発表論文
[1] Kenta Kuze, Noriyuki Osumi, Yohei Fujita, Yoku Inoue, and Takayuki Nakano, “Analysis of interface formation mechanism in GaN double-polarity selective-area growth by metalorganic vapor phase epitaxy”, Jpn. J. Appl. Phys. 55 (2016) 05FA05
国際学会発表
[1] Kenta Kuze, Noriyuki Osumi, Yoku Inoue, and Takayuki Nakano, “The evaluation of growth phenomenon about each polarity in GaN double polarity selective area growth”, Tu-A2, The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), November 8-13, 2015, Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan
[2] K. Kuze, Y. Fujita, H. Mimura, Y. Inoue, and T. Nakano; “The Evaluation of Optical Characteristic of GaN Double Polarity Selective Area Growth by Using MOVPE”, the Second Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA ’14), LEDp6-11, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan, April 22 – 24, 2014
国内学会発表
[1] 久瀬健太，大隅紀之，井上 翼，中野貴之、” MOVPE 法を用いたGaN 両極性同時成長におけるV/III 比依存性の検討“、第7回 窒化物半導体結晶成長講演会（プレISGN-6）、Fr-03、東北大学片平キャンパス片平さくらホール、2015年5月7-8日
[2] 久瀬健太、井上翼、中野貴之、“GaN両極性同時成長におけるV/III比依存性の検討”、第62回応用物理学会春季学術講演会、12p-P16-3、東海大学湘南キャンパス、2015年3月11-14日
[3] 久瀬健太，藤田陽平，井上翼，中野貴之、” MOVPE法を用いたGaN両極性同時成長における極性界面形成メカニズムの検討“、第75回応用物理学会秋季学術講演会、18a-C5-5、北海道大学、2014年9月17-20日
[4] 久瀬健太, 藤田陽平, 井上翼, 中野貴之, ” MOVPE 法を用いた両極性同時成長GaN の極性界面近傍における光学特性評価”, 第6 回窒化物半導体結晶成長講演会, Fr-11, 名城大学天白キャンパス, 2014年7月25-26日
