発表論文
[1] Kohei Ueyama, Hidenori Mimura, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano, “Effect of substrate offcut angle on BGaN epitaxial growth”, Jpn. J. Appl. Phys. 55 (2016) 05FD05
国際学会発表
[1] Kohei Ueyama, Hidenori Mimura, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano, “Characterization of fabricated BGaN films at each growth conditions”, We-A42, The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), November 8-13, 2015, Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan
[2] K. Ueyama, K. Atsumi, H. Mimura, Y. Inoue, T. Aoki and T. Nakano, “Improved BGaN epitaxial growth for the neutron detection device”, The 8th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014), WeGP11, August 24-29, 2014, Wroclaw, Poland
[3] K.Ueyama, K. Atsumi, H. Mimura, Y. Inoue, T. Aoki, and T. Nakano; “Examination of on the Influence of Boron Flow Rate and Substrate in BGaN Epitaxial Growth”, the Second Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA ’14), LEDp6-1, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan, April 22 – 24, 2014
国内学会発表
[1] 上山 浩平、中村 匠、三村 秀典、井上 翼、青木 徹、中野 貴之、“MOVPE法にて作製したBGaN結晶の諸特性の評価”、 第76回応用物理学会秋季学術講演会、14p-PB12-12、名古屋国際会議場、2015年9月13-16日
[2] 上山浩平，渥美勝浩，三村秀典，井上翼，青木徹，中野貴之,” BGaN成長における基板off角度依存性”、 、第3回結晶工学未来塾、No.07、学習院創立百周年記念会館、2014年11月13日
[3] 上山浩平，渥美勝浩，三村秀典，井上翼，青木徹，中野貴之,” BGaN成長における基板依存性の検討”、第75回応用物理学会秋季学術講演会、17a-C5-2、北海道大学、2014年9月17-20日
[4] 上山浩平, 渥美勝浩, 三村秀典, 井上翼, 青木徹, 中野貴之, “BGaN 成長における基板および原料供給量の依存性評価”, 第6 回窒化物半導体結晶成長講演会, St-7, 名城大学天白キャンパス, 2014年7月25-26日
