発表論文
[1] Yohei Fujita, Yasushi Takano, Yoku Inoue, Masatomo Sumiya, Shunro Fuke and Takayuki Nakano; “Double polar selective area growth of GaN MOVPE by using carbon mask layers”, Jpn. J. Appl. Phys., 52 (2013) 08JB26
国際会議発表
[1] Yohei Fujita, Yasusi Takano, Yoku Inoue, Masatomo Sumiya, Shunro Fuke, and Takayuki Nakano, “Research of double polarities selective area growth of GaN by using MOVPE”, International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), MoP-GR-69 , Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan, October 14-19, 2012
国内学会発表
[1] 藤田陽平、高野泰、井上翼、中野貴之、”MOCVD方によるカーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長”、第2回結晶工学未来塾、No.17、学習院創立百周年記念会館、2013年11月7日
[2] Y. Fujita, Y. Takano, Y. Inoue and T. Nakano, “Double polarities selective area growth of GaN in MOVPE by using carbon mask” , 32th Electronic Materials Symposium (EMS32), Th3-8, Laforret Biwako, Shiga, July 10-12, 2013
[3] 藤田陽平、高野泰、井上翼、中野貴之、”カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス”、2013年度電子情報通信学会ED/CPM/SDM合同5月研究会、静岡大学浜松キャンパス、2013年5月16-17日
[4] 藤田陽平，高野泰，井上翼，中野貴之、“MOVPE法を用いたGaN両極性同時成長プロセス(II)”, 第60回応用物理学会春季学術講演会、28p-PA1-24、神奈川工科大学、2013年3月27-30日
[5] 藤田陽平，高野泰，井上翼，角谷正友，福家俊郎，中野貴之、“MOVPE法を用いたGaN両極性同時成長プロセスの開発”, 第73回応用物理学会学術講演会、12p-H9-4、愛媛大学、2012年9月11-14日
[6] Y. Fujita, Y. Inoue, Y. Takano, M. Sumiya, S. Fuke, and T. Nakano, “Research of double polarities selective area growth of GaN by using MOVPE” , 31th Electronic Materials Symposium (EMS31), We1-9, Laforret Suzenji, Izu, July 11-13, 2012
その他
[1] 藤田陽平、高野泰、井上翼、中野貴之、”カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス”、信学技報(IEICE Technical Report), Vol. 113 No. 39 (2013) pp13-18
