山田夏暉 M2

国際学会発表

[1] Y. Takahashi, T. Maruyama, N. Yamada, K. Ebara, K. Mochizuki,H. Nakagawa, Y. Inoue, T.Aoki, T. Nakano, “Fabrication and evalauation of thick BGaN vertical neutron detection diodes”, Inter-Academia Asia 2018, Oral1, Hotel Associa Shizuoka, December 3-5, 2018

[2] N. Yamada, T. Maruyama, Y. Takahashi, H. Nakagawa, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano, “Neutron Detection Characteristics of BGaN semiconductor detectors”, Inter-Academia Asia 2018, Oral2, Hotel Associa Shizuoka, December 3-5, 2018

[3] N Yamada, T Maruyama, Y Takahashi, H Nakagawa, Y Inoue, T Aoki and T Nakano” Radiation detection characteristics of thick BGaN semiconductor detectors”, 2018 SU-UM Workshop on Advanced Engineering Research and Cultural Exchange (WAERCE 2018), C-7, Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, University of Malaya, November 27, 2018

[4] T Maruyama, Y Takahashi, N Yamada, K Ebara, H Nakagawa, Y Inoue, T Aoki and T Nakano, “Study of thick BGaN crystals growth and fabrication of vertical neutron detection device”, 2018 SU-UM Workshop on Advanced Engineering Research and Cultural Exchange (WAERCE 2018), C-9, Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, University of Malaya, November 27, 2018

[5] Y Takahashi, T Maruyama, N Yamada, K Ebara, K Mochizuki, H Nakagawa, Y Inoue, T Aoki and T Nakano, “Influence and Evaluation of TMB Flow Rate on BGaN-MOVPE Crystal Growth”, 2018 SU-UM Workshop on Advanced Engineering Research and Cultural Exchange (WAERCE 2018), C-11, Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, University of Malaya, November 27, 2018

[6] Takayuki Maruyama, Yuri Takahashi, Natsuki yamada, Kazushi Ebara, Hisaya Nakagawa, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano, “Fabrication and evaluation of thick BGaN neutron detection diodes”, The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), GR10-4, Ishikawa Ongakudo, ANA Crowne Plaza Hotel Kanazawa,& Motenashi-Dome, Kanazawa, Japan, November 11–16, 2018

[7] N. Yamada, K. Mochizuki, T. Maruyama, K. Ebara, Y. Takahashi, H. Nakagawa, S. Usami, Y. Honda, H. Amano, K. Kojima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano,” Radiation detection characteristics of BGaN semiconductor detectors”, 2018 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference, R-08 – RTSD, the International Convention Centre Sydney, Sydney, Australia, November 10-17, 2018

[8] Takayuki NAKANO, Ken MOCHIZUKI, Takayuki MARUYAMA, Natsuki YAMADA, Hisaya NAKAGAWA, Shigeyoshi USAMI, Yoshio HONDA, Hiroshi AMANO, Kazunobu KOJIMA, Shigefusa F. CHICHIBU, Yoku INOUE, Toru AOKI, “Fabrication of BGaN solid state detector for neutron imaging”, International Workshop on Position Sensitive Neutron Detectors (PSND 2018 WORKSHOP), Central Library, Jülich, Germany, May 15-17, 2018, PT-13

国内学会発表

[1] 高橋 祐吏、丸山 貴之、山田 夏暉、江原 一司、太田 悠人、中川 央也、 宇佐美 茂佳、本田 善央、天野浩、小島 一信、 秩父 重英、井上 翼、青木 徹、中野 貴之、“中性子イメージングセンサーに向けたBGaN半導体検出器の開発”第66回応用物理学会春季学術講演会、11p-S622-8、東京工業大学大岡山キャンパス、2019年3月9‐12日

[2] 丸山 貴之、高橋 祐吏、山田 夏暉、江原 一司、望月 健、中川 央也、宇佐美 茂佳、本田 善央、天野 浩、小島 一信、秩父 重英、 井上 翼、青木 徹、中野 貴之、“MOVPE 法を用いた厚膜BGaN 結晶成長の検討および縦型中性子検出デバイスの作製”、第79回応用物理学会秋季学術講演会、20a-146-6、名古屋国際会議場、2018年9月18‐21日

[3] 高橋 祐吏、丸山 貴之、山田 夏暉、江原 一司、望月 健、中川 央也、宇佐美 茂佳、本田 善央、天野 浩、小島 一信、秩父 重英、井上 翼、青木 徹、中野 貴之、“BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価”、第79回応用物理学会秋季学術講演会、20p-PB5-64、名古屋国際会議場、2018年9月18‐21日

[4] 山田 夏暉、丸山 貴之、中川 央也、井上 翼、青木 徹、中野 貴之、“BGaN半導体検出器の基礎電気特性及び放射線検出”日本原子力学会 2018秋の大会、2A06、岡山大学津島キャンパス、2018年9月5‐7日

[5] 山田夏暉、丸山貴之、中川央也、井上翼、青木徹、中野貴之、“BGaN半導体検出器における放射線検出特性の膜厚依存性評価”、次世代放射シンポジウム(放射線夏の学校)2018、P-37、グランパスin白浜、2018年8月6-8日

[6] 丸山貴之、山田夏暉、江原一司、中川央也、井上翼、青木徹、中野貴之、“MOVPE法による中性子半導体検出器に向けたBGNA結晶成長技術の開発”、次世代放射シンポジウム(放射線夏の学校)2018、P-36、グランパスin白浜、2018年8月6-8日

[7] 高橋祐吏、丸山貴之、山田夏暉、江原一司、望月健、中川央也、宇佐美茂佳、本田善央、天野浩、小島一信、秩父重英、井上翼、青木徹、中野貴之、“MOVPE 法を用いた厚膜 BGaN 成長および縦型中性子検出デバイスの作製”、第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会、Fr-P16、名古屋大学 ES館ESホール、2018年7月12-13日