共同研究・共同利用など
[1] 2023-2024年度 東京大学物性研究所 JRR-3全国共同利用 「BGaN中性子半導体イメージングセンサーに向けた中性子検出特性評価」 [2] 2023-2026年度 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 共同研究 「ワイドバンドギャップ半導体デバイスを用いた中性子検出器の最適構造研究」(代表) [3] 2020-2024年度 名古屋大学未来材料・システム研究所共同利用・共同研究 「III族窒化物半導体材料を用いた中性子半導体検出器の試作」（代表） [4] 2019-2022年度 物質・デバイス領域共同研究課題基盤共同研究 「BGaN 結晶成長技術の開発と諸特性評価」（代表） [5] 2018-2024年度 近畿大学原子炉等利用共同研究 「III族窒化物半導体を用いた中性子イメージングセンサーの開発」(代表) [6] 2016-2018年度 物質・デバイス領域共同研究課題COREラボ共同研究 「BAlGaN 系半導体デバイスの実現に向けた結晶成長技術の開発と諸特性評価」（代表） [7] 2015年度 物質・デバイス領域共同研究課題特別推進研究「BAlGaN系材料における結晶成長表面および光学特性の評価」(代表) [8] 2009年度 NIMS特別ファンドによる学独連携研究 「Ⅲ族窒化物極性反転結晶成長技術の開発と紫外線センサーへの応用」(代表) [9] 2008年度 NIMS特別ファンドによる学独連携研究「極性構造を有する窒化物薄膜の結晶成長制御と紫外線センサーへの応用」(代表)