实验设备（中文）

• 陶瓷・晶体样品制备及处理
  1)烘箱, (2)精密电子天枰, (3)混料用自动玛瑙，(4)静水压成型机, (5)自制管状炉（程序温控,使用温度1500℃), (6)烧结用高温炉(最高温度1750℃),(7)SPS(Spark Plasmas Sintering)烧结装置(可进行加压烧结，适用于制备透明陶瓷. 加压范围 20 KN, 最高使用温度2400℃),(8)单晶生长炉(最高温度1800℃),(9)真空RTA快速升温炉(升温速度>50℃/分),(10)单晶定向切割仪, (11)样片抛光机, (12) 镀金电极装置.

• 薄膜制备装置:（1）Reflux condensor, (2) Rotavapor, (3) Glovebox, (4) Spincoater

• 構造評価:粉末X射线衍射线仪

• 表面観察・纳米測量・铁电畴观察・控制:原子力顕微鏡(AFM)・压电显微镜(PFM)

• 光学特性評価
  （1）偏光显微镜测量系统(温度范围:83K-873K, 可用于形貌观察（投射，反射两模式),可在电场下观测电畴随温度变化,附有微探针，可用于薄膜的介电回线温度变化测量), (2) 线形光电效应测量用干涉仪

• 电学性能测量
  (1)极化处理装置(温度:-250℃电压:2万V), (2) Piezo d33/d31 meter（ＺＪ－６Ｂ）压电系数测量仪,(3)Keithley 6517 electrometer/High resistance meter, (4) Precision LCR meter E4980(20Hz-2MHz),(5)东阳技术ＦＣＥ－３电极化回线测量系统（D-E loop, 电场-形变特性测量, , 电压：1万伏特,温度范围：－100℃～200℃ 形变范围：1nm~50μｍ),（6）仁木工艺低温测量系统 (温度：4K-500 K，可用于介电频谱,热释电,压电振子谐振，阻抗，温度特性测量,备有光学窗口，可用于光学观测，亦可用于薄膜测量）.(7) 高温测量系统T＝(300K-1300 K,介电，压电温度变化测量,亦可用于薄膜测量).(8)薄膜铁电回线测量系统. (9) 自制位移测量系统(温度：-70～250℃.范围：1pm~25μm 及(10)石英晶体测量结果.