国際学会発表
[1] Kai Matsuhisa, Yuto Kobayashi, Hiroki Ishihara, Mako Sugiura, Atsushi Sugita, Yoku Inoue, and Takayuki Nakano, “Optical characterization of GaN-QPM crystal fabricated by DP-SAG in MOVPE”, The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), ThP-GR-11, Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University, Okinawa, Japan, November 10-15 , 2019
[2] Kai Matsuhisa, Hirotaka Yagi, Yoku Inoue, and Takayuki N, “Study of double polarity GaN MOVPE with narrow pitch pattern by V/III ratio contro” The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), GR8-5, Ishikawa Ongakudo, ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa,& Motenashi-Dome, Kanazawa, Japan, November 11–16, 2018
国内学会発表
[1] 松久快生、小林佑斗、石原弘基、杉浦真子、杉田篤史、井上翼、中野貴之、“両極性同時成長を用いたGaN-QPM結晶の作製およびSHGに向けた光学特性評価”、電子情報通信学会、10、静岡大学浜松キャンパス1号館、2019年11月21-22日
[2] 松久 快生、小林 佑斗、杉田 篤、井上 翼、中野 貴之、“両極性同時成長法を用いたGaN-QPM結晶の作製および光学特性評価”第66回応用物理学会春季学術講演会、10p-W541-7、東京工業大学大岡山キャンパス、2019年3月9‐12日
[3] 松久 快生、八木 裕隆、井上 翼、中野 貴之、“V/III比制御による狭ピッチパターン両極性GaNMOVPE法の検討”、第79回応用物理学会秋季学術講演会、19p-PA4-12、名古屋国際会議場、2018年9月18‐21日
[4] 松久快生、八木裕隆、井上翼、中野貴之、“ V/III 比制御による狭ピッチパターン両極性 GaN-MOVPE 法の検討”、第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会、Th-P13、名古屋大学 ES館ESホール、2018年7月12-13日
