松久快生 M2

国際学会発表

[1] K. Matsuhisa, Y. Kobayashi, H. Yagi, A. Sugita, Y. Inoue, T. Nakano, “Study of double polarity GaN MOVPE with 4 μ m pitch pattern for SHG devices”, Inter-Academia Asia 2018, Oral3, Hotel Associa Shizuoka, December 3-5, 2018

[2] K Matsuhisa, Y Kobayashi, H Yagi, A Sugita, Y Inoue and T Nakano, “Fabrication of 4 μm pitch pattern double polarity GaN MOVPE by V/III ratio control for SHG devices”, 2018 SU-UM Workshop on Advanced Engineering Research and Cultural Exchange (WAERCE 2018), C-4, Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, University of Malaya, November 27, 2018

[3] Kai Matsuhisa, Hirotaka Yagi, Yoku Inoue, and Takayuki N, “Study of double polarity GaN MOVPE with narrow pitch pattern by V/III ratio contro” The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), GR8-5, Ishikawa Ongakudo, ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa,& Motenashi-Dome, Kanazawa, Japan, November 11–16, 2018

国内学会発表

[1] 松久 快生、小林 佑斗、杉田 篤、井上 翼、中野 貴之、“両極性同時成長法を用いたGaN-QPM結晶の作製および光学特性評価”第66回応用物理学会春季学術講演会、10p-W541-7、東京工業大学大岡山キャンパス、2019年3月9‐12日

[2] 松久 快生、八木 裕隆、井上 翼、中野 貴之、“V/III比制御による狭ピッチパターン両極性GaNMOVPE法の検討”、第79回応用物理学会秋季学術講演会、19p-PA4-12、名古屋国際会議場、2018年9月18‐21日

[3] 松久快生、八木裕隆、井上翼、中野貴之、“ V/III 比制御による狭ピッチパターン両極性 GaN-MOVPE 法の検討”、第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会、Th-P13、名古屋大学 ES館ESホール、2018年7月12-13日