernst, D. Munteanu, S. Christoloveanu, T. Ouisse, N. Hefyene, S. Horiguchi, Y. Ono, Y. Takahashi, and K. Murase:
    Ultimately thin SOI MOSFETs: Special characteristics and mechanisms,
    1999 IEEE International SOI Conference (1999, October 4-7, Rohnert Park, CA, USA). Abstract, pp. 92-93.

    Y. Ono, Y. Takahashi, K. Yamazaki, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, and K. Murase:
    Single-electron transistor and current-switching device fabricated by vertical pattern-dependent oxidation (VPADOX).
    1999 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-1999, September 21-24, Tokyo). Extended abstract, pp. 230-231.

    1998
    Y. Ono, Y. Takahashi, K. Yamazaki, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, and K. Murase:
    Fabrication method for IC-oriented Si twin-island single-electron transistors,
    1998 International Electron Devices Meeting (IEDM-1998, December 6-9, San Fransisco, USA).Technical Digest, pp. 123-126 (1998).

    1996
    Y. Ono, Y. Takahashi, S. Horiguchi, K. Murase, and M. Tabe:
    Electron tunneling from a quantum wire formed at the edge of a SIMOX-Si layer,
    1996 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-1996, August 26-29, Yokohama) Extended abstract, pp. 178-180.

    1992
    Y. Ono and M. Tabe:
    STM study of thermal oxidation process on Si(111)7×7 surfaces
    1992 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-1992, August 26-28, Tsukuba) Extended abstract, pp. 196-198.

    1991
    Y. Ono, M. Tabe, and Y. Sakakibara:
    Fluorine segregation at SiO2/Si interface
    1991 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-1991, August 27-29, Yokohama) Extended abstract, pp. 490-492.