国際学会発表
[1] K. Mochizuki, T. Nakamura, T. Arikawa, Y. Inoue, S. Usami, M. Kushimoto, Y. Honda, H. Amano, K. Kojima, S. F. Chichibu, H. Mimura, T. Aoki, and T. Nakano, “Fabrication and evaluation of vertical type BGaN diodes by MOVPE using trimethylboron”, The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12), Strasbourg, France, July 24-28 (2017), D01.12
国内学会発表
[1] 望月健, 中村匠, 青木徹, 井上翼, 小島一信, 秩父重英, 中野貴之、”BGaN-MOVPE法におけるB有機金属原料の検討”, 第78回応用物理学会秋季学術講演会、8a-A301-8、福岡国際会議場、2017年9月5-8日
[2] 望月健、中村匠、有川卓弥、宇佐美茂佳、久志本真希、本田善央、天野浩、小島一信、秩父重英、三村秀典、井上翼、青木徹、中野貴之、“BGaN縦型ダイオードの作製と放射線検出特性の評価”、第64回応用物理学会春季学術講演会、16p-E204-3、パシフィコ横浜、2017年3月14-17日
