IWN2018に参加しました

2018年11月11~16日に石川県立音楽堂・ANAクラウンプラザホテルかざわ金沢で開催された「IWN2018」に参加してきました。
当研究室からは以下の3件の発表がありました。

IWN EBARA
[1] Kazushi Ebara, Ken Mochizuki, Yoku Inoue, Toru Aoki, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, and Takayuki Nakano, ”Kinetics analysis of desorption process in BGaN MOVPE”, The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), GR10-5, Ishikawa Ongakudo, ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa, &Motenashi-Dome, Kanazawa, Japan, November 11–16, 2018

IWN MARUYAMA
[2] Takayuki Maruyama, Yuri Takahashi, Natsuki yamada, Kazushi Ebara, Hisaya Nakagawa, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano, “Fabrication and evaluation of thick BGaN neutron detection diodes”, The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), GR10-4, Ishikawa Ongakudo, ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa, & Motenashi-Dome, Kanazawa, Japan, November 11–16, 2018

IWN MATSUHISA
[3] Kai Matsuhisa, Hirotaka Yagi, Yoku Inoue, and Takayuki N, “Study of double polarity GaN MOVPE with narrow pitch pattern by V/III ratio contro” The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), GR8-5, Ishikawa Ongakudo, ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa, & Motenashi-Dome, Kanazawa, Japan, November 11–16, 2018

高橋祐吏さん「放射線分科会 学生ポスター賞 」受賞

2018年9月18日~21日に名古屋国際会議場で開催された第79回応用物理学会秋季学術講演会にて高橋祐吏さんが「BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価」を発表し、表彰されました。

高橋 祐吏、丸山 貴之、山田 夏暉、江原 一司、望月 健、中川 央也、宇佐美 茂佳、本田 善央、天野 浩、小島 一信、秩父 重英、井上 翼、青木 徹、中野 貴之、“BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価”、第79回応用物理学会秋季学術講演会、20p-PB5-64、名古屋国際会議場、2018年9月18‐21日

高橋祐吏 ポスター賞受賞

第79回応用物理学会秋季学術講演会に参加しました

2018年9月18~21日に名古屋国際会議場で開催された「第79回応用物理学会秋季学術講演会」に参加してきました。
当研究室からは以下の4件の発表がありました。

[1] 江原 一司、望月 健、井上 翼、青木 徹、小島 一信、秩父 重英、中野 貴之、“BGaN-MOVPE法における脱離過程の解析”、第79回応用物理学会秋季学術講演会、20a-146-5、名古屋国際会議場、2018年9月18-21日

[2] 丸山 貴之、高橋 祐吏、山田 夏暉、江原 一司、望月 健、中川 央也、宇佐美 茂佳、本田 善央、天野 浩、小島 一信、秩父 重英、 井上 翼、青木 徹、中野 貴之、“MOVPE 法を用いた厚膜BGaN 結晶成長の検討および縦型中性子検出デバイスの作製”、第79回応用物理学会秋季学術講演会、20a-146-6、名古屋国際会議場、2018年9月18‐21日

[3] 高橋 祐吏、丸山 貴之、山田 夏暉、江原 一司、望月 健、中川 央也、宇佐美 茂佳、本田 善央、天野 浩、小島 一信、秩父 重英、井上 翼、青木 徹、中野 貴之、“BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価”、第79回応用物理学会秋季学術講演会、20p-PB5-64、名古屋国際会議場、2018年9月18‐21日

[4] 松久 快生、八木 裕隆、井上 翼、中野 貴之、“V/III比制御による狭ピッチパターン両極性GaNMOVPE法の検討”、第79回応用物理学会秋季学術講演会、19p-PA4-12、名古屋国際会議場、2018年9月18‐21日

日本原子力学会 2018秋の大会 に参加しました

2018年9月5~7日に岡山大学津島キャンパスで開催された日本原子力学会「2018秋の大会」に参加してきました。
当研究室からは以下の1件の発表がありました。

[1] 山田 夏暉、丸山 貴之、中川 央也、井上 翼、青木 徹、中野 貴之、“BGaN半導体検出器の基礎電気特性及び放射線検出”日本原子力学会 2018秋の大会、2A06、岡山大学津島キャンパス、2018年9月5‐7日

次世代放射線シンポジウム(放射線夏の学校)2018に参加しました

2018年8月6~8日にグランパスin白浜で開催された次世代放射線シンポジウム(放射線夏の学校)2018に参加してきました。
当研究室からは以下の2件の発表がありました。

[1] 丸山貴之、山田夏暉、江原一司、中川央也、井上翼、青木徹、中野貴之、“MOVPE法による中性子半導体検出器に向けたBGNA結晶成長技術の開発”、次世代放射シンポジウム(放射線夏の学校)2018、P-36、グランパスin白浜、2018年8月6-8日

[2] 山田夏暉、丸山貴之、中川央也、井上翼、青木徹、中野貴之、“BGaN半導体検出器における放射線検出特性の膜厚依存性評価”、次世代放射シンポジウム(放射線夏の学校)2018、P-37、グランパスin白浜、2018年8月6-8日

第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会に参加しました

2018年7月12・13日に名古屋大学ES館ESホールで開催された第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会に参加してきました。
当研究室からは以下の2件の発表がありました。

[1] 松久快生、八木裕隆、井上翼、中野貴之、” V/III 比制御による狭ピッチパターン両極性 GaN-MOVPE 法の検討”、Th-P13

[2] 高橋祐吏、丸山貴之、山田夏暉、江原一司、望月健、中川央也、宇佐美茂佳、本田善央、天野浩、小島一信、秩父重英、井上翼、青木徹、中野貴之、“MOVPE 法を用いた厚膜 BGaN 成長および縦型中性子検出デバイスの作製”、Fr-P16

丸山貴之さん「放射線分科会 学生ポスター賞」受賞

丸山さん 学生ポスター賞受賞

2018年3月17日~20日に早稲田大学西早稲田キャンパスで開催された第65回応用物理学会春季学術講演会にて丸山貴之さんが「厚膜BGaN中性子半導体検出器の作製と放射線検出特性評価」を発表し、表彰されました。

丸山貴之、望月健、中川央也、宇佐美茂佳、本田善央、天野浩、小島一信、秩父重英、井上翼、青木徹、中野貴之
「厚膜BGaN中性子半導体検出器の作製と放射線検出特性評価」
第65回応用物理学会春季学術講演会、19p-P7-78、