国際会議発表
[1] Tsuyoshi Tachi, Tsutomu Nogi, Takayuki Nakano, Masatomo Sumiya, Tokuaki Nihashi, Minoru Hagino and Shunro Fuke; “Fabrication of Polarity Inversion of GaN by using Mg-doping in MOVPE”, International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010), AP1.54, Tampa, Florida, USA, September 19-24, 2010
国内学会発表
[1] 舘毅、岩瀬賢俊、野木努、青木徹、中野貴之、角谷正友、福家俊郎、” GaN極性反転結晶成長におけるMg表面偏析効果の解明”、 第72回応用物理学会学術講演会、31p-ZE-8、山形大学、2011年8月29-9月1日
[2] 舘毅、岩瀬賢俊、野木努、青木徹、中野貴之、角谷正友、福家俊郎、”MgドープGaN極性反転結晶における極性成長メカニズムの解明”、第3回窒化物半導体結晶成長講演会、P2-3、九州大学筑紫キャンパス、2011年6月18日
[3] 舘毅、岩瀬賢俊、野木努、中野貴之、角谷正友、二橋得明、萩野實、福家俊郎、”MOVPE法を用いたGaN極性反転構造の作製”、応用物理学会東海支部第17回基礎セミナー、P-05、静岡大学、2010年10月20日
[4] 舘毅、野木努、中野貴之、角谷正友、二橋得明、萩野實、福家俊郎、”MOVPE法を用いた高MgドープによるGaN極性反転構造の作製”、第71回応用物理学会学術講演会、15p-C-5、長崎大学、2010年9月14-17日
[5] Tsuyoshi Tachi, Tsutomu Nogi, Takayuki Nakano, Masatomo Sumiya, Tokuaki Nihashi, Minoru Hagino and Shunro Fuke; “Fabrication of polarity inversion structure of GaN by using Mg-dope in MOVPE”, 29th Electronic Materials Symposium (EMS29), Fr1-6, Laforret Suzenji, Izu, July 14-16, 2010
