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2018年7月12・13日に名古屋大学ES館ESホールで開催された第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会に参加してきました。
当研究室からは以下の2件の発表がありました。

[1] 松久快生、八木裕隆、井上翼、中野貴之、” V/III 比制御による狭ピッチパターン両極性 GaN-MOVPE 法の検討”、Th-P13

[2] 高橋祐吏、丸山貴之、山田夏暉、江原一司、望月健、中川央也、宇佐美茂佳、本田善央、天野浩、小島一信、秩父重英、井上翼、青木徹、中野貴之、“MOVPE 法を用いた厚膜 BGaN 成長および縦型中性子検出デバイスの作製”、Fr-P16

2018年3月17日～20日に早稲田大学西早稲田キャンパスで開催された第65回応用物理学会春季学術講演会にて丸山貴之さんが「厚膜BGaN中性子半導体検出器の作製と放射線検出特性評価」を発表し、表彰されました。

丸山貴之、望月健、中川央也、宇佐美茂佳、本田善央、天野浩、小島一信、秩父重英、井上翼、青木徹、中野貴之
「厚膜BGaN中性子半導体検出器の作製と放射線検出特性評価」
第65回応用物理学会春季学術講演会、19p-P7-78、