発表論文
[1] Hirotaka Yagi, Noriyuki Osumi, Yoku Inoue, and Takayuki Nakano, “Double-Polarity Selective-Area Growth of GaN by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy Using Narrow-Pitch Patterns”, Phys. Status Solidi B 255 5 (2018) 1700475 (7page)
国際学会発表
[1] H. Yagi, N. Osumi, Y. Inoue, T. Nakano, “Narrow pitch pattern process at GaN double polarity selective area growth using MOVPE”, The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12), Strasbourg, France, July 24-28 (2017), A1.42
国内学会発表
[1] 八木裕隆, 大隅紀之, 井上翼, 中野貴之、” GaN両極性同時MOVPE法を用いた狭ピッチQPM結晶の作製”、 第78回応用物理学会秋季学術講演会、8a-A301-11、福岡国際会議場、2017年9月5-8日
[2] 八木裕隆、大隅紀之、井上翼、中野貴之、“GaN両極性同時MOVPE法における狭ピッチパターン形成プロセスの検討”、 第64回応用物理学会春季学術講演会、17p-P3-21、パシフィコ横浜、2017年3月14-17日
