実験装置（日本語）

• セラミックス・単結晶試料作製・処理
  1)乾燥炉, (2)計量用精密電子天秤(分解率10μg), (3)混合用自動乳鉢,(4)静水成型プレス, (5)焼結管状炉（自作、温度制御、使用温度1500℃）, (6)焼結用高温炉(最高温度1700℃,(7)SPS(Spark Plasmas Sintering)焼結装置(加圧範囲 20 KN,最高使用温度2400℃),(8)単結晶炉(最高使用温度1800℃,2-ゾーン),(9)RTA炉炉(昇温速度>50℃/分),(10)単結晶方位カッタ―, (11)研磨機, (12) 電極蒸着装置.

• 薄膜作製装置:（1）Reflux condensor, (2) Rotavapor, (3) Glovebox, (4) Spincoater

• 構造評価:粉末Ｘ線回折装置

• 表面構造・ナノ評価・強誘電ドメイン観察・反転制御:原子力顕微鏡(‘AFM)&圧電顕微鏡(PFM)

• 光学特性評価:(1)偏光顕微鏡(温度:83K-873K透過、反射二モード,温度可変・電場でのドメイン観察可能、膜誘電測定も可能),(2) 线形光电效应测量用干涉仪

• 電気特性評価:(1)分極装置(温度:-250℃電圧：2万V), (2) Piezo d33/d31 meter（ＺＪ－６Ｂ）圧電メ―タ,(3)Keithley 6517 electrometer/High resistance meter, (4) Precision LCR meter E4980(200Hz-2MHz),(5)電気分極履歴極性、電場歪み曲線測定システム（D-E loop, 最高印可交流電圧：1万ボルト，温度：－40℃～200℃， 変位：1nm~50μｍ), (6)仁木工芸低温測定システム(温度：4K-500K, 抵抗、誘電、焦電、圧電共振測定可能，光学窓あり、光学測定も可能),(7) 高温測定システム(300K-1300K,誘電、圧電測定), (8) 薄膜用強誘電体特性測定装置,(9)自作変位測定系（温度:-70~250℃, 範囲：1 pm~25 μm)とそれも用いた水晶変位の測定結果(10).