实验设备(中文)

wwwp-qr

  • 1材料制备及处理
    1)烘箱, (2)精密电子天枰, (3)混料用自动玛瑙,(4)静水压成型机, (5)自制管状炉(程序温控,使用温度1500℃), (6)烧结用高温炉(最高温度1750℃),(7)SPS(Spark Plasmas Sintering)烧结装置(可进行加压烧结,适用于制备透明陶瓷. 加压范围 20 KN, 最高使用温度2400℃),(8)单晶生长炉(最高温度1800℃),(9)真空RTA快速升温炉(升温速度>50℃/分),(10)单晶定向切割仪, (11)样片抛光机, (12) 镀金电极装置.

drying ovenmicrobalance.jpgIMGP0199

isostatic pressingFurnaceFull-tech-1700C

SPS210SH2Bridgman furnaceMila5000UHV2

Cutter with goniometerPolishingQuick coater2

      • 構造評価
        粉末X射线衍射线仪

Bruker-X-ray

      • 光学特性評価
        (1)偏光显微镜测量系统(温度范围:83K-873K, 可用于形貌观察(投射,反射两模式),可在电场下观测电畴随温度变化,附有微探针,可用于薄膜的介电回线温度变化测量), (2) 线形光电效应测量用干涉仪

Polarization microscopyinterferometer2

      • 电学性能测量
        (1)极化处理装置(温度:-250℃电压:2万V), (2) Piezo d33/d31 meter(ZJ-6B)压电系数测量仪,(3)Keithley 6517 electrometer/High resistance meter, (4) Precision LCR meter E4980(20Hz-2MHz),(5)东阳技术FCE-3电极化回线测量系统(D-E loop, 电场-形变特性测量, , 电压:1万伏特,温度范围:-100℃~200℃ 形变范围:1nm~50μm),(6)仁木工艺低温测量系统 (温度:4K-500 K,可用于介电频谱,热释电,压电振子谐振,阻抗,温度特性测量,备有光学窗口,可用于光学观测,亦可用于薄膜测量).(7) 高温测量系统T=(300K-1300 K,介电,压电温度变化测量,亦可用于薄膜测量)

HighVolt20kVPiezometer6517B

FCE-3 FEsystemLTS-205-TL-4W-3

HT-dielectrieHT-electric-4