カテゴリー: 新着情報

2019年6月13～15日に広島大学東広島キャンパスで開催された「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」に参加してきました。
当研究室からは以下の3件の発表がありました。

[1] 中野貴之、青木徹、“BGaNを用いた中性子半導体検出器の開発”、日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」、Fr-I2、広島大学 東広島キャンパス 学士会館レセプションホール、2019年6月13-15日　(招待講演)

[2] 清水勇希、江原一司、新宅秀矢、井上翼、青木徹、嶋紘平、小島一信、秩父重英、中野貴之、‟BGaN-MOVPE法におけるキャリアガスとホウ素原料の影響”、日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」、Th-P19 、広島大学 東広島キャンパス 学士会館レセプションホール、2019年6月13-15日

[3] 太田悠斗、高橋祐吏、丸山貴之、山田夏暉、中川央也、川崎晟也、宇佐美茂佳、本田善央、天野浩、嶋紘平、小島一信、秩父重英、井上翼、青木徹、中野貴之、‟BGaN結晶成長におけるTMB流量依存性の検討および中性子検出器の開発”、日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」、Fr-P23 、広島大学 東広島キャンパス 学士会館レセプションホール、2019年6月13-15日

2019年3月9～12日に東京工業大学大岡山キャンパスで開催された「第66回応用物理学会春季学術講演会」に参加してきました。
当研究室からは以下の2件の発表がありました。

[1] 松久 快生、小林 佑斗、杉田 篤、井上 翼、中野 貴之、“両極性同時成長法を用いたGaN-QPM結晶の作製および光学特性評価”第66回応用物理学会春季学術講演会、10p-W541-7、東京工業大学大岡山キャンパス、2019年3月9‐12日

[2] 高橋 祐吏、丸山 貴之、山田 夏暉、江原 一司、太田 悠人、中川 央也、 宇佐美 茂佳、本田 善央、天野浩、小島 一信、 秩父 重英、井上 翼、青木 徹、中野 貴之、“中性子イメージングセンサーに向けたBGaN半導体検出器の開発”第66回応用物理学会春季学術講演会、11p-S622-8、東京工業大学大岡山キャンパス、2019年3月9‐12日

2018年11月11～16日に石川県立音楽堂・ANAクラウンプラザホテルかざわ金沢で開催された「IWN2018」に参加してきました。
当研究室からは以下の3件の発表がありました。

[1] Kazushi Ebara, Ken Mochizuki, Yoku Inoue, Toru Aoki, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, and Takayuki Nakano, ”Kinetics analysis of desorption process in BGaN MOVPE”, The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), GR10-5, Ishikawa Ongakudo, ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa, &Motenashi-Dome, Kanazawa, Japan, November 11–16, 2018

[2] Takayuki Maruyama, Yuri Takahashi, Natsuki yamada, Kazushi Ebara, Hisaya Nakagawa, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano, “Fabrication and evaluation of thick BGaN neutron detection diodes”, The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), GR10-4, Ishikawa Ongakudo, ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa, & Motenashi-Dome, Kanazawa, Japan, November 11–16, 2018

[3] Kai Matsuhisa, Hirotaka Yagi, Yoku Inoue, and Takayuki N, “Study of double polarity GaN MOVPE with narrow pitch pattern by V/III ratio contro” The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), GR8-5, Ishikawa Ongakudo, ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa, & Motenashi-Dome, Kanazawa, Japan, November 11–16, 2018

2018年9月18日～21日に名古屋国際会議場で開催された第79回応用物理学会秋季学術講演会にて高橋祐吏さんが「BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価」を発表し、表彰されました。

高橋 祐吏、丸山 貴之、山田 夏暉、江原 一司、望月 健、中川 央也、宇佐美 茂佳、本田 善央、天野 浩、小島 一信、秩父 重英、井上 翼、青木 徹、中野 貴之、“BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価”、第79回応用物理学会秋季学術講演会、20p-PB5-64、名古屋国際会議場、2018年9月18‐21日

2018年9月18～21日に名古屋国際会議場で開催された「第79回応用物理学会秋季学術講演会」に参加してきました。
当研究室からは以下の4件の発表がありました。

[1] 江原 一司、望月 健、井上 翼、青木 徹、小島 一信、秩父 重英、中野 貴之、“BGaN-MOVPE法における脱離過程の解析”、第79回応用物理学会秋季学術講演会、20a-146-5、名古屋国際会議場、2018年9月18-21日

[2] 丸山 貴之、高橋 祐吏、山田 夏暉、江原 一司、望月 健、中川 央也、宇佐美 茂佳、本田 善央、天野 浩、小島 一信、秩父 重英、 井上 翼、青木 徹、中野 貴之、“MOVPE 法を用いた厚膜BGaN 結晶成長の検討および縦型中性子検出デバイスの作製”、第79回応用物理学会秋季学術講演会、20a-146-6、名古屋国際会議場、2018年9月18‐21日

[3] 高橋 祐吏、丸山 貴之、山田 夏暉、江原 一司、望月 健、中川 央也、宇佐美 茂佳、本田 善央、天野 浩、小島 一信、秩父 重英、井上 翼、青木 徹、中野 貴之、“BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価”、第79回応用物理学会秋季学術講演会、20p-PB5-64、名古屋国際会議場、2018年9月18‐21日

[4] 松久 快生、八木 裕隆、井上 翼、中野 貴之、“V/III比制御による狭ピッチパターン両極性GaNMOVPE法の検討”、第79回応用物理学会秋季学術講演会、19p-PA4-12、名古屋国際会議場、2018年9月18‐21日

2018年9月5～7日に岡山大学津島キャンパスで開催された日本原子力学会「2018秋の大会」に参加してきました。
当研究室からは以下の1件の発表がありました。

[1] 山田 夏暉、丸山 貴之、中川 央也、井上 翼、青木 徹、中野 貴之、“BGaN半導体検出器の基礎電気特性及び放射線検出”日本原子力学会　2018秋の大会、2A06、岡山大学津島キャンパス、2018年9月5‐7日

2018年8月6～8日にグランパスin白浜で開催された次世代放射線シンポジウム（放射線夏の学校）2018に参加してきました。
当研究室からは以下の2件の発表がありました。

[1] 丸山貴之、山田夏暉、江原一司、中川央也、井上翼、青木徹、中野貴之、“MOVPE法による中性子半導体検出器に向けたBGNA結晶成長技術の開発”、次世代放射シンポジウム(放射線夏の学校)2018、P-36、グランパスin白浜、2018年8月6-8日

[2] 山田夏暉、丸山貴之、中川央也、井上翼、青木徹、中野貴之、“BGaN半導体検出器における放射線検出特性の膜厚依存性評価”、次世代放射シンポジウム(放射線夏の学校)2018、P-37、グランパスin白浜、2018年8月6-8日

2018年7月12・13日に名古屋大学ES館ESホールで開催された第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会に参加してきました。
当研究室からは以下の2件の発表がありました。

[1] 松久快生、八木裕隆、井上翼、中野貴之、” V/III 比制御による狭ピッチパターン両極性 GaN-MOVPE 法の検討”、Th-P13

[2] 高橋祐吏、丸山貴之、山田夏暉、江原一司、望月健、中川央也、宇佐美茂佳、本田善央、天野浩、小島一信、秩父重英、井上翼、青木徹、中野貴之、“MOVPE 法を用いた厚膜 BGaN 成長および縦型中性子検出デバイスの作製”、Fr-P16

2018年3月17日～20日に早稲田大学西早稲田キャンパスで開催された第65回応用物理学会春季学術講演会にて丸山貴之さんが「厚膜BGaN中性子半導体検出器の作製と放射線検出特性評価」を発表し、表彰されました。

丸山貴之、望月健、中川央也、宇佐美茂佳、本田善央、天野浩、小島一信、秩父重英、井上翼、青木徹、中野貴之
「厚膜BGaN中性子半導体検出器の作製と放射線検出特性評価」
第65回応用物理学会春季学術講演会、19p-P7-78、