国際学会発表
[1] Yuri Takahashi, Takayuki Maruyama, Natsuki Yamada, Kazushi Ebara, Yuto Ohta, Hisaya Nakagawa, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Kazunobu Kojima, Shigehusa Chichibu, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano, “Evaluation of BGaN growth temperature dependence and fabrication of neutron semiconductor detectors”, The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), MoP-GR-12, Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University, Okinawa, Japan, November 10-15 , 2019
国内学会発表
[1] 高橋 祐吏、丸山 貴之、山田 夏暉、江原 一司、太田 悠人、中川 央也、 宇佐美 茂佳、本田 善央、天野浩、小島 一信、 秩父 重英、井上 翼、青木 徹、中野 貴之、“中性子イメージングセンサーに向けたBGaN半導体検出器の開発”第66回応用物理学会春季学術講演会、11p-S622-8、東京工業大学大岡山キャンパス、2019年3月9‐12日
[2] 高橋 祐吏、丸山 貴之、山田 夏暉、江原 一司、望月 健、中川 央也、宇佐美 茂佳、本田 善央、天野 浩、小島 一信、秩父 重英、井上 翼、青木 徹、中野 貴之、“BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価”、第79回応用物理学会秋季学術講演会、20p-PB5-64、名古屋国際会議場、2018年9月18‐21日
[3] 高橋祐吏、丸山貴之、山田夏暉、江原一司、望月健、中川央也、宇佐美茂佳、本田善央、天野浩、小島一信、秩父重英、井上翼、青木徹、中野貴之、“MOVPE 法を用いた厚膜 BGaN 成長および縦型中性子検出デバイスの作製”、第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会、Fr-P16、名古屋大学 ES館ESホール、2018年7月12-13日
その他
[1] 高橋祐吏、“BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価”第79回応用物理学会秋季学術講演会、20p-PB5-64、2018年秋季学術講演会 学生ポスター賞
